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公开(公告)号：CN104752313B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201310743202.0
申请日：2013-12-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，可以通过深绝缘沟槽以及介电盖帽层对位于埋入式绝缘层下方的第一半导体衬底与位于埋入式绝缘层上方的第二半导体衬底上的晶体管以及互连线进行有效隔离，最大程度地降低基板耦合作用，提高半导体器件的性能。本发明的半导体器件，具有深绝缘沟槽以及介电盖帽层，可以对位于埋入式绝缘层下方的第一半导体衬底与位于埋入式绝缘层上方的第二半导体衬底上的晶体管以及互连线进行有效隔离，最大程度地降低基板耦合作用，提高半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN104716055B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201310675699.7
申请日：2013-12-11
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L2224/11
摘要： 一种晶圆级封装方法，包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括第一表面和第二表面，在所述半导体晶圆的第一表面形成凹槽；在所述半导体晶圆以及所述凹槽的底部和侧壁形成粘附辅助层；在所述粘附辅助层上形成隔绝层；沿着所述凹槽刻蚀所述隔绝层和粘附辅助层，去除所述凹槽底部的隔绝层和粘附辅助层，露出所述半导体晶圆；在所述隔绝层、所述凹槽的侧壁，以及所述凹槽底部裸露的半导体晶圆上形成金属互连线层；之后，在所述金属互连线层上形成焊盘、钝化层、焊球等结构，完成晶圆级封装。上述技术方案中，在半导体晶圆上形成一层粘附辅助层，之后，在于所述粘附辅助层上方形成所述隔绝层，从而有效提高所述隔绝层和半导体晶圆的结合强度。
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公开(公告)号：CN102376884B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010267466.X
申请日：2010-08-24
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 一种相变存储器相变材料的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有金属电极，所述金属电极分别位于半导体衬底的P型区域与N型区域上，所述介电层中还具有露出所述金属电极的通孔；在所述介电层与金属电极上形成相变材料，所述相变材料填充满所述介电层中的通孔；对所述半导体衬底进行化学机械抛光，移除所述介电层上的相变材料，所述化学机械抛光过程中，抛光面的光照度低于100勒克斯。本发明的相变存储器相变材料的制作方法通过降低化学机械抛光时抛光面的光照度，有效避免了光致腐蚀现象对相变层的影响，减少了相变层表面凹陷，产品良率也得以提高。
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公开(公告)号：CN102468428A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010534163.X
申请日：2010-11-05
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供一种相变随机存储器的上电极的制造方法。包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层内填充有GST相变材料；在所述第二绝缘层和GST相变材料上依次沉积低温氧化层、氮化硅层和第三绝缘层；依次刻蚀所述第三绝缘层和氮化硅层，以暴露出底部的低温氧化层，形成刻蚀孔；离子注入处理或等离子体处理所述刻蚀孔底部内的低温氧化层；移除所述刻蚀孔底部内的低温氧化层；在所述刻蚀孔内形成上电极。本发明采用依次沉积低温氧化层和氮化硅层做为上电极刻蚀的阻挡层，湿法刻蚀法低温氧化层时，低温氧化层与GST相变材料之间具有大于15的刻蚀选择比，从而避免了刻蚀时GST相变材料的损耗。
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公开(公告)号：CN102376884A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010267466.X
申请日：2010-08-24
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 一种相变存储器相变材料的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有金属电极，所述金属电极分别位于半导体衬底的P型区域与N型区域上，所述介电层中还具有露出所述金属电极的通孔；在所述介电层与金属电极上形成相变材料，所述相变材料填充满所述介电层中的通孔；对所述半导体衬底进行化学机械抛光，移除所述介电层上的相变材料，所述化学机械抛光过程中，抛光面的光照度低于100勒克斯。本发明的相变存储器相变材料的制作方法通过降低化学机械抛光时抛光面的光照度，有效避免了光致腐蚀现象对相变层的影响，减少了相变层表面凹陷，产品良率也得以提高。
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公开(公告)号：CN101901841A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910052270.6
申请日：2009-05-31
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一MIM电容器及其制造方法，其中，所述电容器包括衬底；第一金属层，其形成于所述衬底之上；介电层，其覆盖所述第一金属层的表面；第二金属层，其形成于所述介电层的表面，其中，所述第一金属层是由多个金属颗粒连续排列而成。所述电容器的制造方法包括：提供一衬底；形成一第一金属层于所述衬底之上，使得所述第一金属层具有多个金属颗粒连续排列而成的结构；形成一介电层于所述第一金属层之上；形成一第二金属层于所述介电层之上。采用本发明提供的电容器及其制造方法，能够有效地提高MIM电容器的电容密度，并且工艺简单便捷，功耗较小。
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公开(公告)号：CN101311802B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710041098.5
申请日：2007-05-23
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G02F1/1362
摘要： 一种硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，包括下列步骤：首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；在金属层上形成金属氧化层；对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。本发明还提供一种硅基液晶显示器反射镜面、硅基液晶显示器及制作方法。在金属层上形成金属氧化层用以保护金属层，使金属层在热处理过程中由于金属氧化层的压制，使金属层中的原子迁移减慢，使反射镜面不会产生凸起，进而提高反射镜面的质量和可靠性，提高反射镜面的反射效果。
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公开(公告)号：CN100517038C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610119155.2
申请日：2006-12-05
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/00
摘要： 一种硅基液晶显示器单元，通过把位于像素开关电路层上的光屏蔽层接地，形成了由微反射微反射镜层-绝缘层-光屏蔽层所构成的金属-绝缘层-金属(MIM)第二电容器，所述第二电容器和像素开关电路层的第一电容器相并联共同作为像素开关电路层的电容，本发明还提供了一种硅基液晶显示器单元的形成方法。本发明充分利用了整个像素的面积，增大了电容，降低了硅基液晶显示器单元的刷新频率。同时，本发明也增大了开关电路的设计面积，可以根据不同需求设计高性能开关电路，增大了开关电路的设计灵活性。本发明还简化了制作电容的工序，从而降低了总的芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN101330051A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710042342.X
申请日：2007-06-21
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/28 , H01L21/321 , H01L27/088 , G02F1/1362 , G02F1/1343
摘要： 一种制造LCOS器件的方法。所述方法包括提供半导体基片，并形成多个MOS晶体管器件，所述多个MOS晶体管器件形成在半导体基片的一部分上。所述方法包括形成覆盖多个晶体管器件的第一电介质层以及形成覆盖第一电介质层的第一金属层。所述方法包括形成覆盖第一金属层的第二电介质层以及形成基本上由覆盖第二电介质层的含银材料制成的多个像素区。在一优选实施例中，所述含银材料对于450纳米和更大的波长具有非常高的反射率。
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公开(公告)号：CN101315501A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710041354.0
申请日：2007-05-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G03F7/00
摘要： 一种改善微反射镜间介质层缺陷的方法，包括下列步骤：首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上沉积介质层，且介质层填充满沟槽；对介质层进行酸蚀；在介质层上形成光阻层；蚀刻光阻层和介质层至露出金属层，形成微反射镜阵列。本发明还提供一种制作硅基液晶显示器的方法。本发明对介质层进行酸蚀，使介质层在沟槽处的开口高宽比及开口宽度增大，进而在后续蚀刻工艺中在与沟槽相接的金属层上不产生绝介质层侧墙，减少了微反射镜漫反射，提高微反射镜反射率。
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