镍钴锰酸锂复合材料的制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111682201A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201910182082.9

    申请日:2019-03-11

    摘要: 本发明提供一种镍钴锰酸锂复合材料的制备方法,将三元前驱体NixCoyMnz(OH)2、锂盐、氧化物及添加剂按照预定比例混合均匀并在含氧气氛中进行热处理,得到混合材料;将铝源、去离子水及胶溶剂进行搅拌、水解、酸化及老化处理,得到含铝悬浊液;将混合材料加入制备的含铝悬浊液中并加热搅拌均匀,然后在含氧气氛中进行热处理,得到镍钴锰酸锂复合材料。本发明通过制备含铝悬浊液,将其与三元材料进行均匀混合后,通过与材料表面残碱反应,在三元材料表面生成包覆层,有效降低材料表面碱含量,减少材料本体晶格锂的迁移损失,同时在材料表面形成惰性包覆层,有效减少电解液对材料的腐蚀,提高的材料的稳定性和存储性能。

    一种窑炉烧结温度控制方法、装置及设备

    公开(公告)号:CN118936109A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411126018.6

    申请日:2024-08-15

    IPC分类号: F27D19/00

    摘要: 本说明书提供了一种窑炉烧结温度控制方法、装置及设备。获取预设检测周期内经过冷却区进行冷却后的物料的出料温度;对出料温度是否在预设温度范围进行检测;在出料温度不处于预设温度范围的情况下,根据出料温度与预设温度范围的差值,确定下一检测周期针对冷却区的冷却控制参数的第一调整量;根据所述第一调整量,确定所述下一检测周期待处理的物料的第二调整量;根据所述第一调整量,确定所述下一检测周期对应的所述窑炉的冷却区的冷却控制参数;并根据所述第二调整量,确定所述下一检测周期对应的物料量。从而在兼顾窑炉产能的同时实现对窑炉烧结温度的精细控制,有效地降低了能源成本。

    镍钴锰酸锂复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111354926A

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201811576230.7

    申请日:2018-12-22

    摘要: 本发明提供一种单晶镍钴锰酸锂复合材料及其制备方法,将三元前驱体、锂盐及助溶剂按照预定比例在混料机中混合均匀;将混合后的材料在富氧气氛下经煅烧处理后冷却,将冷却后的材料粉碎、过筛、除铁,得到单晶镍钴锰酸锂材料;将制得的材料与碳源以及金属氧化物按照预定比例在球磨机中混合均匀;将混合后的材料在惰性气氛下经煅烧处理后冷却,将冷却后的材料粉碎、过筛、除铁,得到碳和金属氧化物复合包覆的单晶镍钴锰酸锂复合材料。本发明提供的单晶镍钴锰酸锂复合材料及其制备方法,制备工艺简单,制备的材料结构稳定,倍率性能优异,材料具有优异的循环性能、导电性能。

    纳米多孔硅碳材料的制备方法、极片

    公开(公告)号:CN109950499B

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN201910252209.X

    申请日:2019-03-29

    摘要: 一种纳米多孔硅碳材料的制备方法和极片,其中方法包括以下步骤:(1)将硅粉和镁粉以摩尔比为1:2‑2.5混合均匀,加热制备成分均一的硅镁合金;(2)将制得的硅镁合金在真空下进行去合金化热处理溶解去除硅镁合金晶格上的镁原子形成空位,硅原子与空位重组形成纳米多孔结构,得到含镁的纳米多孔硅前驱体;(3)对纳米多孔硅前驱体进行氧化处理,其表层形成连续的二氧化硅纳米层,继而进行酸洗去除残余硅镁合金和镁,再通过过滤和烘干制得纳米多孔硅材料;(4)将制备的纳米多孔硅材料与碳源混合进行CVD碳包覆,制备出纳米多孔硅碳材料。本发明以去合金化法制得纳米多孔硅,其中高温真空处理及氧化改善多孔结构的可控性和碳层均匀致密包覆。

    废旧锂电池的放电方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110635185A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201810653731.4

    申请日:2018-06-22

    IPC分类号: H01M10/44 H01M10/0525

    摘要: 本发明提供的一种废旧锂电池的放电方法,首先将废旧锂电池与牺牲阳极直接接触得到预处理系统;然后将预处理系统浸没于导电盐溶液中放电;最后引出所述电池的正负极,分别连接铜片后将铜片置于导电盐溶液中,测量所述电池的电压直至电压值趋于稳定,则放电结束。本发明中牺牲阳极可稳定存在于中性或碱性溶液中,受光照、温度等影响较小,放电条件易控制;牺牲阳极在放电过程优先发生氧化溶解避免氯气的析出从而有效解决电解液泄露污染的问题;不仅如此,由于牺牲阳极与导电盐的阳离子相对应,牺牲阳极溶解后导电盐溶液的离子浓度变大,加快放电速率的同时可以实现导电盐溶液的循环使用,节约放电成本。本发明工艺简单易操作,适用于规模化应用。

    纳米多孔硅碳材料的制备方法、极片

    公开(公告)号:CN109950499A

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201910252209.X

    申请日:2019-03-29

    摘要: 一种纳米多孔硅碳材料的制备方法和极片,其中方法包括以下步骤:(1)将硅粉和镁粉以摩尔比为1:2-2.5混合均匀,加热制备成分均一的硅镁合金;(2)将制得的硅镁合金在真空下进行去合金化热处理溶解去除硅镁合金晶格上的镁原子形成空位,硅原子与空位重组形成纳米多孔结构,得到含镁的纳米多孔硅前驱体;(3)对纳米多孔硅前驱体进行氧化处理,其表层形成连续的二氧化硅纳米层,继而进行酸洗去除残余硅镁合金和镁,再通过过滤和烘干制得纳米多孔硅材料;(4)将制备的纳米多孔硅材料与碳源混合进行CVD碳包覆,制备出纳米多孔硅碳材料。本发明以去合金化法制得纳米多孔硅,其中高温真空处理及氧化改善多孔结构的可控性和碳层均匀致密包覆。