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公开(公告)号：CN114322826B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202111498175.6
申请日：2021-12-09
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明提供一种基于TOF的气动热环境下结构表面动态三维形貌测量装置，解决现有三维形貌测量技术无法在气动热环境下准确测量结构表面三维形貌的问题。装置包括脉冲激光模块、柱透镜组、扫描振镜组、偏振分束镜、1/4波片、透镜、可调反射镜组、窄带滤波片、条纹相机、同步控制模块和数据处理与显示模块；柱透镜组、扫描振镜组、偏振分束镜沿脉冲激光模块出射光路依次设置，1/4波片位于偏振分束镜反射光路上，透镜、可调反射镜组、窄带滤波片和条纹相机依次设在偏振分束镜透射光路上；数据处理与显示模块获取条纹相机N张条纹图像并重建，获得三维形貌深度图像；同步控制模块控制脉冲激光模块、扫描振镜组、可调反射镜组和条纹相机的同步。
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公开(公告)号：CN112649834A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011544173.1
申请日：2020-12-23
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号： G01T1/29
摘要： 本发明提供一种用于ICF芯部自发光关键过程的全光固体超快成像系统及方法，解决现有ICF内爆成像方式，存在空分辨率不足、易受核电磁脉冲干扰的问题。该系统包括脉冲光纤激光器、啁啾调节模块、皮秒级同步模块、光纤延迟模块、KB显微模块、DIM及设在DIM腔室内的光纤准直模块、偏振延时模块、皮秒级全光固体超快探测芯片、多分幅成像模块和探测模块；啁啾调节模块对脉冲光纤激光器出射的探针光进行调制；皮秒级同步模块控制光纤延迟模块对调制后的探针光进行延迟；皮秒级全光固体超快探测芯片对KB显微模块形成内爆关键过程的X射线图像进行光‑光转换，加载到偏振延时后的探针光；多分幅成像模块对携带信号光信息探针光进行分幅成像并被探测模块采集。
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公开(公告)号：CN112629100A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011461758.7
申请日：2020-12-11
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号： F25D5/02
摘要： 本发明涉及一种带过冷保护的深冷缓释便携冷源装置及其使用方法。本发明的目的是解决现有便携冷源装置存在无法满足野外无保障场景下的现场制冷和深冷缓释等综合需求的技术问题，提供一种带过冷保护的深冷缓释便携冷源装置及其使用方法。该装置采用氯化铵、氢氧化钡、氯化钠等常温组分，利用化学吸热、相变吸热的复合过程，实现深度蓄冷、缓释制冷的综合效能，是一种可提供长时间深度冷却条件的便携装置，解决了现有技术无法现场制冷、无法深度冷却、无法便携备用的问题；通过机械操作启动，无需低温保障、无需加注介质，解决现有技术保障要求高、用前操作繁杂的问题；还基于化学吸热过程的气体产物设计了隔离结构，形成过冷防护功能。
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公开(公告)号：CN112525644A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011527165.6
申请日：2020-12-22
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号： G01N1/28
摘要： 本发明涉及一种粘结结构的拉伸扯离试件，具体涉及一种预制裂纹铜合金聚氨酯粘结结构拉伸扯离试件制作方法。本发明的目的是解决现有未针对铜合金和聚氨酯粘结结构给出拉伸扯离试件的具体结构形式，也未结合铜合金和聚氨酯粘结界面处预制裂纹给出较好的解决途径的技术问题，提供一种预制裂纹铜合金聚氨酯粘结结构拉伸扯离试件制作方法。通过将聚酰亚胺薄膜粘结于铜合金板条的局部区域后，将聚氨酯板条粘结于铜合金板条粘结聚酰亚胺薄膜的表面上，并在聚氨酯板条和铜合金板条外露的表面上分别粘结上加载板和下加载板，制得含预制裂纹铜合金聚氨酯粘结结构拉伸扯离试件。聚酰亚胺薄膜粘结于铜合金板条的局部区域以模拟预制裂纹。
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公开(公告)号：CN110487757A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910688741.6
申请日：2019-07-29
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
发明人： 田进寿 , 何凯 , 高贵龙 , 汪韬 , 闫欣 , 辛丽伟 , 李少辉 , 尹飞 , 韦永林 , 徐向晏 , 卢裕 , 王兴 , 刘虎林 , 陈萍 , 温文龙 , 王超 , 王俊峰 , 赛小锋
摘要： 本发明涉及一种倒像式像增强型超快成像探测器，克服了现有的双近贴结构中半导体芯片容易真空击穿的问题。该探测器包括外壳、输入窗口、输出窗口、光电阴极、第一静电聚焦电极、微通道板、第二静电聚焦电极和半导体探测芯片；外壳的两端分别设置有输入窗口以及输出窗口；输入窗口内表面镀有一层导电薄膜，光电阴极制作于导电薄膜上；半导体探测芯片紧贴输出窗口内表面设置；光电阴极与半导体探测芯片之间依次设置有第一静电聚焦电极、微通道板以及第二静电聚焦电极；第一静电聚焦电极和第二静电聚焦电极相同；微通道板的输入面和输出面加载工作电压。
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公开(公告)号：CN109545681A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811286547.7
申请日：2018-10-31
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，对GaAs衬底进行分阶段腐蚀，在第一阶段将待腐蚀芯片置于NH4OH溶液和H2O2溶液的混合溶液中，在温度为35-40℃的条件下，腐蚀GaAs衬底，对GaAs衬底进行减薄；在第二阶段，将第一阶段腐蚀后的芯片进行清洗后置于柠檬酸溶液和H2O2溶液的混合溶液中，在温度为25-35℃的条件下，继续腐蚀GaAs衬底，直至将GaAs衬底5完全去除掉。本发明全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，解决了单一NH4OH：H2O2体系选择性低，表面粗糙的缺点，又克服了柠檬酸：H2O2体系腐蚀速度慢，对于较厚GaAs衬底难以实现大面积均匀腐蚀的缺点，具有快的腐蚀速度且腐蚀后芯片表面均匀光滑，在保证材料表面形貌的前提下缩短了腐蚀时间。
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公开(公告)号：CN105448629A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510940727.2
申请日：2015-12-16
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明提供一种超短脉冲X射线源系统，包括电子枪、电子光学系统、金属阳极、窗口以及真空管壁；电子枪是发射源，电子光学系统设在电子枪的出射光路上，电子光学系统包括依次设置的电子加速系统、聚焦系统，高速扫描系统；金属阳极与聚焦系统之间加电压形成电场；电子枪、电子光学系统、金属阳极均设在真空管壁内，窗口设在真空管壁的一侧壁上。本发明是稳定可靠的时间分辨达到皮秒量级的X射线脉冲源系统，通过真空环境中高速扫描电子束，轰击金属细丝，产生超短脉冲X射线装置；采用高速扫描的电子束轰击金属细丝，可以实现极快皮秒量级的X射线脉冲发射。
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公开(公告)号：CN101750530A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810188558.1
申请日：2008-12-17
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明涉及一种桥丝感应电流的测量方法及系统，采用红外透镜和光纤耦合对桥丝进行非接触式测量，通过分光后测得的中、近红外响应光电压的比值，可以得到桥丝内的电流值。本发明解决了现有桥丝感应电流的测量方法及系统进行接触式测量时人为误差很难控制的技术问题，具有测量误差小，装置简单，操作方便，数据处理容易的优点，从而达到对桥丝的电磁环境效应进行评估的目的。
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公开(公告)号：CN111443062B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010339529.1
申请日：2020-04-26
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置及方法，解决现有半导体折射率变化测量方法，无法满足对脉冲入射及脉冲响应特性检测需求的问题。该装置包括高功率脉冲激光器、第一分束镜、脉冲X射线激励单元、探针光调控单元、第二分束镜及信号读出单元；第一分束镜位于脉冲激光器的出射方向，将脉冲激光器产生激光光束分为A光束和B光束；脉冲X射线激励单元位于A光束出射方向，对脉冲激光产生X射线，探针光调控单元位于B光束的出射方向，产生探针光，探针光和X射线同时到达半导体超快探测芯表面；X射线对半导体超快探测芯片折射率进行调制，进而改变探针光的光谱强度；信号读出单元探测探针光光谱强度变化，获得芯片对X射线的响应过程。
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公开(公告)号：CN114414041B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111616267.X
申请日：2021-12-27
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明提供一种具有皮秒量级的可见光和射线脉冲探测方法及固体条纹相机，解决现有条纹相机易受电磁干扰、可靠性低、适用入射信号波段有限；加工难度大、结构复杂、不具备长时间跨度探测能力、探测能段范围有限的问题。该方法包括步骤1)使待测脉冲信号和探测激光同时入射半导体响应材料层；待测脉冲信号激发半导体响应材料层内部产生与待测脉冲信号脉冲时间信息一致的非平衡载流子，在半导体响应材料层产生按时间先后分布的瞬时折射率条纹；半导体响应材料层表面对探测激光进行反射，获得包含待测脉冲信号的时间信息的条纹分布；2)带有条纹强度分布的探测激光经光学系统后入射到成像探测器中，实现皮秒量级脉冲信号的探测。
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