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    一种纸张可重复利用的书写方法及书写系统
    1.
    发明授权
    一种纸张可重复利用的书写方法及书写系统 失效

    公开(公告)号：CN105966122B

    公开(公告)日：2017-12-15

    申请号：CN201610293306.X

    申请日：2016-05-05

    申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

    发明人： 单崇新 ,  孙志鹏 ,  刘凯凯 ,  姜明明

    IPC分类号： B43L1/00 ,  B43L19/00 ,  C09D11/50 ,  C09D11/16

    摘要： 本申请公开了一种纸张可重复利用的书写方法及书写系统，其中，所述书写方法包括获取荧光量子点溶液；利用所述荧光量子点溶液在纸张表面进行书写，获得书写后的纸张，所述书写后的纸张载有书写内容；利用与所述荧光量子点溶液对应的擦除剂对所述书写后的纸张进行处理，以擦除所述书写内容，获得擦除处理后的纸张；利用与所述擦除剂对应的中和剂对所述擦除处理后的纸张进行中和处理，获得中和处理后的纸张待用。所述书写方法实现了纸张的可重复利用，并且利用荧光量子点溶液在纸张上进行书写获得的书写内容可以长时间显示。进一步的，所述书写方法不需要对纸张进行复杂的二次处理，不会在所述二次处理过程中对环境造成污染。

    硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法
    3.
    发明授权
    硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 失效

    公开(公告)号：CN1275336C

    公开(公告)日：2006-09-13

    申请号：CN02144730.6

    申请日：2002-12-07

    申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

    发明人： 单崇新 ,  范希武 ,  张吉英 ,  张振中 ,  王晓华 ,  吕有明 ,  刘益春 ,  申德振

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

    摘要： 本发明属于本发明属于半导体材料领域，涉及在半导体材料Si衬底上生长II-VI族薄膜的方法，是对II-VI族半导体薄膜生长方法的改进，本发明先在Si衬底上蒸镀一层ZnO薄膜，然后在氧气气氛下退火以得到取向较好的ZnO缓冲层，最后用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法在处理过的ZnO/Si上生长II-VI族半导体材料。在Si上蒸镀ZnO，避免清除其表面的氧化层，蒸镀的ZnO层与Si表面的SiOx有较好的浸润性，得到二维层状生长。另外，经过退火处理的ZnO既可缓解由于Si与外延层之间由于晶格常数和热膨胀系数差异导致的晶格应力和热应力，还为得到取向较好的外延层提供了条件，将减少由于热应力导致的缺陷。

    一种氧化锌基p型材料的制备方法
    4.
    发明授权
    一种氧化锌基p型材料的制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103972311B

    公开(公告)日：2016-06-01

    申请号：CN201410182115.7

    申请日：2014-04-30

    申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

    发明人： 王双鹏 ,  单崇新 ,  张振中 ,  李炳辉 ,  李科学 ,  申德振

    IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明提供一种氧化锌基p型材料的制备方法，属于半导体材料生长技术领域。该方法包括在基础层上制备渐变层；在渐变层上制备盖层；所述的基础层为Zn极性表面的ZnO材料，基础层的厚度大于300nm；所述的渐变层具有组分渐变的结构，组分渐变的结构自下而上为ZnO/MgδZn1-δO/Mg2δZn1-2δO/…/Mg(n-1)δZn1-(n-1)δO/MgnδZn1-nδO(δ→0，n为自然数)，渐变层厚度不大于1μm；盖层的材料组分与渐变层上表面一致，为MgnδZn1-nδO(0.6≥nδ≥0.2)，盖层的厚度不小于5nm。该方法制备的氧化锌基p型材料具有良好的温度稳定性。

    一种氧化锌基p型材料的制备方法
    5.
    发明授权
    一种氧化锌基p型材料的制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103972310B

    公开(公告)日：2016-04-27

    申请号：CN201410182090.0

    申请日：2014-04-30

    申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

    发明人： 王双鹏 ,  单崇新 ,  李炳辉 ,  张振中 ,  李科学 ,  申德振

    IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明提供一种氧化锌基p型材料的制备方法，属于半导体材料生长技术领域。该方法在基础层上制备渐变层；在渐变层上制备盖层；所述的基础层为氧极性表面的MgxZn1-xO(0.6≥x≥0.2)材料，基础层的厚度不小于5nm；渐变层具有组分渐变的结构，其结构自下而上为MgxZn1-xO/Mgx-δZn1-(x-δ)O/Mgx-2δZn1-(x-2δ)O/…/Mgx-(n-1)δZn1-[x-(n-1)δ]O/Mgx-nδZn1-(x-nδ)O(δ→0，n为自然数；nδ＝x；)，渐变层厚度不大于1μm；盖层的材料为ZnO，盖层的厚度不小于300nm。该方法制备的氧化锌基p型材料具有良好的温度稳定性。

    一种以锂氮双受主共掺方式制备p型氧化锌基薄膜的方法
    6.
    发明公开
    一种以锂氮双受主共掺方式制备p型氧化锌基薄膜的方法 无效

    公开(公告)号：CN102496578A

    公开(公告)日：2012-06-13

    申请号：CN201110403687.X

    申请日：2011-12-07

    申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

    发明人： 卢英杰 ,  申赫 ,  孙锋 ,  单崇新 ,  张振中 ,  李炳辉 ,  申德振

    IPC分类号： H01L21/365

    摘要： 一种以锂氮双受主共掺方式制备p型氧化锌基薄膜的方法，本发明属于半导体薄膜制备领域，为克服现有技术中p型ZnO基薄膜制备方法的可重复性低，制备出的p型ZnO基薄膜有效性差和掺杂元素掺入量不能够灵活调控等技术缺陷。该方法包括：以具有单晶结构的ZnO薄膜为平台，用离化的N、O等离子体作为N掺杂源和O源，高纯金属Li作为Li掺杂源，高纯金属Zn作为Zn源，高纯II族金属作为相应所需元素的生长源，制备锂氮双受主共掺的p型ZnO基薄膜。本发明与现有制备p型ZnO基薄膜的方法相比，具有如下优点：1、可重复性高。2、掺入量可调。3、得到的p型ZnO基薄膜可用于光电器件。

    一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置
    7.
    发明公开
    一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置 无效

    公开(公告)号：CN102312221A

    公开(公告)日：2012-01-11

    申请号：CN201110262384.0

    申请日：2011-09-06

    申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

    发明人： 单崇新 ,  申赫 ,  于吉 ,  刘兴宇 ,  王双鹏 ,  李炳辉 ,  申德振

    IPC分类号： C23C16/455

    摘要： 一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置，涉及一种原子层沉积装置。它解决现有技术中前驱体与衬底或上一原子层接触的均匀性差、反应物利用率低和材料生长周期长导致的沉积效率低问题。该装置包括反应腔室、第一前驱体容器、第二前驱体容器、辅助吹扫气体容器、第一气体供应管路、第二气体供应管路、辅助吹扫气体供应管路、均匀进气系统和腔体盖等，所述第一气体供应管路、第二气体供应管路、辅助吹扫气体供应管路分别与第一前驱体容器、第二前驱体容器、辅助吹扫气体容器相连接；所述第一气体供应管路、第二气体供应管路分别通过反应腔室的腔体盖与反应腔室内的均匀进气系统连通；所述均匀进气系统固定在腔体盖下部。该装置适合于科研和生产需要。

    一种实现高光谱选择性光电探测器的方法
    8.
    发明公开
    一种实现高光谱选择性光电探测器的方法 无效

    公开(公告)号：CN101710600A

    公开(公告)日：2010-05-19

    申请号：CN200910205930.X

    申请日：2009-10-30

    申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

    发明人： 单崇新 ,  朱海 ,  李炳辉 ,  张吉英 ,  申德振 ,  范希武

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/109

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明属于半导体光电技术领域，涉及一种实现高光谱选择性光电探测器的方法，得到可对某一很窄范围内的光谱有响应的光电探测器。本发明采用两种或多种禁带宽度不同的半导体材料，利用禁带宽度较大的材料作为探测器的窗口层，该窗口层相当于一个滤波器，从而实现只对某一较窄光谱范围内的光有响应的探测器件。该方法适用的材料体系包括但不限于ZnO/GaN，GaN/p-ZnO/n-ZnO，GaN/ZnMgO，AlGaN/ZnO，AlGaN/ZnMgO，AlGaN/GaN，AlGaAs/GaAs，GaN/InGaN，ZnO/InGaN，ZnMgO/p-ZnO/n-ZnO，ZnMgO/p-AlGaN/n-AlGaN等等。本发明的有益效果是：该方法非常简单、便宜，并且几乎不额外增加探测器的体积。

    制备太阳盲紫外探测器的方法
    9.
    发明授权
    制备太阳盲紫外探测器的方法 失效

    公开(公告)号：CN100565941C

    公开(公告)日：2009-12-02

    申请号：CN200810051098.8

    申请日：2008-08-21

    申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

    发明人： 鞠振刚 ,  张吉英 ,  单崇新 ,  申德振 ,  姚斌 ,  赵东旭 ,  张振中 ,  李炳辉

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明涉及紫外探测器的制备方法，特别是一种制备太阳盲紫外探测器的方法，采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备氧锌镁膜层，在该氧锌镁膜层上再蒸镀Au膜层，用湿法刻蚀Au膜层制备出叉指形电极，所述的氧锌镁膜层是在以下工艺条件下获得的具有单一立方相的、其吸收边从220nm到260nm的MgZnO薄膜：生长温度为300℃～500℃，生长室真空度为2×104Pa，载气为99.9999%高纯氮气，以二茂镁作为镁源，二乙基锌作为锌源，通过流量控制使生长室中的Zn、Mg摩尔浓度比为Zn/Mg＝0.4～1，氧气压力为2.5×105Pa、流量为550ml/min。本发明方法所获得的立方相MgZnO合金薄膜，不出现分相，具有很好的重复性；其紫外/可见抑制比大于3个量级，光响应截止边在230-280nm连续可调。