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    倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法
    2.
    发明公开
    倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN109659380A

    公开(公告)日：2019-04-19

    申请号：CN201811545378.4

    申请日：2018-12-17

    申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司

    发明人： 邱家梁 ,  周肃 ,  黄惜惜 ,  黄青松 ,  贾佳 ,  张鑫义 ,  勾宪芳 ,  黄国平

    IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明提供倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法，属于晶体硅太阳能电池领域。倒金字塔绒面制备方法适于链式反应设备，包括：步骤a.将硅片浸入含Ag+、HF以及HNO3的预处理溶液中进行银沉积及表面织构化，在硅片表面形成含银颗粒的纳米级腐蚀坑；步骤b.将步骤a得到的硅片使用硅腐蚀液处理，去除硅片表面的银颗粒；步骤c.将步骤b得到的硅片使用碱性溶液处理，将纳米级腐蚀坑扩大为亚微米倒金字塔腐蚀坑。通过一步法对硅片表面进行处理形成纳米级别的绒面，再利用碱性溶液与硅的各向异性反应特性对纳米绒面进行修饰从而形成亚微米的倒金字塔陷光结构。太阳能电池的制备方法包括对倒金字塔绒面制备方法制得的硅片进行加工。

    一种检测晶硅电池光致衰减的设备和方法
    3.
    发明公开
    一种检测晶硅电池光致衰减的设备和方法 无效

    公开(公告)号：CN109379045A

    公开(公告)日：2019-02-22

    申请号：CN201811429112.3

    申请日：2018-11-27

    申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司

    发明人： 黄惜惜 ,  周肃 ,  黄青松 ,  贾佳 ,  邱家梁 ,  张鑫义 ,  勾宪芳 ,  黄国平 ,  张会学 ,  明杰 ,  陈中一

    IPC分类号： H02S50/15

    CPC分类号： H02S50/15

    摘要： 本发明提供了一种检测晶硅电池光致衰减的设备和方法，涉及晶硅太阳电池制技术领域。一种检测晶硅电池光致衰减的设备，包括放置平台、光照模拟器、加热装置、电源以及电压表。该设备结构简单，可快速检测晶硅电池LID(光致衰减)是否合格。一种检测晶硅电池光致衰减的方法，采用上述检测晶硅电池光致衰减的设备对晶硅电池进行检测。该方法可以实现通过一台设备即可快速检测到晶硅电池LID是否合格，不需要使用电池片效率测试仪，不影响产线生产，步骤简单，操作方便；从而实现实时监控电池片LID的目的，降低批量产生电池片LID不合格的风险。