公开(公告)号：CN100405045C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200510016509.6

申请日：2005-01-05

申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发明人： 魏志鹏 ,  吕有明 ,  申德振 ,  张吉英 ,  张振中

IPC分类号： G01N21/69

摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，涉及利用光谱探测技术指导等离子辅助制备半导体材料的方法。利用光谱仪测量气体源的射频等离子体光发射谱，分析等离子体的化学组分。通过调节气体源流量改变生长室压力，调节射频功率等促进对实验有利的组分增加，减少其他组分的不利影响，选择最佳实验条件制备N掺杂的p型ZnO。本发明通过光谱仪测量等离子体的光发射谱，可实时了解并控制调节等离子体的化学组分，对提高等离子体辅助生长半导体材料尤其掺杂生长的质量及可控性具有重要作用。同时可提高材料的可重复性，向ZnO基发光器件的实现迈进了重要一步。

公开(公告)号：CN1258005C

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN03110865.2

申请日：2003-01-13

申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发明人： 吕有明 ,  梁红伟 ,  李炳辉 ,  吴春霞 ,  颜建锋 ,  魏志鹏 ,  赵东旭 ,  申德振

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/36 ,  H01L21/20

摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用分子束外延制备氧化物薄膜的方法，将传统的分子束外延设备改造成等离子体协助分子束外延，发挥分子束外延技术在制备材料方面的优势，获得研究和制备氧化锌薄膜器件的最佳方法。利用射频等离子体源将氧气活化，变成氧原子再引进到生长室，有效地降低了生长温度，同时利用铂金丝缠绕在由高纯陶瓷制成的炉盘上作为衬底加热装置，通过铂铑热偶对温度进行监控，避免了氧化问题，实现了ZnO、ZnMgO薄膜的制备。本发明适合于利用分子束外延制备氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN1517454A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN03110865.2

申请日：2003-01-13

申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发明人： 吕有明 ,  梁红伟 ,  李炳辉 ,  吴春霞 ,  颜建锋 ,  魏志鹏 ,  赵东旭 ,  申德振

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/36 ,  H01L21/20

摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用分子束外延制备氧化物薄膜的方法，将传统的分子束外延设备改造成等离子体协助分子束外延，发挥分子束外延技术在制备材料方面的优势，获得研究和制备氧化锌薄膜器件的最佳方法。利用射频等离子体源将氧气活化，变成氧原子再引进到生长室，有效地降低了生长温度，同时利用铂金丝缠绕在由高纯陶瓷制成的炉盘上作为衬底加热装置，通过铂铑热偶对温度进行监控，避免了氧化问题，实现了ZnO、ZnMgO薄膜的制备。本发明适合于利用分子束外延制备氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN1800830A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510016509.6

申请日：2005-01-05

申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发明人： 魏志鹏 ,  吕有明 ,  申德振 ,  张吉英 ,  张振中

IPC分类号： G01N21/69

摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，涉及利用光谱探测技术确定等离子体组分指导等离子辅助制备掺杂半导体材料的方法。利用光谱仪测量气体源的射频等离子体光发射谱，分析等离子体的化学组分。通过调节气体源流量改变生长室压力，调节射频功率等促进对实验有利的组分增加，减少其他组分的不利影响，选择最佳实验条件制备N掺杂的p型ZnO。本发明通过光谱仪测量等离子体的光发射谱，可实时了解并控制调节等离子体的化学组分，对提高等离子体辅助生长半导体材料尤其掺杂生长的质量及可控性具有重要作用。同时可提高材料的可重复性，向ZnO基发光器件的实现迈进了重要一步。