公开(公告)号：CN116318042A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310170180.7

申请日：2023-02-27

Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司

Inventor： 黄亮 ,  肖功亚 ,  王志超 ,  庞旗旗 ,  李勇 ,  朱卫俊

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/145 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明涉及一种无介质桥的声表面波滤波器，包括压电衬底，输入信号端子，输出信号端子以及至少一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器件，该滤波器件包括设置在压电衬底上至少三个沿声表面波传播方向的叉指换能器，最外侧的两个叉指换能器单端接地，其余叉指换能器的同端电极以及最外侧的叉指换能器的非接地端均通过引线电连接在一起，每个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器件还包括第一反射器和第二反射器，第一反射器和第二反射器分别位于最外侧的两个叉指换能器的两侧。本发明的纵向耦合声表面波滤波器不需要引线架桥即可实现接地，工艺步骤更少、成本更低，且器件可靠性更高。本发明的纵向耦合声表面波滤波器在通带高频侧有较好的抑制度。

公开(公告)号：CN116169978A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202111409979.4

申请日：2021-11-25

Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司

Inventor： 周亚男 ,  夏前亮 ,  姜建利 ,  朱卫俊 ,  李勇 ,  何朝峰 ,  肖功亚 ,  彭晓雨 ,  庞旗旗 ,  黄亮 ,  王雨 ,  史志潭 ,  张颖 ,  戴梦圆 ,  李忠宇

IPC: H03H9/02

Abstract: 本发明公开了一种兰姆波谐振器，主要包括支撑衬底、位于支撑衬底之上的压电薄膜；位于压电薄膜之上的叉指电极；汇流条；空气腔；及/或位于支撑衬底与压电薄膜之间或叉指电极之上的交错排列的高/低声阻抗层；及/或在叉指电极底部的压电薄膜开槽并在叉指电极与汇流条中间周期性刻蚀通孔或盲孔；及/或在汇流条之下的压电薄膜上设有凹槽。本发明在叉指电极底部的压电薄膜设有凹槽并在叉指电极与汇流条中间排列刻蚀的通孔或盲孔，能抑制寄生声波模式；支撑衬底与压电薄膜之间或叉指电极之上交错排布高声阻抗层和低声阻抗层，能提高声波在第三方向的反射；在汇流条之下的压电薄膜上设有凹槽，能减少能量的泄露，提升谐振器的品质因子。

公开(公告)号：CN115706572A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110917845.7

申请日：2021-08-11

Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司

Inventor： 姜建利 ,  肖功亚 ,  崔坤 ,  黄亮 ,  李勇 ,  朱卫俊 ,  庞旗旗

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/02 ,  H03H9/145

Abstract: 本发明公开了一种声表面谐振器，包括IDT电极、压电膜层、低声速层、高声速层、高声速支撑组件和反射器，IDT电极和反射器均设于压电性基板上；IDT电极设置在压电膜层上，低声速层叠于压电膜层与高声速层之间，高声速层设于高声速支撑组件上，或者高声速层和高声速支撑组件为一体成型，IDT电极包括两侧的第一汇流条、第三IDT电极、第四IDT电极和第十二假电极指，第三IDT电极梳状指条与第四IDT电极梳状指条部分交叠插入形成声波传输通道，两IDT电极梳状指条的前端面构成声波传输通道边界，声波通道形状为波浪形弯曲状；还公开了一种滤波器。本发明的谐振器能抑制横波模式寄生，滤波器能实现减小插入损耗、提高Q值。