公开(公告)号：CN118329951A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410469816.2

申请日：2024-04-18

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 李逸凡 ,  崔义 ,  万雪颖

IPC分类号： G01N23/2273 ,  G01N23/2206 ,  G01N27/64 ,  G01N31/10

摘要： 本申请公开了一种NAP‑XPS和TOF‑SIMS联用的反应表征方法，包括将催化剂置于TOF‑SIMS的腔体内，检测得到反应前质谱信息；将催化剂转移至NAP‑XPS的腔体内，进行催化反应，同时进行原位测试，得到反应过程表面化学状态信息；将催化剂转移至TOF‑SIMS的腔体内，检测得到反应后质谱信息；比对反应前质谱信息和反应后质谱信息，并结合反应过程表面化学状态信息，得到催化剂应用于催化反应的表征信息。本申请能够克服单一表征方法存在的缺陷，实现了催化剂反应前后的准原位TOF‑SIMS测试与反应中原位NAP‑XPS测试相互呼应，可提高检测准确性，有助于提高研究人员对于催化反应真实过程的理解和认识。

公开(公告)号：CN118028765A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410181291.2

申请日：2024-02-18

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 崔义 ,  雷浩 ,  魏伟 ,  李逸凡

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/32 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了碳化镍材料的原位制备方法、碳化物材料及复合材料，其中原位制备方法，在真空互联条件下实施至少包括如下步骤：基底准备：基底至少用于提供单晶镍块体的界面，界面通过预处理形成有原子级平整的表面台阶；薄膜生长：基底在真空的背景环境下，至少将界面暴露于生长环境进行热气相沉积生长，生长环境至少提供分压1×10‑8‑1×10‑7mbar碳源。本发明通过优化改进碳化镍薄膜的生长工艺，从而实现了碳化钼膜层的高效快速生长，且具有良好的膜厚和表面形态可控性。