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公开(公告)号：CN109581588A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811643507.3
申请日：2018-12-29
申请人： 中科天芯科技(北京)有限公司
CPC分类号： G02B6/122 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/14 , G02B2006/12061 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176
摘要： 本发明提供的一种复合硅基波导结构，包括：弱束缚波导，包括第一芯层，所述第一芯层与弱束缚波导的模场直径匹配；强束缚波导，包括第二芯层以及覆盖所述第二芯层的顶部及侧壁的所述第三芯层；模斑转换结构，包括相连的、分别与所述弱束缚波导和所述强束缚波导连通的弱束缚部和强束缚部；所述弱束缚部和所述强束缚部分别为与所述弱束缚波导和所述强束缚波导一致的波导结构。
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公开(公告)号：CN109696755A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811598100.3
申请日：2018-12-25
申请人： 中科天芯科技(北京)有限公司
IPC分类号： G02F1/01
CPC分类号： G02F1/01 , G02F1/0102 , G02F1/0147
摘要： 本发明公开了一种光束成像装置，包括：图形层，对称依次层叠在图形层两侧的过渡层和包层；所述图形层、所述过渡层和所述包层的折射率依次减小。该光束成像装置，过渡层和包层对称依次层叠在图形层的两侧，且图形层的折射率大于与图形层紧邻的过渡层的折射率，过渡层的折射率大于包层的折射率，图形层的折射率最大，过渡层和包层对图形层中传输的光波进行多重限制，能够有效限制光波在图形层中传输，降低传输损耗，提高了光传输效率。
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公开(公告)号：CN109556833A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811647786.0
申请日：2018-12-29
申请人： 中科天芯科技(北京)有限公司
IPC分类号： G01M11/00
CPC分类号： G01M11/00
摘要： 本发明提供的一种波导阵列的相差测量装置，包括监控波导、片外耦合器和探测器；所述监控波导设于相邻阵列波导之间，与所述阵列波导之间通过倏逝波耦合形成耦合光束；所述耦合光束通过所述片外耦合器传输至所述探测器；所述探测器将所述耦合光束转化并输出电流信号。通过单根波导实现功率提取和合束，并通过探测器测量干涉功率，结构紧凑，便于设置在相控阵芯片输出端或天线附近，实现准确的相差测量。
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公开(公告)号：CN109830488A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201711184560.7
申请日：2017-11-23
申请人： 中科天芯科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L33/10
摘要： 本发明公开了一种光束成像装置，包括：衬底层、图形层、钝化层和电极层，所述衬底层包括底层和表层，所述图形层位于所述衬底层的所述表层的上方，所述图形层包括底层和表层，所述底层为禁带宽度不小于2.3eV，所述表层为禁带宽度不小于2.3eV且折射率不高于所述底层；所述电极层位于所述图形层的所述表层的上方，所述电极层包括正电极和负电极，所述正电极和所述负电极分别与所述图形层的所述表层相接触；所述电极层为电阻率不大于5×10-7Ω·m且与所述图形层的接触势垒不大于1.5eV的具有低电阻率和低接触势垒的金属、合金或金属/氧化物复合材料。本发明具有如下优点：可以实现低成本、低传输损耗、高稳定性和高均匀性的成像过程。
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公开(公告)号：CN109581330A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811647585.0
申请日：2018-12-29
申请人： 中科天芯科技(北京)有限公司
IPC分类号： G01S7/481
CPC分类号： G01S7/4817
摘要： 本发明提供的一种集成光学相控阵芯片，包括设置于相控波导阵列一侧的平板区，所述相控波导阵列的光束输出至所述平板区；所述平板区包括层叠设置的衬底层、芯层和包层，相对于所述相控波导阵列的另一端设置有角度扩展结构；所述角度扩展结构为可改变入射光线传播路径的光学结构。通过在一维相控芯片输出平板区增加片上透镜或光栅结构，扩大扫描角度范围，提高芯片工作性能，同时结构紧凑，具有高可靠性的优点。相比现有技术采用多个芯片组合扩展角度的方案，降低了系统的复杂度、控制难度、以及系统的成本。使用片外光栅或透镜控制扫描角度的方案，本发明利于芯片的小型化，使组装过程更为简单，同时增加了系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN109581329A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811643766.6
申请日：2018-12-29
申请人： 中科天芯科技(北京)有限公司
IPC分类号： G01S7/481
CPC分类号： G01S7/4814 , G01S7/4817
摘要： 本发明提供的一种相控阵集成光学芯片包括依次连接的合波器、1xN分束器、相控波导阵列和输出区；所述合波器具有与激光器芯片出射光束对应的输入端，输出端与所述1xN分束器连接；所述1xN分束器用于将一路光分为多路并输出至所述相控波导阵列。通过接入所述出射光束，可将多个光源输出功率合成，不增加散热难度的前提下，使发射装置具有高输出功率。本发明同时提供一种光学相控阵发射装置，包括所述相控阵集成光学芯片以及集成于所述相控阵集成光学芯片的激光器芯片。将相控功能集成于同一模块或芯片的方案，结构更为紧凑。
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公开(公告)号：CN207529933U
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201721589774.8
申请日：2017-11-23
申请人： 中科天芯科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L33/10
摘要： 本实用新型公开了一种光束成像装置，包括：衬底层；形成在所述衬底层之上的图形层，所述图形层包括图形层底层和图形层表层，所述图形层底层位于所述衬底层之上，所述图形层表层位于所述图形层底层之上；位于所述图形层底层之上的钝化层；位于所述钝化层之上的电极层，所述电极层的电极与所述图形层表层接触；其中，所述图形层表层的折射率大于所述图形层底层的折射率，所述图形层表层的折射率大于所述钝化层的折射率。本实用新型具有如下优点：可以实现低成本的低传输损耗的成像。
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公开(公告)号：CN209311049U
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201822275859.X
申请日：2018-12-29
申请人： 中科天芯科技(北京)有限公司
IPC分类号： G01M11/00
摘要： 本实用新型提供的一种波导阵列的相差测量装置，包括监控波导、片外耦合器和探测器；所述监控波导设于相邻阵列波导之间，与所述阵列波导之间通过倏逝波耦合形成耦合光束；所述耦合光束通过所述片外耦合器传输至所述探测器；所述探测器将所述耦合光束转化并输出电流信号。通过单根波导实现功率提取和合束，并通过探测器测量干涉功率，结构紧凑，便于设置在相控阵芯片输出端或天线附近，实现准确的相差测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209296977U
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201822275872.5
申请日：2018-12-29
申请人： 中科天芯科技(北京)有限公司
摘要： 本实用新型提供的一种全保偏光学相控发射装置，包括：光源，发射偏振消光比绝对值不低于10dB的出射光束；分束器，包括一个分束输入端和多个分束输出端，所述分束输入端与所述光源连接并导入所述出射光束；光学相控波导阵列，连接所述分束输出端，具有绝对值不低于10dB的偏振消光比；所述光源的偏振方向与所述光学相控波导阵列工作模式偏振方向精确对准。光源和相控阵芯片均具有高偏振消光比，光源输入偏振方向与芯片工作模式偏振方向精确对准，以单一偏振模式工作，相位调制难度较低，输出光束质量较高。
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