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发明公开
一种等离子增强原子层沉积技术在铜基底沉积金属镀层的方法审中-实审

公开(公告)号：CN118653134A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410878296.0

申请日：2024-07-02

申请人： 中天合金技术有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司

发明人： 汤卫东 , 王英华 , 高彦军 , 张达 , 张炎涛 , 曹腾腾

IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18 , C23C16/50

摘要： 本发明公开了一种等离子增强原子层沉积技术在铜基底沉积金属镀层的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，铜基底准备和表面处理；S2，传送铜基底；S3，注入第一金属前驱体材料；S4，去除多余第一金属前驱体材料；S5，等离子体反应；S6，去除副产物；S7，循环步骤S3~S6，调节第一单原子金属镀层厚度；S8，再按照步骤S3~S7，沉积第二单原子金属镀层。本发明的优点在于利用等离子增强原子层沉积技术在铜基底表面沉积金属镀层可以实现高质量、均匀、附着力强的金属镀层，同时能够通过双镀层实现铜基底的导电性、界面结合强度和耐腐蚀性提升。