一种铝合金钝化层酸性抛光液及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118345366A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410363844.6

    申请日:2024-03-28

    IPC分类号: C23F3/03

    摘要: 本发明提供了一种铝合金钝化层酸性抛光液及其制备方法和应用。本发明的铝合金钝化层酸性抛光液,包括以下组分:水、抛光粉、有机卤代酸腐蚀剂、有机胺类缓蚀剂、多元醇类螯合剂和有机羧酸,有机卤代酸腐蚀剂中卤素离子可能在酸性条件快速与铝合金表面钝化层发生反应确保腐蚀剂的腐蚀效率;作为与有机卤代酸腐蚀剂复配使用的有机胺类缓蚀剂能有效调剂腐蚀速度;多元醇类螯合剂能够在不引入新的得钝化层的前提下,实现对腐蚀表面的离子络合物的吸附;本发明的抛光液,可以在实现铝合金反射镜表面钝化层快速去除的前提下,可获得表面粗糙度Ra≤2nm的高质量铝合金反射镜光学表面,能够满足可见光系统应用需求。

    一种基于极线几何的三维测量方法及系统

    公开(公告)号:CN113686264B

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202110880393.X

    申请日:2021-08-02

    IPC分类号: G01B11/25

    摘要: 本申请涉及一种基于极线几何的三维测量方法及系统。所述方法包括:通过结构光系统采集待测物体表面的光栅图像;采用基于双目模型的标定方法标定出结构光系统的内外参数;将所述内外参数代入设定的极值点求解公式中,解得极值点在相机像素坐标上的分布,根据所述极值点在相机像素坐标上的分布确定具有最优光栅角度的倾斜光栅图像;基于极线几何方法,根据所述倾斜光栅图像计算待测物体的三维信息。本申请实施例实现了利用单组最优倾斜光栅图像的高精度三维测量,具有最大的相位灵敏度,大大提高了三维测量的精度和速度。

    金属材料的抛光液、抛光磨盘及抛光方法

    公开(公告)号:CN113528027A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110865362.7

    申请日:2021-07-29

    IPC分类号: C09G1/02 B24B1/00 B24B41/04

    摘要: 本发明提出了一种抛光液,由以下重量份数的组分配制而成,包括:水基载液75~80份;抛光粉3~5份;表面活性剂5~10份;氧化剂0.5~5份;pH调节剂0.2~0.4份;消泡剂0.1~0.3份。抛光粉为氧化铝颗粒;表面活性剂为多元醇和醇铵盐;氧化剂为过氧化氢;pH调节剂为碳酸钠和有机酸;消泡剂为聚醚消泡剂。本发明的抛光液的抛光性能不受抛光时间影响,可以按照加工路径和规划时间对金属表面进行确定性去除,实现面形精度的快速提升。并且抛光液配制方法简单,原料容易获取,安全无污染,成本低且易清洗。

    一种衍射元件衍射效率的测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN111060292A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201911393114.6

    申请日:2019-12-30

    IPC分类号: G01M11/02

    摘要: 本发明提供的衍射元件衍射效率的测量装置及测量方法,包括:干涉仪、衍射元件及光功率计,所述光功率计放置检测背景杂光能量为E0,所述光功率计检测入射进入所述衍射元件的入射总光强能量为E1,所述光功率计检测经所述衍射元件后聚焦后的出射总光强能量为E2,所述衍射元件的衍射效率为: 其中, 本发明提供的衍射元件衍射效率的测量装置及测量方法,应用衍射元件可以汇聚光线的特点,结合干涉仪设备,可以一次测量得到衍射元件整体的衍射效率,测试结果更加准确。

    一种光学系统畸变测量方法及设备

    公开(公告)号:CN110879136A

    公开(公告)日:2020-03-13

    申请号:CN201911268111.X

    申请日:2019-12-11

    IPC分类号: G01M11/02

    摘要: 本申请公开了一种光学系统畸变测量设备,包括激光器,用于产生激光;平行光转化装置,用于将激光转换为平行光;激光分束器,用于将平行光分成多束子平行光;待测镜头;位于待测镜头的焦平面的成像元件,用于对经过待测镜头的多束子平行光成像,得到光斑点阵图像;处理器,用于根据光斑点阵图像,确定待测镜头的畸变。激光分束器将平行光转换成多束子平行光,即产生多个不同视场的光束,多个光束经过待测镜头后在成像元件上形成光斑点阵图像,进而处理器确定待测镜头的畸变,实现不同视场畸变的同时测量,无需单独获取每个不同视场上的图像分别测量,缩短测量时间,提升效率,并且降低环境的干扰。此外,本申请还提供一种具有上述优点的测量方法。

    一种变台阶衍射元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN107976732B

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201711128450.9

    申请日:2017-11-15

    IPC分类号: G02B5/18 G02B27/00

    摘要: 本发明提供了一种变台阶衍射元件及其制备方法,所述制备方法根据不同区域的环带宽度尺寸,规划其台阶数目,从而解决加工设备加工能力极限与衍射元件衍射效率之间的矛盾。对于衍射元件的中心区域,相较于外围区域设计更高台阶数目,由于台阶数目的增加,提高了该区域的衍射效率,从而提高整个衍射元件的衍射效率。同时,利用激光直写机分批次对衍射元件的不同级的台阶区域进行曝光,以及利用离子束刻蚀设备对基片进行离子束刻蚀加工,从而在不损失加工精度的前提下,实现具有更高衍射效率的衍射元件的设计及制作。

    一种变台阶衍射元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN107976732A

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201711128450.9

    申请日:2017-11-15

    IPC分类号: G02B5/18 G02B27/00

    摘要: 本发明提供了一种变台阶衍射元件及其制备方法,所述制备方法根据不同区域的环带宽度尺寸,规划其台阶数目,从而解决加工设备加工能力极限与衍射元件衍射效率之间的矛盾。对于衍射元件的中心区域,相较于外围区域设计更高台阶数目,由于台阶数目的增加,提高了该区域的衍射效率,从而提高整个衍射元件的衍射效率。同时,利用激光直写机分批次对衍射元件的不同级的台阶区域进行曝光,以及利用离子束刻蚀设备对基片进行离子束刻蚀加工,从而在不损失加工精度的前提下,实现具有更高衍射效率的衍射元件的设计及制作。

    反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法

    公开(公告)号:CN106625282A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201710014820.X

    申请日:2017-01-09

    IPC分类号: B24C1/08

    CPC分类号: B24C1/08

    摘要: 本发明公开了一种反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法,属于碳化硅陶瓷素坯表面处理技术领域,其在一定的加工参数下,对碳化硅陶瓷素坯进行磨料水射流铣削,其中,所述的加工参数满足的条件是:磨料水射流的射流能量仅仅铣削掉硅而不足以去除碳化硅。本发明解决了现有技术中,依靠人工打磨反应烧结碳化硅表面残留物的耗费人力物力、加工效率低且工作环境恶劣等问题。本发明采用磨料水射流对反应烧结而成的碳化硅陶瓷素坯进行铣削加工,可以有效去除陶瓷表面残留的硅凸起,且对碳化硅陶瓷没有损伤。故本发明属于一种选择性表面处理技术。