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公开(公告)号：CN117294276A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311178362.5
申请日：2023-09-13
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种同时抑制横向杂散模式和间隙模式的弹性波装置，属于通信电子器件技术领域，包括压电基底和叉指换能器，所述叉指换能器设置于压电基底上，所述叉指换能器包括连接横条、连接真指、假指、两个总线电极和周期性排列的两组电极指，两组所述电极指相互咬合，所述电极指排列方向与孔径方向垂直，相邻的两个所述电极指分别通过连接横条、连接真指连接到不同的所述总线电极上，所述连接真指和与其相对的所述电极指间形成第一间隙，假指和与其相对的所述电极指间形成第二间隙。本发明技术较好地抑制了弹性波装置的横向杂散模式和间隙模式，同时改善了Q值。
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公开(公告)号：CN116647207A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310177496.9
申请日：2023-02-28
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明涉及电子通信器件技术领域，尤其涉及一种声表面波滤波器及多工器。一种声表面波滤波器，包括支撑衬底、高声速层、低声速层、压电膜层、滤波器金属电极以及多个滤波器芯片，所述滤波器芯片为梯形滤波器或纵向耦合多模滤波器。本发明在薄膜型声表面波滤波器、多工器中，通过采用不同寄生模式抑制手段，能够提升薄膜型声表面波滤波器的设计自由度，并且通过精细调整寄生模式抑制方法，使得每个通道的滤波特性均达到最优。
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公开(公告)号：CN115642891A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110817446.3
申请日：2021-07-20
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种声表面波谐振器，包括压电膜层、低声速层、高声速层、支撑基底、IDT电极和反射器，低声速层层叠于压电膜层与高声速层之间；IDT电极和反射器设在压电膜层上，IDT电极包括第一IDT电极、第二IDT电极和上、下侧汇流条，第一IDT电极的外边缘连接上侧汇流条，第二IDT电极的外边缘连接下侧汇流条，第一IDT电极和第二IDT电极的梳状指条部分交叠插入形成呈平行四边形的交叠区域；第一IDT电极和第二IDT电极在沿孔径方向前端，分别设有附加层，并形成平行四边形低声速区域；低声速区域两侧形成三角形高声速区域。本发明的高声速区域、低声速区域和中心声速区域均形成不对称形状，能抑制横波模式寄生。
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公开(公告)号：CN116169978A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111409979.4
申请日：2021-11-25
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明公开了一种兰姆波谐振器，主要包括支撑衬底、位于支撑衬底之上的压电薄膜；位于压电薄膜之上的叉指电极；汇流条；空气腔；及/或位于支撑衬底与压电薄膜之间或叉指电极之上的交错排列的高/低声阻抗层；及/或在叉指电极底部的压电薄膜开槽并在叉指电极与汇流条中间周期性刻蚀通孔或盲孔；及/或在汇流条之下的压电薄膜上设有凹槽。本发明在叉指电极底部的压电薄膜设有凹槽并在叉指电极与汇流条中间排列刻蚀的通孔或盲孔，能抑制寄生声波模式；支撑衬底与压电薄膜之间或叉指电极之上交错排布高声阻抗层和低声阻抗层，能提高声波在第三方向的反射；在汇流条之下的压电薄膜上设有凹槽，能减少能量的泄露，提升谐振器的品质因子。
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公开(公告)号：CN221058271U
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202322484194.4
申请日：2023-09-13
Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种同时抑制横向杂散模式和间隙模式的弹性波装置，属于通信电子器件技术领域，包括压电基底和叉指换能器，所述叉指换能器设置于压电基底上，所述叉指换能器包括连接横条、连接真指、假指、两个总线电极和周期性排列的两组电极指，两组所述电极指相互咬合，所述电极指排列方向与孔径方向垂直，相邻的两个所述电极指分别通过连接横条、连接真指连接到不同的所述总线电极上，所述连接真指和与其相对的所述电极指间形成第一间隙，假指和与其相对的所述电极指间形成第二间隙。本实用新型技术较好地抑制了弹性波装置的横向杂散模式和间隙模式，同时改善了Q值。
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