公开(公告)号：CN114023664A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111299325.0

申请日：2021-11-04

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 张丽 ,  于子呈 ,  姜春宇 ,  于国浩 ,  张宝顺

IPC分类号： H01L21/603 ,  H01L23/488

摘要： 本发明公开了一种低成本稳定的晶圆级金属扩散键合方法及半导体晶圆。所述晶圆级金属扩散键合方法包括：在第一晶圆的第一表面形成第一键合金属层，所述第一键合金属层包括形成第一形变层金属以及第一钝化层金属；在第二晶圆的第二表面形成第二键合金属层，所述第二键合金属层包括第二形变层金属以及第二钝化层金属；至少对所述第一钝化层金属、第二钝化层金属进行等离子体表面活化处理将所述第一键合金属层与第二键合金属层相贴合，采用热压键合的方式至少使所述第一钝化层金属与第二钝化层金属结合为一体。本发明实施例提供的晶圆级金属扩散键合方法，克服了Al‑Al或Cu‑Cu键合键合金属层表面氧化的问题，降低了键合温度。

公开(公告)号：CN114023640A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111300043.8

申请日：2021-11-04

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 张丽 ,  于子呈 ,  于国浩 ,  张宝顺

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L33/00 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L33/02

摘要： 本发明公开了一种基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用。所述基于CMP制备N极性GaN的方法包括：使Ga极性GaN材料的N极性面露出；采用碱性抛光液对所述Ga极性GaN材料的N极性面进行化学机械抛光减薄，以使其中的N极性GaN露出；其中，所述碱性抛光液包含研磨抛光纳米颗粒。本发明实施例提供的一种基于CMP制备N极性GaN的方法制备的N极性GaN不存在刻蚀损伤，可减小欧姆接触电阻，进而提高N极性GaN及其器件的性能，并且制备的N极性GaN的表面粗糙度更小。

公开(公告)号：CN113594037A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110886070.1

申请日：2021-08-03

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 于子呈 ,  张丽 ,  周鑫 ,  徐坤 ,  邓旭光 ,  范亚明 ,  张宝顺

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种GaN MISHEMT器件及其制作方法。所述制作方法包括：制作外延结构，所述外延结构包括沟道层以及形成在沟道层上的势垒层，且所述AlGaN势垒层与沟道层之间形成有二维电子气；在所述势垒层上原位外延生长二维材料钝化层；在所述二维材料钝化层上形成介质层；以及制作源极、漏极和栅极，其中，所述源极和漏极设置在所述势垒层上并通过所述二维电子气电连接，所述栅极设置在所述介质层上并位于所述源极和漏极之间。本发明提供的制作方法，在生长完GaN HEMT外延结构后原位生长二维h‑BN作为表面钝化层，然后再二次沉积介质层，可以阻挡表面损伤，屏蔽表面悬挂键，降低界面态密度，进而有效地抑制电流崩塌效应，使器件获得更好的直流特性和动态特性。