公开(公告)号：CN118897349A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410944931.0

申请日：2024-07-15

申请人： 中国科学院长春应用化学研究所 ,  西南技术物理研究所

发明人： 宋术岩 ,  王新宇 ,  王启舜 ,  石学明 ,  冯婧 ,  王浟 ,  郭嘉伟 ,  张洪杰

IPC分类号： G02B6/02 ,  C30B29/12 ,  C30B15/08 ,  C30B33/02

摘要： 本发明提供了一种掺钬氟化钇钡单晶光纤材料，所述掺钬氟化钇钡的通式为Ho:BaY2F8；所述掺钬氟化钇钡单晶光纤的直径为1～3mm。本发明还提供了掺钬氟化钇钡单晶光纤的微下拉生长装置及生长方法，可实现材料的快速制备，大大缩减了实验周期，并且准一维、高质量的掺钬氟化钇钡单晶光纤材料有效利用高长径比特点显著改善了这种中红外激光介质的热损伤特性。此外准一维激光介质因体积小，缺陷含量大大降低，有助于降低能量损耗；并且小尺寸元件对激光模块中热沉的设计降低了要求，更有助于实现高功率激光输出。本发明能够定向控制晶体生长整个过程，解决了钬氟化钇钡熔体流动性能差造成晶体生长困难、晶体中包裹气泡等不利因素。

公开(公告)号：CN116334755A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310362095.0

申请日：2023-04-06

申请人： 中国科学院长春应用化学研究所

发明人： 王新宇 ,  宋术岩 ,  石学明 ,  冯婧 ,  张洪杰

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B11/00

摘要： 一种掺钬氟化镥钇钡晶体的制备方法，包括以下步骤：将BaF2、LuF3、YF3、HoF3与除氧剂混合、压块后在HF气氛下进行反应，之后排除吸附氧并烧结，再关闭HF气氛并降温，冷却后去除杂质，得到块状晶料；在惰性气氛下，将上述块状晶料粉碎后与除氧剂混合放入坩埚，调整炉管高度使坩埚位于炉腔上部，加热熔化晶料；再使坩埚从上至下依次经高温区、梯度区、过渡区移动至炉腔下部的低温区后，降温后再升温进行晶体原位退火，冷却后得到单晶；剥离坩埚得到晶体后粉碎并重复以上步骤，得到产品。该制备方法能够制备得到大尺寸高抗损伤性掺钬氟化镥钇钡晶体，在长时间高温加热过程中也能保持反应物稳定的物化性质，不会产生晶体生长缺陷，保证了晶体的完整和纯净。