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发明公开
相变随机存储器的制造方法无效转让

公开(公告)号：CN102468428A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010534163.X

申请日：2010-11-05

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 任万春 , 向阳辉 , 宋志堂 , 刘波

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明提供一种相变随机存储器的上电极的制造方法。包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层内填充有GST相变材料；在所述第二绝缘层和GST相变材料上依次沉积低温氧化层、氮化硅层和第三绝缘层；依次刻蚀所述第三绝缘层和氮化硅层，以暴露出底部的低温氧化层，形成刻蚀孔；离子注入处理或等离子体处理所述刻蚀孔底部内的低温氧化层；移除所述刻蚀孔底部内的低温氧化层；在所述刻蚀孔内形成上电极。本发明采用依次沉积低温氧化层和氮化硅层做为上电极刻蚀的阻挡层，湿法刻蚀法低温氧化层时，低温氧化层与GST相变材料之间具有大于15的刻蚀选择比，从而避免了刻蚀时GST相变材料的损耗。