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公开(公告)号：CN120037906A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510051531.1
申请日：2025-01-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种Pd1Zn单原子合金催化剂及其制备方法、在CO酯化制碳酸二甲酯的应用，属于催化剂领域。所述合金催化剂包括Pd1Zn单原子合金和载体；部分Pd原子以单个原子的形式分散在载体上；其中，Pd和Zn的摩尔比为1:1～10。本申请所提供的Pd1Zn单原子合金催化剂，可以调控CO酯化产物选择性，从草酸二甲酯调变为碳酸二甲酯，草酸二甲酯选择性显著下降，而碳酸二甲酯选择性显著上升，可以达到91.5％，从而可以实现煤制乙二醇装置草酸二甲酯装置转产碳酸二甲酯。
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公开(公告)号：CN117926418A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311866403.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含盐包硫属晶体材料及其制备方法与作为非线性光学材料的应用，属于激光技术领域。所述含盐包硫属晶体材料，化学式为[A4BaX2][M6Q11]；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中任一种；X选自F、Cl、Br、I中任一种；M选自Al、Ga、In中任一种；Q选自S、Se、Te中任一种。该含盐包硫属晶体材料，NLO效应是商用AgGaS2的0.3‑10倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1‑50倍，综合性能有很大的提高，是潜在的红外NLO材料。
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公开(公告)号：CN114574973B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210138676.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含镓单斜无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。其中，A选自碱金属元素中的一种；Q选自硫族元素中的一种；所述含镓单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，P21空间群。进一步公开了制备上述含镓单斜无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓单斜无机化合物晶体具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓单斜无机化合物晶体的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN114574972B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210138652.6
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含镓正交无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。Q选自硫族元素中的一种。所述含镓无机化合物属于正交晶系，Iba21空间群。进一步公开了制备上述含镓正交无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓无机化合物具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓无机化合物的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN114574973A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210138676.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含镓单斜无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。其中，A选自碱金属元素中的一种；Q选自硫族元素中的一种；所述含镓单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，P21空间群。进一步公开了制备上述含镓单斜无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓单斜无机化合物晶体具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓单斜无机化合物晶体的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114232100A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111166980.9
申请日：2021-10-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法和作为非线性光学晶体的应用。所述的分子式为[K4Cl][MGa9Q16]；M选自Cd、Mn或Fe中的一种；当M为Cd时，Q选自S或Se；当M为Mn或Fe时，Q为S；晶胞参数为α＝68.21(2)～68.76(5)°，β＝74.74(5)～74.92(3)°，γ＝84.93(2)～85.32(4)°，V＝723.64(8)～836.01(5)，Z＝1；所述晶体为非中心对称结构，属于三斜晶系，空间群为P1。
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公开(公告)号：CN112575368B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201911320454.6
申请日：2019-12-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其合成方法及其在非线性光学中的应用。该晶体材料具有A2Li2Ga3Q6X的化学式，其中，A选自K、Rb、Cs的至少一种；Q选自S或Se；X选自Cl或Br。该晶体材料采用高温固相法合成。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，非线性效应是商用AgGaS2的0.3‑2.0倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的3‑25倍，性能有很大的提高，是潜在的红外非线性光学材料。
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公开(公告)号：CN109608652B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811545194.8
申请日：2018-12-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种MOFs晶体材料，该晶体材料具有式Ⅰ所示的化学式，其中，M为Zn和/或Cd；L表示具有式Ⅱ所示化学式的配体，式Ⅱ中的R包括亚烃基中的至少一种；BDC为对苯二甲酸根。本申请提供的MOFs晶体材料对二氧化碳的吸附优于对乙炔的吸附，省去了脱附乙炔的过程从而更为节能且方便，并且对二氧化碳和乙炔具有很好的分离效果，且该材料的合成过程可以受控。
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公开(公告)号：CN111267249A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010192695.3
申请日：2020-03-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: B28D5/00 , B28D7/00 , G01N23/2055 , G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种晶体定向方法及装置，属于晶体定向技术领域，能够解决现有的晶体定向方法效率较低、精确度较低的问题。所述方法包括：从待测晶体上切割被测晶体；获取被测晶体的切割面的晶面指数；获取待测晶体上切割面与待测面之间的夹角；根据夹角和被测晶体的切割面的晶面指数，获取待测晶体上待测面的晶面指数。本发明用于晶体定向。
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公开(公告)号：CN110607556A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910898871.2
申请日：2019-09-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备生长方法及其在非线性光学中的应用。该晶体材料具有Na2MSn2Se6的化学式，其中，M代表Zn和/或Cd。该晶体材料采用中温多硫化物熔剂法合成。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，在实现相位匹配时倍频信号强度是商用AgGaS2的2.2-3倍，激光损伤阈值是5-10倍，在中远红外非线性光学领域有潜在的应用价值。
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