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公开(公告)号：CN116243367A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310019713.1
申请日：2023-01-06
申请人： 中科超睿(青岛)技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： G01T3/00
摘要： 本发明提供了一种中子管测试装置以及测试方法。一种中子管测试装置，包括：真空机构、气氛控制机构、馈入机构与支撑机构，真空机构与气氛控制机构均安装在支撑机构上，馈入机构安装在真空机构中，气氛控制机构与真空机构连接。本装置用于测试中子靶的寿命和中子靶的中子产额，在生产环节，检验中子靶的合格率。在中子管封装之前进行中子靶测试，避免整支中子管报废，避免材料浪费，防止耽误研发测试时间。在研发阶段用来研究不同膜厚对中子靶产额的影响，不同磁场强度、不同引出孔结构等因素对离子源的影响，以及不同结构离子源或不同结构的加速电极对中子产额的影响，降低密封中子管的经济成本和时间成本。
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公开(公告)号：CN116052920A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310017192.6
申请日：2023-01-06
申请人： 中科超睿(青岛)技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本申请涉及中子照相技术领域，具体提供一种慢化准直系统及中子照相设备，旨在解决现有中子照相设备的各个慢化准直通道内中子通量密度分布不均的问题。为此目的，本申请的慢化准直系统包括：慢化体，其为高散射材质，所述慢化体内开设有中子入射通道、中间腔室以及多个准直通道，所述中间腔室位于所述中子入射通道和每个所述准直通道之间，以使中子束流能够沿所述中子入射通道进入所述中间腔室，并从所述准直通道排出；以及多个准直器，所述准直器的数量与所述准直通道的数量相同，每个所述准直器分别设置于一个所述准直通道内。本申请提高了各侧方准直器内的中子通量密度，使各个准直器内的中子通量密度更均匀，进而保证了成像系统的成像质量。
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公开(公告)号：CN115802577A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211454663.1
申请日：2022-11-21
申请人： 中科超睿(青岛)技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及中子源技术领域，具体提供一种高载热中子靶系统，旨在解决中子靶系统散热能力欠佳的问题。为此目的，本发明的高载热中子靶系统包括基底和射流筒，基底包括第一端部和第二端部；射流筒包覆于基底的外侧面上；还包括扰流结构，扰流结构包括用于流通冷却介质的第一散热结构和第二散热结构，沿第一端部至第二端部方向，第一散热结构设置在基底上，并贯穿基底；第二散热结构设置在射流筒上，第二散热结构与第一散热结构连通，第二散热结构中的冷却介质以预设方向流入第一散热结构中，以对第一散热结构中的冷却介质形成扰流。本发明中利用第二散热结构有效增加了第一散热结构中的冷却介质的扰流程度，从而大大提高中子靶系统的换热效果。
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公开(公告)号：CN113573458B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110652333.2
申请日：2021-06-11
申请人： 中科超睿(青岛)技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及一种纳米梯度化中子靶及其制备方法，纳米梯度中子靶包括衬底、纳米梯度层以及纳米膜层，所述纳米梯度层位于所述衬底和所述纳米膜层之间，所述纳米梯度层包括多层纳米级厚度的薄膜；从衬底到纳米膜层，所述薄膜的成分呈现纳米级梯度渐变。本发明纳米梯度化中子靶所采用的纳米梯度结构能够有效提高中子靶结合力。本发明创新的将纳米梯度化结构引入中子靶，通过在衬底和纳米膜层之间引入在成分上纳米梯度变化的过渡层，缓解了衬底材料与纳米膜层晶格匹配度差造成膜基结合力不强的问题。同时由于纳米层状结构形成的纳米晶减缓中子靶吸氘或/和吸氚后的体积膨胀问题。
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公开(公告)号：CN116559209A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310490757.2
申请日：2023-04-28
申请人： 中科超睿(青岛)技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： G01N23/05
摘要： 本发明提供一种中子照相方法和系统。中子照相方法包括获取以中子照相得到的待校正图像和中子照相期间的中子注量率，其中待校正图像至少两张，中子注量率与待校正图像一一对应；根据中子注量率，对待校正图像进行归一化处理。中子照相系统包括中子源、图像采集装置和至少一个注量率测量仪。中子源配置成在束流空间内释放中子束；图像采集装置配置成采集中子并生成待校正图像；注量率测量仪设置在中子源和图像采集装置之间，用于测量中子束的中子注量率。本发明提供的中子照相方法和系统，通过获取中子注量率，对待校正图像进行归一化修正处理，降低由于中子源强的波动造成的图像数据失真的问题，达到提高中子照相的图像质量的效果。
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公开(公告)号：CN113267518B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110388678.1
申请日：2021-04-12
申请人： 中科超睿(青岛)技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： G01N23/04
摘要： 本发明涉及一种射线成像系统和射线无损检测设备，包括相机、具有两个相对移动且截面为凵字形的部件且呈L形的暗箱、曲率可调的反射镜、以及用于将中子影像转化成可见光影像的转换屏，所述相机设在所述暗箱的任一开口处，所述转换屏覆设在所述暗箱的另一个开口处且所述转换屏滑动连接在两个部件之间，所述反射镜设置在暗箱的弯折处，通过暗箱的两个部件之间的相对移动可灵活调整暗箱的视野，且采用曲率可调的反射镜，可以确保反射镜能将不同的暗箱的视野的可见光影像完整地反射到相机，能够满足不同的视野需求，灵活性强，极大降低了成本。
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公开(公告)号：CN115767871A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211436485.X
申请日：2022-11-16
申请人： 中科超睿(青岛)技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及一种中子管及其应用，包括离子源装置、中子靶、X射线靶和加速电极装置，离子源装置用于电离气体，并产生离子束；中子靶和X射线靶同轴分布在离子源装置的一侧；加速电极装置用于施加电压并分别与离子源装置和中子靶之间形成电场一和电场二，该电场一对离子束进行加速，使得离子束轰击中子靶以产生中子和电子，且该电场二在中子靶相对于加速电极装置加正偏压时，可抑制电子以产生中子，在中子靶相对于加速电极装置加负偏压时，可反向加速电子并使其轰击X射线靶以产生X射线。本发明既可以产生中子，也可以产生X射线，功能多样，以满足不同的需求；且该中子发生器可应用于石油测井及物品检测领域，既可以检测物品的元素，且分辨率高。
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公开(公告)号：CN116739914A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310493965.8
申请日：2023-04-28
申请人： 中科超睿(青岛)技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明提供了一种图像几何不锐度修正的反卷积方法和系统，包括：基于放射源、样品和像探测器的相对位置以及所述放射源的出口参数，计算放射图像的几何不锐度；根据所述几何不锐度，估计出采用二维柯西分布模型表达的点扩散函数；根据所述点扩散函数，采用RL算法，对所述放射图像进行复原。本发明提供的图像几何不锐度修正的反卷积方法和系统，能够解决现有中子图像的几何不锐度问题，达到提高无损检测分析精度的目的。
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公开(公告)号：CN116563148A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310490756.8
申请日：2023-04-28
申请人： 中科超睿(青岛)技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： G06T5/00
摘要： 本发明提供一种图像混合降质复原方法。包括获得观察图像，根据所述观察图像，构建反卷积模型，以对所述观察图像的几何不锐度进行修正，以及构建低秩去噪模型，对所述观察图像进行去噪处理，根据所述反卷积模型和所述低秩去噪模型，得到原始图像。本申请提供的复原方法，能够很好地去除照相图像的混合噪声和空间几何不锐度，达到较好的复原效果。
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公开(公告)号：CN116017833A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211597803.0
申请日：2022-12-12
申请人： 中科超睿(青岛)技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及一种压电式离子源中子管及中子发生器，该中子管包括中子靶、加速电极和压电离子源，压电离子源用于形成高压后电离气体，并形成离子束；中子靶安装在压电离子源的一侧，加速电极安装在中子靶和压电离子源之间，其用于连接外部高压并生成加速电场，该加速电场对离子束进行加速，使离子束轰击中子靶以产生中子。本发明的有益效果是结构简单，设计合理，采用压电式离子源，并利用材料的压电效应，直接在电极表面产生高压电场；该离子源直接在电极表面电离，无需外部升压电路，且无需专门的电离发生器，减小中子管体积，且具有制作方便、电压转换效率高、耐高压、耐潮湿、稳定性好等诸多优点，能够有效降低加工制造难度，降低生产成本。
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