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公开(公告)号：CN112864259B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201911098174.5
申请日：2019-11-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种主被动红外探测器，包括设置于衬底上的主动红外探测部和被动红外探测部，主动红外探测部包括依次层叠设置于衬底上的光敏材料接触层、光敏材料吸收层和光敏材料连接层；其中，光敏材料接触层、光敏材料吸收层和光敏材料连接层均为GaAsSb或者GaSb体材料，被动红外探测部设置于光敏材料连接层上。本发明还公开了上述主被动红外探测器的制作方法。本发明解决了现有的主被动红外探测器中主动探测能力较差的问题。
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公开(公告)号：CN111799350B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201910282216.4
申请日：2019-04-09
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种双色红外探测器，包括n型衬底以及依序层叠设置于所述n型衬底上的第一n型接触层、n型蓝色通道层、p型连接层、n型红色通道层和第二n型接触层，所述第一n型接触层上还设有第一电极，所述第二n型接触层上设有与所述第一电极对应的第二电极。本发明还公开了上述双色红外探测器的制作方法。本发明解决了在双色红外探测器中，当一个通道工作时另一个通道产生的少子容易扩散至工作的通道上，从而产生较大的串音的问题。
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公开(公告)号：CN110896113B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201811061275.0
申请日：2018-09-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种红外光探测器，包括第一电极、多个第二电极、N型衬底以及依序叠层于N型衬底的第一表面上的N型超晶格吸收层、N型超晶格势垒层和N型超晶格接触层，N型超晶格接触层中形成有多个P型超晶格接触部，多个P型超晶格接触部彼此独立，第一电极设置于N型衬底的与第一表面相对的第二表面上，多个第二电极彼此独立，每个P型超晶格接触部上设置对应的一个第二电极。本发明还公开了如上述的红外光探测器的制作方法。本发明解决了如何将平面结构整合到锑化物二类超晶格异质结红外探测器的问题。
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公开(公告)号：CN110021678B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201810024209.X
申请日：2018-01-10
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种红外光探测器，包括N型衬底；依序层叠设置在所述N型衬底上的N型超晶格吸收层、P型超晶格势垒层和P型超晶格接触层，所述P型超晶格势垒层和所述P型超晶格接触层中间隔的多个区域被注入离子，以形成多个接触所述N型超晶格吸收层的N型区；设置在所述N型衬底上的第一电极；以及设置在所述P型超晶格接触层上的第二电极。本发明还公开了一种红外光探测器的制备方法。本发明实施例公开了一种红外光探测器，在P型超晶格势垒层和所述P型超晶格接触层中设置多个接触N型超晶格吸收层的N型区，从而形成多个电学隔离的P型区，实现各个器件的独立，且红外光探测器的制备工艺简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN111129187A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811274091.2
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种红外光探测器，包括第一电极、多个第二电极、P型衬底以及依序叠层于P型衬底的第一表面上的P型超晶格吸收层、P型超晶格势垒层和超晶格接触层，超晶格接触层包括彼此独立的多个N型超晶格接触部和包围各个N型超晶格接触部的P型超晶格隔离部，第一电极设置于P型衬底的与第一表面相对的第二表面上，多个第二电极彼此独立，每个N型超晶格接触部上设置对应的一个第二电极。本发明还公开了如上述的红外光探测器的制作方法。本发明解决了如何将平面结构整合到锑化物二类超晶格异质结红外探测器的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110021678A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201810024209.X
申请日：2018-01-10
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种红外光探测器，包括N型衬底；依序层叠设置在所述N型衬底上的N型超晶格吸收层、P型超晶格势垒层和P型超晶格接触层，所述P型超晶格势垒层和所述P型超晶格接触层中间隔的多个区域被注入离子，以形成多个接触所述N型超晶格吸收层的N型区；设置在所述N型衬底上的第一电极；以及设置在所述P型超晶格接触层上的第二电极。本发明还公开了一种红外光探测器的制备方法。本发明实施例公开了一种红外光探测器，在P型超晶格势垒层和所述P型超晶格接触层中设置多个接触N型超晶格吸收层的N型区，从而形成多个电学隔离的P型区，实现各个器件的独立，且红外光探测器的制备工艺简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN104576928B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201310495473.9
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种有机/氮化镓异质p‑n结紫外光探测器及其制备方法。该探测器包括主要由沿设定方向层叠设置的GaN层和有机层形成的有机/GaN异质p‑n结，其中，所述GaN层和有机层上还分别连接有第一电极和第二电极；其制备方法包括：采用外延生长工艺在衬底上生长GaN层后，以金属材料在GaN层上形成第一电极，以及在GaN层上覆设有机层，而后在有机层上设置第二电极。本发明通过采用宽带隙半导体材料和有机半导体材料协同构建紫外光探测器，充分利用了无机半导体材料和有机材料的优点，同时，器件制备工艺简单，易于实现，可以在有效地节约成本的情况下，大幅度提高器件性能。
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公开(公告)号：CN104973558B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410140814.5
申请日：2014-04-10
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种III-V族纳米结构，包括III-V族基底以及形成于所述III-V族基底上的多孔结构，所述每个孔包括上下相通的多个六方体空间。本申请还公开了一种III-V族纳米结构的制备方法。本发明合成的III-V族三维层状多孔纳米结构材料在结构上，具备纯度高，形貌结构一致（呈六方状），层状分布明显等特点；在制备工艺上，具备反应条件温和，设备简单，工艺条件易控，而且成本低等优点，并符合实际生产的需要。该新颖结构有望应用于III-V族基的先进光学电子器件中，包括LED，生物化学传感器，太阳能电池，光学元器件等。
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公开(公告)号：CN104973558A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410140814.5
申请日：2014-04-10
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种III-V族纳米结构，包括III-V族基底以及形成于所述III-V族基底上的多孔结构，所述每个孔包括上下相通的多个六方体空间。本申请还公开了一种III-V族纳米结构的制备方法。本发明合成的III-V族三维层状多孔纳米结构材料在结构上，具备纯度高，形貌结构一致（呈六方状），层状分布明显等特点；在制备工艺上，具备反应条件温和，设备简单，工艺条件易控，而且成本低等优点，并符合实际生产的需要。该新颖结构有望应用于III-V族基的先进光学电子器件中，包括LED，生物化学传感器，太阳能电池，光学元器件等。
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公开(公告)号：CN104576772A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310497211.6
申请日：2013-10-21
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L27/142 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种激光光伏电池，包括半绝缘衬底以及依次形成于所述半绝缘衬底上的导电层、势垒层、PN结、窗口层和接触层，所述的接触层上形成有上电极，所述的半绝缘衬底沿竖直方向贯穿形成有下电极窗口，下电极窗口与导电层的底面接触，所述导电层暴露于所述下电极窗口内的底面上设有下电极。本发明还公开了一种激光光伏电池的制作方法。本发明在半绝缘衬底背面刻蚀下电极窗口，通过在吸收层下方制作大面积欧姆接触，与传统激光光伏器件中从正面引出下电极的情形相比，由于避免了下电极接触层中电荷的长距离横向传输，减小了器件的串联电阻，提高了电池的性能。
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