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公开(公告)号：CN117293165A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311194718.4
申请日：2023-09-15
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种低损耗硅基氮化镓射频器件外延结构及其制备方法。所述外延结构从下至上依次为高阻Si衬底、AlN成核层、AlGaN背势垒缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层，其中AlGaN背势垒缓冲层进行故意铁掺杂。本发明提供的外延结构缓冲层的高阻性增强，背景载流子浓度减小，外延层材料的射频损耗得到有效抑制。该外延结构简单易于实现，且对晶体质量没有影响，适用于射频器件的应用。
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公开(公告)号：CN114130374B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111299277.5
申请日：2021-11-04
Applicant: 华南理工大学 , 中山市华南理工大学现代产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种磁性羧基化共价有机骨架材料作为磁性固相萃取吸附剂的应用，所述材料的制备方法包括如下步骤：(1)首先以盐酸多巴胺为配位稳定剂，将氯化铁和氯化亚铁经共沉淀法合成表面氨基化的磁性氧化铁颗粒；(2)然后将表面氨基化的磁性氧化铁颗粒进行活化，并以三醛基间苯三酚和4,4`‑二氨基联苯‑2,2`‑二羧酸为构筑单元，在乙酸的可逆催化作用下，通过溶剂热法在氨基化磁性氧化铁颗粒表面进行共价交联，制得该磁性羧基化共价有机骨架材料。本发明制备的羧基化共价有机骨架材料具有较大比表面积和良好的介孔结构，结构稳定且吸附容量大，平衡时间短且具有多重吸附作用力，极大地简化了样品前处理的步骤，缩短了样品处理时间。
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公开(公告)号：CN117457711A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311194717.X
申请日：2023-09-15
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于Si衬底的超晶格异质结外延结构及其制造方法。所述外延结构包括：Si衬底、AlN成核层、AlGaN应力调控层、高阻GaN缓冲层、GaN/AlN超晶格沟道层、AlN/GaN超晶格势垒层和GaN帽层。本发明采用GaN/AlN超晶格结构作为沟道层、AlN/GaN超晶格结构作为势垒层，同时提高提高缓冲层和势垒层侧的二维电子气限域性，缓解HEMT器件在电应力和高温下的退化，改善器件的可靠性；与此同时，超晶格异质结中更强的极化强度加深了二维势阱深度，提高器件的饱和输出电流密度，从而增强器件的电流驱动能力，非常适合于射频器件等应用。
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公开(公告)号：CN114130374A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111299277.5
申请日：2021-11-04
Applicant: 华南理工大学 , 中山市华南理工大学现代产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种磁性羧基化共价有机骨架材料作为磁性固相萃取吸附剂的应用，所述材料的制备方法包括如下步骤：(1)首先以盐酸多巴胺为配位稳定剂，将氯化铁和氯化亚铁经共沉淀法合成表面氨基化的磁性氧化铁颗粒；(2)然后将表面氨基化的磁性氧化铁颗粒进行活化，并以三醛基间苯三酚和4,4`‑二氨基联苯‑2,2`‑二羧酸为构筑单元，在乙酸的可逆催化作用下，通过溶剂热法在氨基化磁性氧化铁颗粒表面进行共价交联，制得该磁性羧基化共价有机骨架材料。本发明制备的羧基化共价有机骨架材料具有较大比表面积和良好的介孔结构，结构稳定且吸附容量大，平衡时间短且具有多重吸附作用力，极大地简化了样品前处理的步骤，缩短了样品处理时间。
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公开(公告)号：CN117374100A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311201290.1
申请日：2023-09-15
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/02 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构及其制备方法。所述氮化镓材料外延结构的制备方法包括：提供一硅衬底，在硅衬底上形成氮化铝成核层；在氮化铝成核层上生长AlGaN缓冲层；在生长AlGaN缓冲层之前，在氮化铝成核层上预先单独通入5s‑30s镓源，形成镓涂层；在AlGaN缓冲层上生长氮化镓薄膜。本发明实施例中，在氮化铝和AlGaN缓冲层之间插入了一层镓涂层，有效调整了AlGaN层生长初始阶段的三维岛状密度和尺寸，提高了AlGaN薄膜的生长质量，能够增加AlGaN薄膜对氮化镓薄膜提供的预压应力，使外延生长的氮化镓薄膜表面无裂纹。本工艺步骤简单，引入的额外成本小，且能有效的改善由于晶格失配导致的硅衬底上氮化镓薄膜的裂纹问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221282125U
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202322515770.7
申请日：2023-09-15
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 本实用新型公开了一种基于Si衬底的超晶格异质结外延结构。所述外延结构包括：Si衬底、AlN成核层、AlGaN应力调控层、高阻GaN缓冲层、GaN/AlN超晶格沟道层、AlN/GaN超晶格势垒层和GaN帽层。本实用新型采用GaN/AlN超晶格结构作为沟道层、AlN/GaN超晶格结构作为势垒层，同时提高提高缓冲层和势垒层侧的二维电子气限域性，缓解HEMT器件在电应力和高温下的退化，改善器件的可靠性；与此同时，超晶格异质结中更强的极化强度加深了二维势阱深度，提高器件的饱和输出电流密度，从而增强器件的电流驱动能力，非常适合于射频器件等应用。
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公开(公告)号：CN221239616U
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202322529146.2
申请日：2023-09-15
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/02 , H01L29/778
Abstract: 本实用新型公开了一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构，包括从下至上依次层叠的硅衬底、AlN成核层、镓涂层、AlGaN缓冲层和氮化镓外延薄膜。本实用新型在硅衬底上形成氮化铝成核层；在氮化铝成核层上生长AlGaN缓冲层；在生长AlGaN缓冲层之前，在氮化铝成核层上预先单独通入5s‑30s镓源，形成镓涂层；在AlGaN缓冲层上生长氮化镓薄膜。本实用新型实施例中，在氮化铝和AlGaN缓冲层之间插入了一层镓涂层，有效调整了AlGaN层生长初始阶段的三维岛状密度和尺寸，提高了AlGaN薄膜的生长质量，能够增加AlGaN薄膜对氮化镓薄膜提供的预压应力，使外延生长的氮化镓薄膜表面无裂纹。本工艺步骤简单，引入的额外成本小，且能有效的改善由于晶格失配导致的硅衬底上氮化镓薄膜的裂纹问题。
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公开(公告)号：CN118402620A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410239672.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯度淀粉‑多酚“V”型复合物及其制备方法及其与在提高肠道益生菌中的应用，将淀粉分散液充分糊化后，先后加入普鲁兰酶和α‑淀粉酶水解，得到水解淀粉；将上述水解淀粉糊化，并加入多酚混合，经高压均质处理，得到高纯度淀粉‑多酚“V”型复合物。本发明采用酶和高压均质协同作用，使淀粉分子链充分展开，降低了体系的空间位阻，促进淀粉‑多酚“V”型复合物的生成。与高压均质制备的淀粉‑多酚复合物相比，双酶协同高压均质法可显著促进淀粉与多酚的相互作用，显著提高淀粉‑多酚“V”型复合物的复合率及抗消化淀粉含量。同时，所制备的复合物显著提高了肠道发酵过程中菌群F/B值及乳杆菌丰度和双歧杆菌的丰度。
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公开(公告)号：CN117958403A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410311164.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: A23L19/00 , A23L33/105 , A23L33/22 , A23L29/00
Abstract: 本发明公开了一种健康香蕉面条及其制备方法与在提高肠道益生菌中的应用，在选取不同生长期Plantain大蕉品种获取抗消化淀粉含量较高的原材料基础上，在一定水分含量及温度环境中进行不同比例淀粉酶‑芪类多酚‑谷朊粉多组分体系相互作用，促进Plantain大蕉全粉形成相对致密的三维网络结构，同时加入三聚磷酸钠和焦磷酸钠的复合改良剂进行品质改良，开发出一款新型香蕉面条产品，显著提高了产品拉伸性能、蒸煮特性、抗回生等品质特性以及赋予了低升糖指数、调控肠道益生菌等营养功能。
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公开(公告)号：CN114521650B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210102872.3
申请日：2022-01-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: A23P10/30 , A23L33/105 , A23L29/00 , A23L29/30 , A61K36/736
Abstract: 本发明属于益生菌促进剂的技术领域，公开了一种枣杏糖蛋白包载枣杏色素纳米肠道益生菌促进剂及其制备和应用。方法：1)采用乙醇水溶液提取大枣和杏仁中的色素，过滤，将滤液干燥，获得枣杏色素；2)将上述过滤的滤渣在pH为7‑10的缓冲液中进行提取，获得多糖和蛋白质的混合物；3)将多糖和蛋白质的混合物反应，得枣杏糖蛋白结合物；4)将枣杏色素和枣杏糖蛋白结合物分别配成溶液，在搅拌的条件下，将枣杏色素溶液与枣杏糖蛋白结合物溶液混合，过微孔滤膜，获得枣杏糖蛋白包载枣杏色素纳米肠道益生菌促进剂。本发明的促进剂能抑制大肠埃希菌，促进肠道乳酸杆菌和双歧杆菌的显著增殖。
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