公开(公告)号：CN1259468C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN01143233.0

申请日：2001-12-14

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 马宏伟 ,  郭国聪 ,  黄锦顺

IPC: C30B29/46

Abstract: 一种晶体半导体材料系列A2MM’3Q6，涉及半导体材料领域，其中A＝Na，K，Cs；M＝Cu，Ag；M’＝Ga，In；Q＝S，Se，Te。用反应性融盐法，以K2Se4为反应性融盐，按1～1.2∶1～1.2∶1～1.2∶5～6的摩尔比，用In粒，Cu粉，Se粉，置于玻璃管中，真空密封后在500℃～550℃反应合成并同时制备单晶体。该系列晶体用于光敏产品计数器、光电继电器及工业生产的自动控制装置。

公开(公告)号：CN1424440A

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN01143233.0

申请日：2001-12-14

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 马宏伟 ,  郭国聪 ,  黄锦顺

IPC: C30B29/46

Abstract: 一种晶体半导体材料系列A2MM’3Q6，涉及半导体材料领域，其中A＝Na，K，Cs；M＝Cu，Ag；M’＝Ga，In；Q＝S，Se，Te。用反应性融盐法，以K2Se4为反应性融盐，按1～1.2∶1～1.2∶1～1.2∶5～6的摩尔比，用In粒，Cu粉，Se粉，置于玻璃管中，真空密封后在500℃～550℃反应合成并同时制备单晶体。该系列晶体用于光敏产品计数器、光电继电器及工业生产的自动控制装置。