-
公开(公告)号：CN114725263A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210267283.0
申请日：2022-03-17
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L33/40
摘要： 本发明公开了一种低阻高反射欧姆接触电极，包括p型半导体晶片，所述p型半导体晶片上沉积有金属电极层；还包括依次沉积于p型半导体晶片表面的第一金属银层、金属镍层、第二金属银层和金属铝层，所述第一金属银层与p型半导体晶片上的金属电极层接触。本发明还公开了一种低阻高反射欧姆接触电极的制备方法。本发明采用金属银‑金属镍‑金属银薄膜叠层形成低阻、高光透射的欧姆接触，并与铝膜结合，以制备欧姆接触电极，具有制备方法简单、电导率高、欧姆接触电阻率低、反射率高的有益效果。
-
公开(公告)号：CN116565053A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310310674.0
申请日：2023-03-27
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种基于极化效应多异质结光电探测器，包括探测器以及制备于探测器上的器件，所述探测器所用材料为Ⅲ族氮化物材料，所述器件包括从下到上依次设置的衬底、缓冲层、下接触层、下势垒层、上势垒层和上接触层；所述上接触层和下接触层表面分别设有上接触电极和下接触电极；所述上势垒层和下势垒层构成主异质结结构，且所述上势垒层和下势垒层的界面上累积负极化电荷；所述上势垒层为单一组分层，所述下势垒层为多组分层。本发明基于III族氮化物的极化效应原理，采用多异质结能带结构对电子和空穴的输运进行调控，从而改善光生电子的渡越效率，光生空穴的界面累积，提高了探测器的光增益和响应速度。
-
公开(公告)号：CN114582740A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210168314.7
申请日：2022-02-23
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种在Ⅲ族氮化物半导体上制备钝化膜的方法，包括以下制备步骤：S10：在基底表面沉积一层金属铝薄膜，得第一中间体；其中，所述基底为Ⅲ族氮化物半导体裸晶片，或，所述基底为预先在Ⅲ族氮化物半导体裸晶片上沉积有金属电极的复合晶片；S20：将所述第一中间体送入氧气环境或干燥的压缩空气环境中高温退火氧化铝，使基底上的金属铝薄膜与氧气反应生成氧化铝介质膜，得第二中间体。本发明还公开了一种通过上述制备方法获得的钝化膜。与现有技术相比，本发明的制备方法简单可靠、成本低，改善了钝化膜的抗耐压和低漏电特性，且透光性好，更符合用户所需。
-
公开(公告)号：CN115084293A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210511838.1
申请日：2022-05-11
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/036 , H01L31/109
摘要： 本发明公开了一种异质结光电探测器，包括衬底和/或缓冲层，以及层工作器件，所述工作器件包括在衬底和/或缓冲层上从下到上依次设置的界面下层和界面上层；所述界面下层和/或界面上层设有阳极接触电极和阴极接触电极；所述界面下层和界面上层为异质结构，且所述界面下层和界面上层中产生极化电荷。本发明主要利用异质结界面上、下层中的极化电荷及由此产生的极化电场来耗尽异质界面一侧作为吸收层和沟道层的薄膜层，使得该薄膜层在无光照条件下呈高阻态，使探测器具有极低的暗电流；而在光照下，光生电子‑空穴分离，减弱极化电场的耗尽效果，即由光生伏特作用使沟道层逐步恢复导电；同时，光生少子的滞留诱导光电导增益。
-
公开(公告)号：CN115084293B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210511838.1
申请日：2022-05-11
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/036 , H01L31/109
摘要： 本发明公开了一种异质结光电探测器，包括衬底和/或缓冲层，以及层工作器件，所述工作器件包括在衬底和/或缓冲层上从下到上依次设置的界面下层和界面上层；所述界面下层和/或界面上层设有阳极接触电极和阴极接触电极；所述界面下层和界面上层为异质结构，且所述界面下层和界面上层中产生极化电荷。本发明主要利用异质结界面上、下层中的极化电荷及由此产生的极化电场来耗尽异质界面一侧作为吸收层和沟道层的薄膜层，使得该薄膜层在无光照条件下呈高阻态，使探测器具有极低的暗电流；而在光照下，光生电子‑空穴分离，减弱极化电场的耗尽效果，即由光生伏特作用使沟道层逐步恢复导电；同时，光生少子的滞留诱导光电导增益。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.104 秒)