一种晶体半导体材料系列A2MM' 3Q6

    公开(公告)号:CN1424440A

    公开(公告)日:2003-06-18

    申请号:CN01143233.0

    申请日:2001-12-14

    Abstract: 一种晶体半导体材料系列A2MM’3Q6,涉及半导体材料领域,其中A=Na,K,Cs;M=Cu,Ag;M’=Ga,In;Q=S,Se,Te。用反应性融盐法,以K2Se4为反应性融盐,按1~1.2∶1~1.2∶1~1.2∶5~6的摩尔比,用In粒,Cu粉,Se粉,置于玻璃管中,真空密封后在500℃~550℃反应合成并同时制备单晶体。该系列晶体用于光敏产品计数器、光电继电器及工业生产的自动控制装置。

    含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法

    公开(公告)号:CN1952222A

    公开(公告)日:2007-04-25

    申请号:CN200510118210.1

    申请日:2005-10-20

    Abstract: 含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法,涉及一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ2(A=Li,Na,K,Rb,Cs;Tr=Ga,In;Q=S,Se,Te)的合成与晶体生长。本发明的目的是将一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ2的合成与助熔剂晶体生长技术结合起来。选择碱土金属硫属化合物、镓或铟的硫属化合物或卤化物以及适当的碱金属卤化物反应助熔剂为原料,通过反应助熔剂方法制备并生长一类含碱金属、镓或铟硫属化合物ATrQ2晶体。

    一种晶体半导体材料系列A2MM′3Q6

    公开(公告)号:CN1259468C

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN01143233.0

    申请日:2001-12-14

    Abstract: 一种晶体半导体材料系列A2MM’3Q6,涉及半导体材料领域,其中A=Na,K,Cs;M=Cu,Ag;M’=Ga,In;Q=S,Se,Te。用反应性融盐法,以K2Se4为反应性融盐,按1~1.2∶1~1.2∶1~1.2∶5~6的摩尔比,用In粒,Cu粉,Se粉,置于玻璃管中,真空密封后在500℃~550℃反应合成并同时制备单晶体。该系列晶体用于光敏产品计数器、光电继电器及工业生产的自动控制装置。

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