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公开(公告)号：CN1697132A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200410010859.7
申请日：2004-05-12
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用等离子体辅助的分子束外延制备氧化物纳米管的方法。先用射频等离子辅助的分子束外延设备，在蓝宝石或硅衬底上生长ZnO薄层，薄层厚度为1～8nm。通过射频等离子辅助的分子束外延设备的流量计和漏阀，对气体流量进行检测和控制。打开离子捕获阱时只有中性粒子进入生长室，关闭时则等离子体进入生长室。由于ZnO极性表面与非极性表面的稳定性不同，在衬底表面形成初始的ZnO纳米环，后继ZnO沿环生长形成纳米管。本发明利用等离子体辅助的分子束外延制备半导体材料，无需引入催化剂或模板，即可定向生长出高质量的ZnO纳米管。
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公开(公告)号：CN1258005C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN03110865.2
申请日：2003-01-13
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用分子束外延制备氧化物薄膜的方法，将传统的分子束外延设备改造成等离子体协助分子束外延，发挥分子束外延技术在制备材料方面的优势，获得研究和制备氧化锌薄膜器件的最佳方法。利用射频等离子体源将氧气活化，变成氧原子再引进到生长室，有效地降低了生长温度，同时利用铂金丝缠绕在由高纯陶瓷制成的炉盘上作为衬底加热装置，通过铂铑热偶对温度进行监控，避免了氧化问题，实现了ZnO、ZnMgO薄膜的制备。本发明适合于利用分子束外延制备氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN1517454A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03110865.2
申请日：2003-01-13
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用分子束外延制备氧化物薄膜的方法，将传统的分子束外延设备改造成等离子体协助分子束外延，发挥分子束外延技术在制备材料方面的优势，获得研究和制备氧化锌薄膜器件的最佳方法。利用射频等离子体源将氧气活化，变成氧原子再引进到生长室，有效地降低了生长温度，同时利用铂金丝缠绕在由高纯陶瓷制成的炉盘上作为衬底加热装置，通过铂铑热偶对温度进行监控，避免了氧化问题，实现了ZnO、ZnMgO薄膜的制备。本发明适合于利用分子束外延制备氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN1331196C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200410010859.7
申请日：2004-05-12
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用等离子体辅助的分子束外延制备氧化物纳米管的方法。先用射频等离子辅助的分子束外延设备，在蓝宝石或硅衬底上生长ZnO薄层，薄层厚度为1～8nm。通过射频等离子辅助的分子束外延设备的流量计和漏阀，对气体流量进行检测和控制。打开离子捕获阱时只有中性粒子进入生长室，关闭时则等离子体进入生长室。由于ZnO极性表面与非极性表面的稳定性不同，在衬底表面形成初始的ZnO纳米环，后继ZnO沿环生长形成纳米管。本发明利用等离子体辅助的分子束外延制备半导体材料，无需引入催化剂或模板，即可定向生长出高质量的ZnO纳米管。
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公开(公告)号：CN1250347C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03110866.0
申请日：2003-01-13
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明公开了一种氮化硼坩埚的化学清洗方法，属于化学清洗领域，涉及一种对氮化硼坩埚的化学清洗方法。用浓硫酸、浓硝酸、氢氟酸配置的混合酸液和60%NaOH溶液将氮化硼坩埚被浸润的表层腐蚀剥离并能保证氮化硼坩埚的完整，能将氮化硼坩埚彻底清洗干净，不残留任何杂质，使其可以多次使用，熔融不同的材料，降低成本。
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公开(公告)号：CN1517159A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03110866.0
申请日：2003-01-13
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明公开了一种氮化硼坩埚的化学清洗方法，属于化学清洗领域，涉及一种对氮化硼坩埚的化学清洗方法。用浓硫酸、浓硝酸、氢氟酸配置的混合酸液和60％NaOH溶液将氮化硼坩埚被浸润的表层腐蚀剥离并能保证氮化硼坩埚的完整，能将氮化硼坩埚彻底清洗干净，不残留任何杂质，使其可以多次使用，熔融不同的材料，降低成本。
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