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公开(公告)号：CN105489522A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410535256.2
申请日：2014-10-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本申请提供了一种光刻版及晶圆或晶圆承载台沾污的检测方法。该光刻版包括版图，版图具有等第一间距分布的多个标记区域，标记区域的宽度为W1，第一间距与宽度相等，标记区域具有等第二间距分布的多个子标记，第二间距为W2。该版图的每一个子标记区域在干涉图形中均会出现一个干涉峰，当某处的标记出现异常时，对应的干涉峰也会出现偏移或振荡，能够读取到明显的干涉信号变化，因此其对沾污的检测灵敏度较高；且该版图还可以覆盖到晶圆的边缘，能够灵敏及时地检测到晶圆或晶圆承载台上的沾污，进而避免了由于沾污造成器件失效需要的返工的问题，提高了器件的产率及良率。
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公开(公告)号：CN106486345B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201510532180.2
申请日：2015-08-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种掩膜结构的制造方法，包括：提供掩膜版，包括基板以及位于所述基板上的图形金属层；提供保护膜装置，包括支架和黏附于支架顶部的保护膜；所述支架包括多个支撑侧壁，所述多个支撑侧壁相互连接构成一闭合结构，在一支撑侧壁上形成有开口；将所述保护膜装置置于静电场中，向所述开口吹入带电气体；使所述保护膜装置离开静电场，将所述图形金属层黏附在所述支架底部。将所述支架黏附在所述图形金属层上之前，本发明通过向开口吹入气体，使开口处的杂质被吹落；同时，将保护膜装置置于由静电发生装置提供的静电场中，被吹落且带电的杂质，在静电场作用下被吸附并远离保护膜装置，从而去除开口处的杂质，进而提高掩膜版的质量。
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公开(公告)号：CN105489522B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201410535256.2
申请日：2014-10-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本申请提供了一种光刻版及晶圆或晶圆承载台沾污的检测方法。该光刻版包括版图，版图具有等第一间距分布的多个标记区域，标记区域的宽度为W1，第一间距与宽度相等，标记区域具有等第二间距分布的多个子标记，第二间距为W2。该版图的每一个子标记区域在干涉图形中均会出现一个干涉峰，当某处的标记出现异常时，对应的干涉峰也会出现偏移或振荡，能够读取到明显的干涉信号变化，因此其对沾污的检测灵敏度较高；且该版图还可以覆盖到晶圆的边缘，能够灵敏及时地检测到晶圆或晶圆承载台上的沾污，进而避免了由于沾污造成器件失效需要的返工的问题，提高了器件的产率及良率。
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公开(公告)号：CN104567665B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201310520271.5
申请日：2013-10-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种控片及涂胶显影机中喷嘴的检测方法，所述控片中心设置有标尺，在所述控片上涂敷光阻，并进行临界曝光，之后显影，然后观察所述控片中心是否存在斑点，若存在斑点则依标尺读出半径r，并由公式y=‑0.317r2+3.2r+0.02，算得偏移量y，然后结合第一方向进行调整喷嘴，就能够使得喷嘴的调整精确，并不需要打开其所在的单元，便捷有效。
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公开(公告)号：CN105336635A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410341944.5
申请日：2014-07-17
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本申请公开了一种CD-SEM装置的校正方法、应用CD-SEM装置的方法及CD-SEM装置。其中校正方法包括：步骤S1、获取SEM图形并采用设置在CD-SEM装置内部的图形特征尺寸检测单元对SEM图形进行在线检测，以获取SEM图形的第一特征尺寸T1；步骤S2、将SEM图形输出，并采用设置在CD-SEM装置外部的图形特征尺寸检测装置对SEM图形进行脱线检测，以获取SEM图形的第二特征尺寸T2；步骤S3、计算第一特征尺寸T1和第二特征尺寸T2之间的差值，获取偏差值；步骤S4、对比偏差值与SEM图形的特征尺寸的允许误差范围，以调整CD-SEM装置各运行参数。上述校正方法能改善CD-SEM装置的检测准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104779178A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410014457.8
申请日：2014-01-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02104 , H01L21/0337
Abstract: 本发明提供一种底部防反射层(BARC)形成方法，向晶圆中心滴BARC后仅旋转晶圆3～8秒，此过程时间较短BARC还未固化，随后向晶圆边缘滴洗边液，并旋转晶圆13～18秒，使BARC厚度均匀，同时由于洗边时BARC还未固化，可有效的去除晶圆边缘的BARC，以在晶圆表面形成厚度均匀的BARC。
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公开(公告)号：CN101286001A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710039477.0
申请日：2007-04-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种聚焦评估的方法，包括下列步骤：制作包含第一器件图形和第二器件图形的控片；依次测量控片上同一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形临界尺寸差值；在与控片同一批次的晶圆上形成第一器件图形和第二器件图形；测量晶圆上任意一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸；将晶圆上任意一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸进行相减；将晶圆上任意一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值与控片上对应曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值比较。经过上述步骤，测量方便，花费时间少。
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公开(公告)号：CN105336635B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201410341944.5
申请日：2014-07-17
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本申请公开了一种CD‑SEM装置的校正方法、应用CD‑SEM装置的方法及CD‑SEM装置。其中校正方法包括：步骤S1、获取SEM图形并采用设置在CD‑SEM装置内部的图形特征尺寸检测单元对SEM图形进行在线检测，以获取SEM图形的第一特征尺寸T1；步骤S2、将SEM图形输出，并采用设置在CD‑SEM装置外部的图形特征尺寸检测装置对SEM图形进行脱线检测，以获取SEM图形的第二特征尺寸T2；步骤S3、计算第一特征尺寸T1和第二特征尺寸T2之间的差值，获取偏差值；步骤S4、对比偏差值与SEM图形的特征尺寸的允许误差范围，以调整CD‑SEM装置各运行参数。上述校正方法能改善CD‑SEM装置的检测准确性。
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公开(公告)号：CN106486345A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510532180.2
申请日：2015-08-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种掩膜结构的制造方法，包括：提供掩膜版，包括基板以及位于所述基板上的图形金属层；提供保护膜装置，包括支架和黏附于支架顶部的保护膜；所述支架包括多个支撑侧壁，所述多个支撑侧壁相互连接构成一闭合结构，在一支撑侧壁上形成有开口；将所述保护膜装置置于静电场中，向所述开口吹入带电气体；使所述保护膜装置离开静电场，将所述图形金属层黏附在所述支架底部。将所述支架黏附在所述图形金属层上之前，本发明通过向开口吹入气体，使开口处的杂质被吹落；同时，将保护膜装置置于由静电发生装置提供的静电场中，被吹落且带电的杂质，在静电场作用下被吸附并远离保护膜装置，从而去除开口处的杂质，进而提高掩膜版的质量。
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公开(公告)号：CN104567665A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310520271.5
申请日：2013-10-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种控片及涂胶显影机中喷嘴的检测方法，所述控片中心设置有标尺，在所述控片上涂敷光阻，并进行临界曝光，之后显影，然后观察所述控片中心是否存在斑点，若存在斑点则依标尺读出半径r，并由公式y=-0.317r2+3.2r+0.02，算得偏移量y，然后结合第一方向进行调整喷嘴，就能够使得喷嘴的调整精确，并不需要打开其所在的单元，便捷有效。
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