用于碲锌镉辐射探测器的复合电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN112436062B

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202011382658.5

    申请日:2020-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种用于碲锌镉辐射探测器的复合电极,其包括:生长在碲锌镉晶体材料表面的NiTe基薄膜电极、生长在NiTe基薄膜电极表面的Ni薄膜电极,以及生长在Ni薄膜电极表面的Au薄膜电极。相对于现有技术,本发明用于碲锌镉辐射探测器的复合电极可在碲锌镉晶体材料表面形成更好的欧姆接触、接触电阻更低,显著提高了碲锌镉辐射探测器的电荷收集性能。此外,本发明还公开了一种用于碲锌镉辐射探测器的复合电极的制备方法。相对于现有技术,本发明用于碲锌镉辐射探测器的复合电极的制备方法采用磁控溅射技术制备NiTe基薄膜电极,结晶质量好、附着力强、电导率高、速度快、质量稳定,且磁控溅射技术批量生长的成本低。

    用于碲锌镉辐射探测器的复合电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN112436062A

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN202011382658.5

    申请日:2020-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种用于碲锌镉辐射探测器的复合电极,其包括:生长在碲锌镉晶体材料表面的NiTe基薄膜电极、生长在NiTe基薄膜电极表面的Ni薄膜电极,以及生长在Ni薄膜电极表面的Au薄膜电极。相对于现有技术,本发明用于碲锌镉辐射探测器的复合电极可在碲锌镉晶体材料表面形成更好的欧姆接触、接触电阻更低,显著提高了碲锌镉辐射探测器的电荷收集性能。此外,本发明还公开了一种用于碲锌镉辐射探测器的复合电极的制备方法。相对于现有技术,本发明用于碲锌镉辐射探测器的复合电极的制备方法采用磁控溅射技术制备NiTe基薄膜电极,结晶质量好、附着力强、电导率高、速度快、质量稳定,且磁控溅射技术批量生长的成本低。

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