一种望远镜结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN114879355A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202110161667.X

    申请日:2021-02-05

    IPC分类号: G02B23/00 G02B1/00

    摘要: 本发明公开了一种望远镜结构,包括透明基底,透明基底包括彼此相对的第一表面和第二表面,第一表面上直接设置有具有正屈光力的物镜超构透镜,第二表面上直接设置有具有正屈光力的目镜超构透镜,物镜超构透镜和目镜超构透镜分别包括周期性排布的超构表面阵列;其中,物镜超构透镜的位于面向目镜超构透镜侧的焦点与目镜超构透镜的位于面向物镜超构透镜侧的焦点在透明基底内部相互重叠。本发明还公开了上述望远镜结构的制作方法。本发明实现了望远镜结构的薄型化。

    一种望远镜结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN114879355B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202110161667.X

    申请日:2021-02-05

    IPC分类号: G02B23/00 G02B1/00

    摘要: 本发明公开了一种望远镜结构,包括透明基底,透明基底包括彼此相对的第一表面和第二表面,第一表面上直接设置有具有正屈光力的物镜超构透镜,第二表面上直接设置有具有正屈光力的目镜超构透镜,物镜超构透镜和目镜超构透镜分别包括周期性排布的超构表面阵列;其中,物镜超构透镜的位于面向目镜超构透镜侧的焦点与目镜超构透镜的位于面向物镜超构透镜侧的焦点在透明基底内部相互重叠。本发明还公开了上述望远镜结构的制作方法。本发明实现了望远镜结构的薄型化。

    一种基于HEMT的太赫兹相控阵无栅调控开关

    公开(公告)号:CN117438453A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202210815698.7

    申请日:2022-07-12

    发明人: 蒋春萍 杨帆

    IPC分类号: H01L29/778 H01L29/45 H01P1/15

    摘要: 本发明公开了一种基于HEMT的太赫兹相控阵无栅调控开关,包括衬底、形成于衬底上的缓冲层,所述太赫兹相控阵无栅调控开关还包括:二维电子气台面层,自下而上依次由沟道层、本征隔离层、掺杂层和帽层组成,且所述二维电子气台面层包括呈多个第一台面层以及一线状的第二台面层,所述多个第一台面层呈阵列式分布,所述第二台面层将所述多个第一台面层从中部串联连接;多对金属复合导电层,分别形成于所述第一台面层两端的帽层上;多对天线,分别形成于所述第一台面层两端的帽层上,且位于所述金属复合导电层的两侧,并与所述金属复合导电层在横向上具有交叠区;以及欧姆电极,与所述第二台面层的一端部欧姆接触。本发明的基于HEMT的太赫兹相控阵无栅调控开关,结构简单,无需制备栅极,加工工艺成熟,制作方便,成品率高。

    一种基于多光谱成像系统的红外集成像素式滤光片及其制备方法

    公开(公告)号:CN116794758A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310643529.4

    申请日:2023-06-01

    发明人: 蒋春萍 刘兆琰

    IPC分类号: G02B5/20 G02B5/28

    摘要: 本发明涉及一种基于多光谱成像系统的红外集成像素式滤光片及其制备方法,属于滤光片技术领域。本发明的红外集成像素式滤光片包括多个呈马赛克形式排列的像素单元;每个像素单元包括基底和设置于所述基底上的介质层,所述介质层内设置有第一金属光栅层和第二金属光栅层,所述第一金属光栅层和所述基底贴合;所述第一金属光栅层和所述第二金属光栅层平行设置,且所述第一金属光栅层和所述第二金属光栅层相对应;每个像素单元的光栅周期和/或光栅宽度不相同。仅需要改变金属光栅层的横向结构参数并选择合适的材料,就可实现近红外至远红外区不同透射中心波长的调谐,即完成整个红外区超宽光谱范围的多波段滤波。

    高功率亚百皮秒脉冲激光系统

    公开(公告)号:CN104409950A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410649159.6

    申请日:2014-11-14

    摘要: 本发明提供一种高功率亚百皮秒脉冲激光系统,包括:第一半导体激光器、激光准直及聚焦透镜系统、二向色镜、复合晶体、光纤耦合透镜、光纤、第二半导体激光器、合束器、掺镱有源光纤以及输出隔离器;复合晶体由未透明窗口、掺杂YVO4晶体、Nd3+:YVO4晶体、半导体可饱和吸收体、铜热沉层及各镀膜层组成。微米级薄片Nd3+:YVO4晶体作为激光晶体,同时利用半导体可饱和吸收体被动调Q实现亚百皮秒脉冲种子光输出;此外,采用光纤放大技术对脉冲种子光进行放大,获得高平均功率、高峰值功率亚百皮秒脉冲光输出。本发明激光系统脉宽窄且结构紧凑,同时输出功率高,可广泛用于精密加工、生物荧光探测和激光测距等领域。

    三维光子限制光学微腔结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN102838080A

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201210336171.2

    申请日:2012-09-12

    IPC分类号: B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本发明涉及半导体光电子光学领域,提供了一种三维光子限制光学微腔结构及其制备方法,其制备方法具体包括:提供硅衬底,利用光刻及刻蚀工艺在硅衬底上制备微米级的凹坑结构;在所述硅衬底的凹坑上沉积凹形布拉格反射器薄膜;提供用以进行光激发及光探测的光纤端面,将所述光纤端面置于凹形布拉格反射器薄膜的上方,即形成凹形布拉格反射器薄膜与光纤端面共同构成的三维光子限制光学微腔结构。通过该方法制备的三维光子限制光学微腔结构可以方便测量及分析,检测精度高,具有广泛应用价值。

    柔性可调谐聚焦透镜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113514998A

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN202010278254.5

    申请日:2020-04-10

    发明人: 林雨 蒋春萍

    IPC分类号: G02F1/157 G02B5/00

    摘要: 本发明公开了一种柔性可调谐聚焦透镜及其制备方法,透镜包括若干结构单元形成的阵列,每个结构单元包括柔性的第一透明基底以及自下而上依次设于柔性的第一透明基底上的透明的底电极、金属功能层、电致变色层、透明的顶电极;金属功能层包括若干金属纳米棒周期化排列形成的纳米棒阵列结构,通过底电极、顶电极对电致变色层施加不同电压时,电致变色层的折射率和消光系数发生改变。本发明的柔性可调谐聚焦透镜只需对器件加载少许电压便能获得不同亮度的图像,同时,透镜结构简单合理、超薄轻便易集成、低功耗低成本,相对易于制作,其制备方法与现有的半导体制作工艺完全兼容,克服了现有技术需要繁琐的制备过程才能得到可调谐聚焦透镜的缺陷。

    高功函数可调的过渡金属氮化物材料、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN109979802A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201711461002.0

    申请日:2017-12-28

    IPC分类号: H01L21/02

    摘要: 本申请公开了一种高功函数可调的过渡金属氮化物材料、其制备方法及应用。在一典型实施例中,所述的制备方法包括:在作为衬底的p型半导体材料上依次生长过渡金属氮化物、氮化硼或石墨;以及,对所获的氮化硼或石墨/过渡金属氮化物复合结构材料进行高温退火,使氮化硼中的硼元素或石墨中的C元素热扩散至过渡金属氮化物中,从而获得高功函数可调的过渡金属氮化物材料。本发明过渡金属氮化物材料的制备工艺简单高效、便于调控,易于大规模实施,同时所获过渡金属氮化物材料的功函数较之现有技术有显著提高,而且该功函数还是可以方便调控的,能最大限度的实现过渡金属氮化物与P型宽带隙半导体材料的功函数的匹配,具有广泛的应用前景。

    微波太赫兹波探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102593235B

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201210073157.8

    申请日:2012-03-19

    发明人: 蒋春萍 王亦

    IPC分类号: H01L31/112 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明揭示了一种微波太赫兹波探测器及其制备方法,以高电子迁移率晶体管为基本结构,该探测器在有源区的台面设有背栅和至少一个长度介于1μm至1mm的条状结构,条状结构中设有呈凹型结构或带指状的正栅,条状结构的两端形成与二维电子气通道欧姆接触的电极,且凹型结构凹处或指与电极的间距为0.5μm至500μm,其中所述背栅刻蚀深度为直达衬底。并且本发明提出了完整而可行的该种探测器制备方法。应用本发明的技术方案,较之于传统的探测器系统的显著优点为:能够无需依赖任何光学元件辅助,即可实现对微波-太赫兹波辐射的功率响应和频率响应,为降低探测器系统复杂程度、减少成本提供了一种切实保障。