公开(公告)号：CN105513983B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201410504766.3

申请日：2014-09-26

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 王伟 ,  包德君 ,  陈政 ,  张海芳 ,  戚德奎 ,  李新 ,  张蓓蓓

IPC分类号： H01L21/603 ,  H01L23/485

摘要： 本发明提供一种晶圆键合的方法以及一种晶圆键合结构，所述晶圆键合的方法包括：在晶圆键合工艺之前，在晶圆上形成层间介质层，所述层间介质层包括依次形成的第一介质层和绝缘层；在所述层间介质层中形成互连结构，所述互连结构的一部分凸出于层间介质层表面，为互连结构的贴合端；在贴合端侧壁上形成侧墙。本发明的有益效果在于，所述绝缘层将层间介质层表面完全覆盖，所述侧墙将贴合端侧壁覆盖，对多个晶圆进行键合工艺之后，相邻的贴合端具有绝缘层和侧墙隔断，不容易发生短路。此外，在侧墙的保护下，贴合端没有暴露于外界环境中，不容易受氧气和水汽的影响而形成氧化物，同样减小了短路的风险。

公开(公告)号：CN105826332A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201510011892.X

申请日：2015-01-09

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 陈政 ,  张海芳 ,  包德君 ,  王伟 ,  李新 ,  张蓓蓓

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括底部晶圆和键合于所述底部晶圆上的顶部晶圆，所述底部晶圆朝向顶部晶圆的表面具有金属端子；刻蚀所述顶部晶圆，在所述顶部晶圆中形成露出所述金属端子的开口。通过刻蚀的方法去除顶部晶圆的材料不容易产生碎屑，并且不容易对顶部晶圆中的半导体器件造成损伤。

公开(公告)号：CN105513983A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201410504766.3

申请日：2014-09-26

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 王伟 ,  包德君 ,  陈政 ,  张海芳 ,  戚德奎 ,  李新 ,  张蓓蓓

IPC分类号： H01L21/603 ,  H01L23/485

摘要： 本发明提供一种晶圆键合的方法以及一种晶圆键合结构，所述晶圆键合的方法包括：在晶圆键合工艺之前，在晶圆上形成层间介质层，所述层间介质层包括依次形成的第一介质层和绝缘层；在所述层间介质层中形成互连结构，所述互连结构的一部分凸出于层间介质层表面，为互连结构的贴合端；在贴合端侧壁上形成侧墙。本发明的有益效果在于，所述绝缘层将层间介质层表面完全覆盖，所述侧墙将贴合端侧壁覆盖，对多个晶圆进行键合工艺之后，相邻的贴合端具有绝缘层和侧墙隔断，不容易发生短路。此外，在侧墙的保护下，贴合端没有暴露于外界环境中，不容易受氧气和水汽的影响而形成氧化物，同样减小了短路的风险。