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公开(公告)号:CN117970420A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410036968.3
申请日:2024-01-10
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要: 本发明涉及光电倍增管测试装置及方法,具体涉及一种微通道板型光电倍增管寿命测试装置及方法,解决了现有微通道板型光电倍增管寿命测试装置无法实时评估自身暗发射对阳极累积输出的影响,也无法评估暗发射幅度和暗发射计数随阳极累积输出的变化的技术问题。本发明在暗箱环境下,采用脉冲信号发生器、光源、漫透射光学部件、功分器、高压源、鉴别器、电荷数字转换器、延时电缆、计算机及采集软件等构建微通道板型光电倍增管寿命测试装置,可以同时记录光响应信号和暗发射信号,从而实时评估微通道板型光电倍增管自身暗发射对阳极累积输出的影响,以及暗发射幅度和暗发射计数随阳极累积输出的变化。
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公开(公告)号:CN110379702B
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201910526955.3
申请日:2019-06-18
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要: 为解决目前通用型光电倍增管由于电子倍增以及传输过程中电子总数过大,而制约光电倍增管动态范围的问题,本发明提供一种自适应大动态范围光电倍增管。本发明通过在光电阴极与电子倍增系统之间设置漂移电极和调制电极,将光电阴极与电子倍增系统之间的空间划分为三部分:电子漂移区、电子调制区以及电子加速区;电子漂移区控制电子的电子渡越时间,以保证调制电压产生模块可以产生稳定输出;电子调制区实现对电子数目的筛选,线性控制进入电子倍增系统的电子数目,使得电子倍增系统处于线性输出工作状态,因此扩大了光电倍增管对于探测光强的动态范围。
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公开(公告)号:CN110488340A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201910688752.4
申请日:2019-07-29
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号: G01T1/24
摘要: 本发明涉及一种超小型干涉式超快X射线光纤探测器。该探测器体积小、时间分辨率高、抗电磁干扰强。其主要包括套筒、金属铍窗、半导体超快探测芯片、GRIN透镜、单模光纤以及光纤环形器;套筒内沿着探测光的方向依次同轴设置有GRIN透镜、半导体超快探测芯片以及金属铍窗;半导体超快探测芯片包括半导体晶体以及分别镀设在半导体晶体前、后表面的反射膜;两片反射膜与半导体晶体组成了一个法布里-波罗干涉腔;单模光纤的一端为尾纤,尾纤同轴设置在GRIN透镜上,另一端与所述光纤环形器的第二端口连接;所述光纤环形器的第一端口与外部可调谐激光器连接,所述光纤环形器的第三端口与外部高速光电探测系统连接。
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公开(公告)号:CN103123886B
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201210563583.X
申请日:2012-12-21
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号: H01J9/26
摘要: 本发明涉及一种热铟封封接装置,包括铟封室,铟封室内的上方设置有上封接件放置装置,下方设置有载物平台,上封接件放置装置用于放置上封接件,载物平台用于放置下封接件,还包括下封接件的升降调节组件及磁力转动部件,通过升降调节组件和磁力转动部件使上封接件的封接面与下封接件的铟封槽完全接触,在一定程度上破坏了铟锡合金表面的氧化层,克服了铟表面氧化、不平整及气泡引起的封接漏气,提高了成品率。
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公开(公告)号:CN103123886A
公开(公告)日:2013-05-29
申请号:CN201210563583.X
申请日:2012-12-21
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号: H01J9/26
摘要: 本发明涉及一种热铟封封接装置,包括铟封室,铟封室内的上方设置有上封接件放置装置,下方设置有载物平台,上封接件放置装置用于放置上封接件,载物平台用于放置下封接件,还包括下封接件的升降调节组件及磁力转动部件,通过升降调节组件和磁力转动部件使上封接件的封接面与下封接件的铟封槽完全接触,在一定程度上破坏了铟锡合金表面的氧化层,克服了铟表面氧化、不平整及气泡引起的封接漏气,提高了成品率。
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公开(公告)号:CN112185795B
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202010953334.6
申请日:2020-09-11
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要: 本发明涉及一种光电倍增管,具体涉及一种基于硅电子倍增器的混合型大面积光电倍增管,旨在解决现有光电倍增管响应时间较慢、制作装配流程复杂,加载电压过高致使高压器件负担增大,以及增大聚焦电极结构尺寸导致装配难度大等问题。该光电倍增管包括玻璃外壳、光电阴极、聚焦电极、硅电子倍增器以及电极引线,所述玻璃外壳为真空腔体,光电阴极沉积于玻璃外壳的入射端内表面,聚焦电极与硅电子倍增器置于所述真空腔体沿入射光方向的中心轴上。本发明采用工作于盖革模式下的硅电子倍增器可获得较好的单光子信号探测能力,采用金属圆盘聚焦、单级或多级静电聚焦电极结构可实现光电子的有效收集和提高大面积PMT探测效率。
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公开(公告)号:CN112185795A
公开(公告)日:2021-01-05
申请号:CN202010953334.6
申请日:2020-09-11
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要: 本发明涉及一种光电倍增管,具体涉及一种基于硅电子倍增器的混合型大面积光电倍增管,旨在解决现有光电倍增管响应时间较慢、制作装配流程复杂,加载电压过高致使高压器件负担增大,以及增大聚焦电极结构尺寸导致装配难度大等问题。该光电倍增管包括玻璃外壳、光电阴极、聚焦电极、硅电子倍增器以及电极引线,所述玻璃外壳为真空腔体,光电阴极沉积于玻璃外壳的入射端内表面,聚焦电极与硅电子倍增器置于所述真空腔体沿入射光方向的中心轴上。本发明采用工作于盖革模式下的硅电子倍增器可获得较好的单光子信号探测能力,采用金属圆盘聚焦、单级或多级静电聚焦电极结构可实现光电子的有效收集和提高大面积PMT探测效率。
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公开(公告)号:CN108257844A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201810107146.4
申请日:2018-02-02
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要: 本发明属于光电探测器件技术领域,具体涉及一种选通聚焦型光电倍增管。其结构包括真空容器,真空容器的一端设置输入窗,输入窗的内表面设置阴极,真空容器的另一端设置阳极;所述阴极与阳极之间依次设置有选通电极、聚焦电极和电子倍增器。本发明解决了现有的光电探测器件有效探测面积受限的技术问题。本发明为一种既具备选通功能又具备电子聚焦功能的光电倍增管。放大倍率聚焦功能使得大面积光电阴极所发射电子可以入射至小尺寸电子倍增器电子收集面,从而提升光电倍增管的探测面积。
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公开(公告)号:CN107104028A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201710295237.0
申请日:2017-04-28
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要: 本发明提出一种各向异性大动态条纹变像管的装配结构及方法,能够提高各向异性聚焦条纹变像管电子光学系统的装配精度,提高装配效率及合格率,改善条纹管装配的一致性和互换性,从而最终提高条纹管制作效率及成品率。该装配结构由三个单独的模块分别与管壳焊接固定形成,其中:时间预聚焦电极模块主要由G栅极、F1聚焦极和B1消隐电极通过多个绝缘子整体热熔封接形成;空间聚焦电极模块主要由四个QL空间电极组成,这四个QL空间电极沿周向依次相邻、相应地分别通过绝缘子整体热熔封接;时间聚焦电极+偏转板联合模块主要由B2消隐电极、F2聚焦极、A阳极以及两个D偏转板通过多个绝缘子整体热熔封接形成。
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公开(公告)号:CN102307046B
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201110152839.3
申请日:2011-06-09
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号: H03K21/00
摘要: 本发明涉及一种时间分辨光子计数成像系统及方法,包括光学系统、探测器、采集卡和计算机,成像目标位于光学系统的输入端,探测器位于光学系统的输出端,探测器与采集卡相连,成像目标经过光学系统成像到探测器的输入面,采集卡包括光子到达定时信号产生电路、脉冲峰值采集电路、开始信号产生电路、恒温晶振时钟电路、可编程逻辑器件、数字信号处理器、时间数字转换器芯片和通信接口电路,本发明解决了现有的光子计数方法中缺少具有时间分辨的光子计数成像方法,本发明具有时间分辨光子计数成像、时间分辨率高、空间分辨率高等优点。
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