公开(公告)号：CN118315248A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410237350.3

申请日：2024-03-01

申请人： 中山大学

发明人： 佘峻聪 ,  陈阳 ,  黄一峰 ,  陈军 ,  邓少芝 ,  许宁生

IPC分类号： H01J19/46 ,  H01J19/48 ,  H01J19/02 ,  H01J19/28 ,  H01J21/00

摘要： 本发明涉及真空微纳电子源的技术领域，更具体地，涉及一种可调控供应电流的电子源结构，包括衬底、第一绝缘层、第一电极、第二绝缘层、第二电极，所述衬底为P型掺杂半导体，所述第一电极和所述第二电极开设有存在空间重叠区域的微孔，所述衬底上设有发射体，所述发射体容纳置于所述微孔内；利用第一电极电位调控衬底表面载流子类型、浓度及耗尽层宽度，从而调控衬底可向发射体供应的电子电流；利用第二电极电位诱导电子从发射体顶端隧穿进入真空；该结构中第一电极与第二电极垂直构筑，集成度高，结构简单，工艺成熟，第一电极能够屏蔽第二电极对衬底表面载流子的作用，提升第一电极对供应电流调控能力稳定性，提供可低压调控的稳定发射电流。

公开(公告)号：CN118398461A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410326665.5

申请日：2024-03-21

申请人： 中山大学

发明人： 黄一峰 ,  陈阳 ,  佘峻聪 ,  陈军 ,  邓少芝 ,  许宁生

IPC分类号： H01J37/06 ,  H01J1/46

摘要： 本发明涉及真空微纳电子源的技术领域，更具体地，涉及一种提升供应电流的电子源结构及其制备方法，利用厚度均匀的绝缘层贴合覆盖与发射体串联的P型半导体凸起结构表面，覆盖绝缘层外表面的控制电极相对P型半导体处于高电位，在凸起结构侧表面形成大面积的载流子耗尽层，利用其中的热产生电子向发射体供应场发射电流，从而增大单位衬底面积向发射体供应的热产生电流，提升发射电流强度及电流密度，有效解决了现有技术中基于P型半导体衬底的集成控制电极电子源中供应电流密度小、发射电流强度及电流密度受限的问题。

公开(公告)号：CN117594394A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311554101.9

申请日：2023-11-20

申请人： 中山大学

发明人： 佘峻聪 ,  陈阳 ,  黄一峰 ,  陈军 ,  邓少芝 ,  许宁生

IPC分类号： H01J9/02 ,  H01J1/46 ,  H01J1/304

摘要： 本发明涉及真空微纳电子源的技术领域，更具体地，涉及一种集成栅极电子源的排布方法及真空电子设备，能够提升制备于P型半导体衬底上的场发射阴极电子供应来源区域面积的一致性，提升场发射阴极供应电流的均匀性，提供发射电流均匀稳定的集成栅极电子源，有效解决了现有技术中基于P型半导体衬底的集成栅极场发射电子源中各个场发射阴极电子供应来源区域面积不一致、供应电流和发射电流不均匀的技术问题。