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公开(公告)号:CN103411684B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201310302419.8
申请日:2013-07-17
申请人: 中微半导体设备(上海)有限公司 , 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号: G01J5/52
CPC分类号: G01J5/0007
摘要: 本发明实施例提供一种测量反应腔室内薄膜温度的方法,所述方法包括:获取薄膜的探测区域内的采样点集合对波长为λ的光的反射率采样数据R以及所述采样点集合的热辐射值采样数据E;依据至少两个所述采样数据组的值计算获得第一修正因子α和第二修正因子γ,其中,0
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公开(公告)号:CN103411684A
公开(公告)日:2013-11-27
申请号:CN201310302419.8
申请日:2013-07-17
申请人: 中微半导体设备(上海)有限公司 , 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号: G01J5/52
CPC分类号: G01J5/0007
摘要: 本发明实施例提供一种测量反应腔室内薄膜温度的方法,所述方法包括:获取薄膜的探测区域内的采样点集合对波长为λ的光的反射率采样数据R以及所述采样点集合的热辐射值采样数据E;依据至少两个所述采样数据组的值计算获得第一修正因子α和第二修正因子γ,其中,0
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