一种PECVD石墨舟载具的制造方法

    公开(公告)号:CN110760822A

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201911220599.9

    申请日:2019-12-03

    IPC分类号: C23C16/458

    摘要: 本发明公开了一种PECVD石墨舟载具的制造方法,将浸渍浆料均匀涂覆在石墨舟半成品零件的表面上,放入具有保护气氛的反应炉中进行高温裂解反应,浸渍浆料在石墨舟半成品零件的表面上形成碳化硅膜层,得到石墨舟成品零件再组装成石墨舟。添加硅粉的聚碳硅烷浸渍浆料在石墨舟半成品零件的碳材料表面高温裂解,通过硅-碳相互作用在碳材料表面原位生长形成一层碳化硅膜层,在疏松多孔的碳材料表面形成一层致密稳定的保护层,耐高温、氧化、冷热冲击,在石墨舟生产过程中能提高其使用寿命,减少石墨舟维护时间以及成本,降低企业生产成本。

    倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN109659380A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811545378.4

    申请日:2018-12-17

    IPC分类号: H01L31/0236 H01L31/18

    摘要: 本发明提供倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法,属于晶体硅太阳能电池领域。倒金字塔绒面制备方法适于链式反应设备,包括:步骤a.将硅片浸入含Ag+、HF以及HNO3的预处理溶液中进行银沉积及表面织构化,在硅片表面形成含银颗粒的纳米级腐蚀坑;步骤b.将步骤a得到的硅片使用硅腐蚀液处理,去除硅片表面的银颗粒;步骤c.将步骤b得到的硅片使用碱性溶液处理,将纳米级腐蚀坑扩大为亚微米倒金字塔腐蚀坑。通过一步法对硅片表面进行处理形成纳米级别的绒面,再利用碱性溶液与硅的各向异性反应特性对纳米绒面进行修饰从而形成亚微米的倒金字塔陷光结构。太阳能电池的制备方法包括对倒金字塔绒面制备方法制得的硅片进行加工。

    一种降低P型太阳能电池光致衰减的烧结方法和应用

    公开(公告)号:CN109585606A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811469684.4

    申请日:2018-11-28

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 本发明涉及一种降低P型太阳能电池光致衰减的烧结方法和应用,属于太阳能电池技术领域。一种降低P型太阳能电池光致衰减的烧结方法,包括:将经过丝网印刷后的电池片进行烘干、烧结,快速到达烧结峰值温度后,以5~40K/s的降温速率进行降温烧结,最后进行冷却。该方法使烧结工艺的降温时间有所延长,降低了烧结工艺的降温速率,减少了晶硅材料中的缺陷数量,从而降低了光衰幅度。晶硅太阳电池在70℃、800W/m2光衰处理45h后的效率衰减率从常规的6.5%左右,降低至2.2%左右,在保证转换效率不会降低的同时较大幅度的降低了效率衰减率,且无需增加生产工序,易于实现,适用于规模化生产。

    一种晶体硅小绒面结构低压氧化工艺

    公开(公告)号:CN107681022A

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:CN201710909369.8

    申请日:2017-09-29

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/068

    摘要: 本发明公开了一种晶体硅小绒面结构低压氧化工艺,对于绒面尺寸为0.1~2μm的晶体硅片,通过低压氧化工艺,在晶体硅小绒面结构的表面生成了一层均匀的SiO2层,不仅可以降低表面复合速率,提升少子寿命,解决晶体硅小绒面结构的表面钝化问题,而且可以降低发射极表面掺杂浓度,解决小绒面结构表面掺杂浓度过高的问题,使得“死层”的影响明显减弱,提高电池的短波响应;同时,在低压状态下进行氧化工艺,提高了扩散炉炉管内气体的稳定性、均匀性及环境洁净度,大大提高了氧化后方阻的均匀性,提高电池效率,同时还可以解决常压氧化硅片表面外观异常问题,硅片表面白点等外观异常数量明显减少,有效提高了电池产品质量。