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公开(公告)号：CN118883221A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410915810.3
申请日：2024-07-09
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种超高真空样品处理装置，包括高真空腔体，以及设置于该腔体中的：加热台，至少提供一个承载样品的载台，并且通过电子束轰击样品背面；清洁装置，其向待处理样品的待处理面提供离子射流以轰击表面进行清洁和/或刻蚀；具有微漏阀的供气装置，其通过微漏阀受控地连接腔体，为腔体供气；真空检测装置，其用于实时监控腔体的真空度；控制装置，控制连接到加热台和/或清洁装置和/或供气装置和/或真空检测装置，以依据指令实现对加热台和/或清洁装置和/或供气装置和/或真空检测装置进行控制。
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公开(公告)号：CN114381699A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011134376.3
申请日：2020-10-21
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明提供了一种金属单晶薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；将所述衬底置于沉积设备中，在所述衬底上沉积金属薄膜；将沉积有所述金属薄膜的衬底转移至具有退火功能的成像设备中进行退火处理并通过成像设备原位观测所述金属薄膜的表面状态；根据所述金属薄膜的表面状态实时调整退火条件，以获得具有单一取向和表面原子级平整度的金属单晶薄膜。本发明提供的金属单晶薄膜的制备方法在对金属薄膜进行退火的过程中通过成像设备实时对金属薄膜的表面状态进行原位观测，根据金属薄膜的表面状态实时调整退火条件，从而有效提升了金属单晶薄膜的制备效率和质量。
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公开(公告)号：CN113802187A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110990364.9
申请日：2021-08-26
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： C30B33/04
摘要： 本发明公开了一种紧凑型超高温加热台及设备，该超高温加热台包括安装法兰、两根支撑杆和样品台，每根支撑杆的一端连接样品台，另一端固定在安装法兰上；样品台内置加热源，以对样品台上的样品加热；每根支撑杆的内部中空而形成冷却液通道，样品台内开设有同时连通两个冷却液通道的空腔，两根支撑杆的伸出安装法兰的端部分别为冷却液的进口和出口。本发明的支撑杆兼做水冷管，利用其将样品台固定在安装法兰上的同时，还提供冷却液的传输通道，使得超高温的样品台可以安装在尺寸更小的法兰基座上，有利于提高结构的紧凑性。与此同时，本发明还采用电子束反射聚焦结构，提高了加热效率，实现达到2000K高温指标的同时满足CF35等小尺寸法兰安装的要求。
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公开(公告)号：CN118028765A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410181291.2
申请日：2024-02-18
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了碳化镍材料的原位制备方法、碳化物材料及复合材料，其中原位制备方法，在真空互联条件下实施至少包括如下步骤：基底准备：基底至少用于提供单晶镍块体的界面，界面通过预处理形成有原子级平整的表面台阶；薄膜生长：基底在真空的背景环境下，至少将界面暴露于生长环境进行热气相沉积生长，生长环境至少提供分压1×10‑8‑1×10‑7mbar碳源。本发明通过优化改进碳化镍薄膜的生长工艺，从而实现了碳化钼膜层的高效快速生长，且具有良好的膜厚和表面形态可控性。
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公开(公告)号：CN113884523A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010633732.X
申请日：2020-07-02
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： G01N23/2204 , G01Q60/10 , G01Q30/10 , G01Q30/16 , H01J37/20
摘要： 本发明公开了一种转移真空样品托，包括第二托体组件，所述第二托体组件的顶面开设有容纳槽和设于所述容纳槽两相对侧的一对第二插槽，所述第二托体组件的底面开设有加热孔；两个所述第二插槽的延伸方向相同并与所述容纳槽连通，所述加热孔正对并连通所述容纳槽，用于在小样品托的宽度方向的两侧插入所述第二插槽时，供热量透过而加热小样品托上的样品。本发明还公开了一种小样品托及真空互联系统。本发明通过在超低温扫描隧道显微镜和光发射电子显微镜的样品托上开设有可供小样品托插入并固定的插槽和容置空间，使得同一小样品托可以同时适用于不同的显微镜设备，实现了样品在真空互联系统中的互联传递，可以对材料进行不同特性的测量和分析。
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公开(公告)号：CN112179932A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010989863.1
申请日：2020-09-18
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： G01N23/227 , G01N23/2202 , G01N23/20058 , G01N23/20008
摘要： 本发明公开了一种准原位常压反应联用系统，包括管式炉、成像装置以及真空管道，管式炉、真空管道、成像装置依次连通形成封闭的样品的传样空间，管式炉包括石英管、第一抽真空装置和加热单元，第一抽真空装置、加热单元分别用于调节石英管内的压力、温度，第一抽真空装置的抽真空范围至少包括常压至与真空管道同量级的高真空度；真空管道用于将在石英管内常压处理后的样品以更高的真空度传输至成像装置进行表面成像。本发明的样品可以自管式炉通过超高真空的真空管道传输至成像装置进行表面成像，完成样品表面电子结构和/或几何结构等的分析，既可以满足不同的样品处理环境，又能保证成像分辨率的环境要求，实现了样品处理和结构成像表征的联用。
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公开(公告)号：CN118136478A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410274301.7
申请日：2024-03-11
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种碱金属碲化物光电阴极的制备方法及碱金属碲化物光电阴极，制备方法包括：在真空状态下，采用分子束外延工艺在基底上进行碲元素和碱金属元素的共沉积，形成碱金属碲化物薄膜；在真空状态下，采用分子束外延工艺在碱金属碲化物薄膜表面生长镂空结构的Au覆盖层，形成碱金属碲化物光电阴极。本发明的碱金属碲化物光电阴极及其制备方法，能够在保证碱金属碲化物量子效率的同时，适当减少碱金属碲化物的暴露面积，有效阻止H2O、O2等反应气氛与阴极的反应，技术成本较低且不会污染光电阴极。
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公开(公告)号：CN118028751A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410181289.5
申请日：2024-02-18
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了单层MoS2薄膜的制备方法、薄膜材料、组件及装置，其中制备方法为在真空互联条件下实施包括如下步骤：准备衬底：所述衬底至少具有Au单晶界面；薄膜生长：在Au单晶界面上，以硫粉和三氧化钼作为前驱体在700‑800℃下生长5‑10分钟。本发明方案制备工艺简单，洁净度高，可控性好，对单层薄膜的形貌具有良好的调控性和取向性，薄膜性能稳定性好。
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公开(公告)号：CN117448933A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311463394.X
申请日：2023-11-06
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明揭示了一种金属单晶薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、提供一衬底；S2、将衬底置于超高真空磁控溅射设备中，于真空背景下在所述衬底表面沉积金属薄膜；S3、将沉积有金属薄膜的衬底通过第一真空管道转移至超高真空管式炉中，于真空背景下进行两次退火，以获得具有单一取向和表面原子级平整度的金属单晶薄膜，退火气氛为惰性气体和氢气的混合气体，第一次退火温度小于第二次退火温度，第一次退火时间大于第二次退火时间。本发明中金属单晶薄膜在超真空互联系统中制备而得，有效避免了单晶薄膜表面杂质的污染，最小化了薄膜中的缺陷、位错和表面粗糙度，有助于实现外延生长。
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公开(公告)号：CN117238734A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311025899.8
申请日：2023-08-15
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种双碱光电阴极的制备方法，该制备方法包括：S1、在真空状态下，采用分子束外延工艺在衬底上沉积Au掺杂的K薄膜；S2、在真空状态下，采用分子束外延工艺在Au掺杂的K薄膜上沉积Au掺杂的K3Sb薄膜；S3、在真空状态下，采用分子束外延工艺在Au掺杂的K3Sb薄膜上沉积Au掺杂的K2CsSb薄膜。本发明公开了一种双碱光电阴极的制备方法，避免了外界气氛对碱金属成分的污染，且提高了工艺效率；操作简单，降低技术成本；Au降低K2CsSb与H2O、O2反应概率；Au在部分的紫外波段也有响应，适度了弥补K2CsSb含量减少导致的量子效率衰减；通过调控Au在双碱光电阴极的总体含量预期能够实现K2CsSb双碱光电阴极在粗真空中保持长时间的稳定性，且量子效率的衰减小于30％。
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