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公开(公告)号：CN110609351A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810615913.2
申请日：2018-06-14
申请人： 中天科技精密材料有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司 , 中天科技光纤有限公司
摘要： 本发明提供一种耐高压低弯曲损耗的光纤，所述光纤包括芯层、内包层、下陷层及外包层，所述芯层掺有SiO2和GeO2，所述芯层的半径由所述芯层中心向外延伸距离R1形成，所述芯层的折射率为n1，所述内包层的宽度为所述芯层边缘R1处向外延伸R2-R1的距离，所述内包层的剖面通过掺少量Ge和F形成，所述内包层的折射率为n2，所述下陷层从所述内包层外边缘向外深掺F形成，所述下陷层的宽度和折射率分别为R3-R2和n3，所述外包层的厚度和折射率分别为Rc-R3和nc，所述光纤的折射率剖面为阶跃型分布。本发明提供的光纤在11000米深水中仍能使光纤传输性能不受影响。
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公开(公告)号：CN110609351B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201810615913.2
申请日：2018-06-14
申请人： 中天科技精密材料有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司 , 中天科技光纤有限公司
摘要： 本发明提供一种耐高压低弯曲损耗的光纤，所述光纤包括芯层、内包层、下陷层及外包层，所述芯层掺有SiO2和GeO2，所述芯层的半径由所述芯层中心向外延伸距离R1形成，所述芯层的折射率为n1，所述内包层的宽度为所述芯层边缘R1处向外延伸R2‑R1的距离，所述内包层的剖面通过掺少量Ge和F形成，所述内包层的折射率为n2，所述下陷层从所述内包层外边缘向外深掺F形成，所述下陷层的宽度和折射率分别为R3‑R2和n3，所述外包层的厚度和折射率分别为Rc‑R3和nc，所述光纤的折射率剖面为阶跃型分布。本发明提供的光纤在11000米深水中仍能使光纤传输性能不受影响。
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公开(公告)号：CN111221073A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911347783.X
申请日：2019-12-24
申请人： 中天科技精密材料有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种抗弯多模光纤，从光纤中心向外依次包括纤芯层、内包层、下陷层和外包层，其中，纤芯层相对外包层的折射率随半径的增加呈α幂指数函数分布，α为纤芯层折射率剖面分布参数，纤芯层中心的折射率最大，内包层相对外包层的折射率与半径呈负相关，下陷层的折射率小于外包层的折射率。本发明中的多模光纤在纤芯层与下陷层之间设置了内包层，并且内包层的折射率与半径呈负相关，可以使纤芯层与下陷层之间的折射率逐渐过渡，避免纤芯层与下陷层之间的折射率发射突变，从而减少芯-包边界对高阶模传输速率的干扰，以提高光纤传输带宽，并且由于缩小了纤芯层与下陷层之间的折射率差，因此还能够减少粘度差对光纤性能的影响。
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公开(公告)号：CN106707407B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201611265186.9
申请日：2016-12-30
申请人： 中天科技精密材料有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种宽带半阶跃型多模光纤，其包括纤芯层和包层。所述纤芯层中掺杂有GeO2和/或P2O5和/或F，所述纤芯层包括同心设置的渐变区以及平台区，所述渐变区由所述纤芯层的中心向外延伸距离R1形成，所述平台区从距离所述纤芯层的中心R1处向外延伸距离R2‑R1至所述纤芯层的边界形成，所述宽带半阶跃型多模光纤的折射率的分布满足以下公式：其中，r为距离所述纤芯层的纤芯轴的径向距离，R2为所述纤芯层的半径，Rmax为所述包层的半径，n0为所述纤芯层中心的折射率，nR1为所述渐变区的边界的折射率，nc为所述包层的折射率，Δ0为纤芯层中心和渐变区的边界相对折射率差：
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公开(公告)号：CN106772788A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710100067.6
申请日：2017-02-23
申请人： 中天科技精密材料有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/036
摘要： 本发明提供一种截止波长位移单模光纤，包括芯层、依次包覆的内包层、凹陷包层、中包层和外包层。所述芯层的半径R1的范围为5.5～8.5μm，所述芯层相对所述外包层的折射率差△n1的范围为0.1％～0.3％；所述内包层的厚度R2‑R1的范围为5～25μm，所述内包层相对所述外包层的折射率差△n2的范围为‑0.2％～0％；所述凹陷包层的厚度R3‑R2的范围为4.5～12μm，所述凹陷包层相对所述外包层的折射率差△n3的范围为‑0.45％～‑0.25％；所述中包层的厚度R4‑R3的范围大于10μm，所述中包层相对所述外包层的折射率差△n4的范围为△n2～0％；所述外包层的半径R5的范围为60～65μm。本发明提供的光纤不仅具有低衰减、大有效面积及低弯曲损耗等优异性能，且可实现光纤截止波长的可控性。
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公开(公告)号：CN114075037A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010851516.2
申请日：2020-08-21
申请人： 中天科技精密材料有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司
IPC分类号： C03B37/027 , C03B37/014
摘要： 本发明提供的一种掺碱金属光纤及其制备方法。所述方法包括以下步骤：通过改良化学气相沉积法和/或等离子体化学气相沉积法制备低掺锗芯棒石英管；采用沉积和扩散交替进行方式实现碱金属元素自所述芯棒石英管的内壁到外壁的有效掺杂来调节其粘度，得到掺杂石英管；经腐蚀、塌缩收棒、拉丝得到所述掺碱金属光纤。本发明采用沉积和扩散交替技术，提高芯棒石英管可掺碱金属元素的有效长度，实现碱金属元素掺杂对大长度芯棒粘度的调节，同时光纤芯层掺杂低浓度的锗元素，使得光纤具有优异的损耗特性和较低的制造成本。
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公开(公告)号：CN110606652A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810621880.2
申请日：2018-06-15
申请人： 中天科技精密材料有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司
IPC分类号： C03B23/047 , C03B33/06 , C03B21/02
摘要： 本发明提供玻璃基管生产系统及生产方法，该系统包括压力控制装置、加热熔融装置、旋转拉制装置及切割系统；该方法为熔融状态的玻璃通过牵拉形成玻璃基管，牵拉过程中，玻璃基管与母管同步旋转；在玻璃基管存在带孔活塞的情况下，通过激光切割器等装置实现在线切割，同时减少了对拉制设备高度的要求。
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公开(公告)号：CN106707407A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611265186.9
申请日：2016-12-30
申请人： 中天科技精密材料有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司
CPC分类号： G02B6/0281 , G02B6/02 , G02B6/0286
摘要： 本发明提供一种宽带半阶跃型多模光纤，其包括纤芯层和包层。所述纤芯层中掺杂有GeO2和/或P2O5和/或F，所述纤芯层包括同心设置的渐变区以及平台区，所述渐变区由所述纤芯层的中心向外延伸距离R1形成，所述平台区从距离所述纤芯层的中心R1处向外延伸距离R2‑R1至所述纤芯层的边界形成，所述宽带半阶跃型多模光纤的折射率的分布满足以下公式：其中，r为距离所述纤芯层的纤芯轴的径向距离，R2为所述纤芯层的半径，Rmax为所述包层的半径，n0为所述纤芯层中心的折射率，nR1为所述渐变区的边界的折射率，nc为所述包层的折射率，Δ0为纤芯层中心和渐变区的边界相对折射率差：
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公开(公告)号：CN114075037B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202010851516.2
申请日：2020-08-21
申请人： 中天科技精密材料有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司
IPC分类号： C03B37/027 , C03B37/014
摘要： 本发明提供的一种掺碱金属光纤及其制备方法。所述方法包括以下步骤：通过改良化学气相沉积法和/或等离子体化学气相沉积法制备低掺锗芯棒石英管；采用沉积和扩散交替进行方式实现碱金属元素自所述芯棒石英管的内壁到外壁的有效掺杂来调节其粘度，得到掺杂石英管；经腐蚀、塌缩收棒、拉丝得到所述掺碱金属光纤。本发明采用沉积和扩散交替技术，提高芯棒石英管可掺碱金属元素的有效长度，实现碱金属元素掺杂对大长度芯棒粘度的调节，同时光纤芯层掺杂低浓度的锗元素，使得光纤具有优异的损耗特性和较低的制造成本。
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公开(公告)号：CN108975677B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201710408975.1
申请日：2017-06-02
申请人： 中天科技精密材料有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司
IPC分类号： C03B37/029
摘要： 本发明提供一种拉丝炉，包括炉体、加热组件，所述炉体为中空结构，所述炉体包括用于容置所述加热组件的腔体，所述炉体的两端分别设有进料口和出料口，所述加热组件包括若干加热件与中心管，所述若干加热件环绕设置于所述中心管周侧，所述加热件的温度沿所述进料口朝向所述出料口的方向依次递增。本发明所提供的拉丝炉，通过将所述若干加热件环绕设置于所述中心管周侧，所述加热件的温度沿所述进料口朝向所述出料口的方向依次递增，较好的维护了炉内的温场，提高了加热效果，提高了制成光纤丝的质量，减少了预制棒母材的Si‑O键断裂的情况。
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