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发明公开
一种耗尽型MOSFET管的抗辐照高压差驱动电路审中-实审

公开(公告)号：CN117559978A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311312823.3

申请日：2023-10-11

申请人： 中国航天时代电子有限公司

发明人： 霍建楠 , 徐璐 , 赵英凯 , 徐艳洁 , 侯宏卓 , 王绍宁 , 胡召田

IPC分类号： H03K17/22 , H03K17/06

摘要： 本发明涉及一种耗尽型MOSFET管的抗辐照高压差驱动电路，适用于耗尽型MOSFET作为星用固态功率控制器的功率切换器件。然而，耗尽型MOSFET关断阈值为负值，为确保产品高效关断，且保证关断漏电流在uA级别，专用关断电路需能够提供‑12V左右的负电压输出能力。考虑到其余控制芯片均为+5V标准的正电压器件，为实现从产品内部其余控制电路产生的信号与该专用驱动芯片互相通信，在该电路中还需要设计+5V向‑12V的电平转换电路，电压差在17V左右。高压差在空间环境中易受到干扰。因此，本发明完成了耗尽型MOSFET高压差驱动芯片设计，并实现抗辐射加固技术在星用固态功率控制器中的应用。