-
公开(公告)号：CN101328571B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200710042419.3
申请日：2007-06-22
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于物理气相沉积装置的辅助治具及其维护方法。采用现有的辅助治具在预热及沉积过程中容易出现加热板和晶圆表面的颗粒污染现象，且辅助治具需经常维护清洗，成本较高。本发明的用于物理气相沉积装置的辅助治具，用于具有一腔体和一加热板的物理气相沉积装置，所述的辅助治具包括：沉积环，套设在沉积环上的圆环盖板，用于覆盖腔体内侧的数块挡板，以及加热板预热时使用的挡片，其中，所述沉积环的外径与圆环盖板的内径大小相匹配，当圆环盖板套设在沉积环上时，两者不发生相对移动。采用本发明的辅助治具及维护方法可减少气相沉积过程中产生的颗粒污染现象，并延长辅助治具的维护周期，降低维护成本，提高晶圆的产量。
-
公开(公告)号：CN101901749B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910052188.3
申请日：2009-05-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明揭露了一种减少晶片处理过程中电弧产生的方法，包括：取晶片，利用机械手将该晶片置于反应室的加热盘上，其中该晶片半径大于所述加热盘半径；在晶片表面沉积与晶片颜色不同的薄膜；测量晶片置于加热盘的一面上至少四个径向方向上所沉积的薄膜的宽度，其中所述四个径向方向依次成90度；利用成180度的径向方向上的薄膜宽度之差控制所述机械手的运动。可见，其利用晶片背面形成薄膜的情况来调整机械手(robot)的换手(handoff)位置，解决了困扰技术人员已久的换手位置难于调节的问题。同时，利用该方法进行换手调节，可提高晶片中心与加热盘中心的对准程度，进而减少电弧的产生，提高半导体产品的良率。
-
公开(公告)号：CN101328571A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710042419.3
申请日：2007-06-22
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于物理气相沉积装置的辅助治具及其维护方法。采用现有的辅助治具在预热及沉积过程中容易出现加热板和晶圆表面的颗粒污染现象，且辅助治具需经常维护清洗，成本较高。本发明的用于物理气相沉积装置的辅助治具，用于具有一腔体和一加热板的物理气相沉积装置，所述的辅助治具包括：沉积环，套设在沉积环上的圆环盖板，用于覆盖腔体内侧的数块挡板，以及加热板预热时使用的挡片，其中，所述沉积环的外径与圆环盖板的内径大小相匹配，当圆环盖板套设在沉积环上时，两者不发生相对移动。采用本发明的辅助治具及维护方法可减少气相沉积过程中产生的颗粒污染现象，并延长辅助治具的维护周期，降低维护成本，提高晶圆的产量。
-
公开(公告)号：CN101901749A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910052188.3
申请日：2009-05-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明揭露了一种减少晶片处理过程中电弧产生的方法，包括：取晶片，利用机械手将该晶片置于反应室的加热盘上，其中该晶片半径大于所述加热盘半径；在晶片表面沉积与晶片颜色不同的薄膜；测量晶片置于加热盘的一面上至少四个径向方向上所沉积的薄膜的宽度，其中所述四个径向方向依次成90度；利用成180度的径向方向上的薄膜宽度之差控制所述机械手的运动。可见，其利用晶片背面形成薄膜的情况来调整机械手(robot)的换手(handoff)位置，解决了困扰技术人员已久的换手位置难于调节的问题。同时，利用该方法进行换手调节，可提高晶片中心与加热盘中心的对准程度，进而减少电弧的产生，提高半导体产品的良率。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.046 秒)
