公开(公告)号：CN108807147A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810637647.3

申请日：2018-06-20

申请人： 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司

发明人： 徐良 ,  阳明益 ,  蓝文安 ,  刘建哲 ,  褚君尉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/02104 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/027

摘要： 本发明公开一种新型多层复合图形化蓝宝石衬底的制备方法，其方法为，利用光学镀膜技术在一片光洁的蓝宝石衬底晶片上依次沉积一定厚度的氧化硅(SiO2)薄膜、氧化锆(ZrO2)薄膜和氧化钛(TiO2)薄膜，接着在其上均匀涂布一层紫外正向光刻胶，然后进行步进式曝光和显影工序；再进行ICP干法蚀刻，刻蚀完成后进行清洗，最后在其上沉积一层氮化铝(AlN)薄膜，得到多层复合图形化蓝宝石衬底晶片。本发明首先通过三种折射率依次递减薄膜材料的组合，增加了出光反射次数，使全反射现象发生的几率最小，从而可有效提高Mini‑LED的垂直光通量。相对使用传统图形化蓝宝石衬底的LED芯片亮度提高约10％以上，其次通过沉积氮化铝薄膜，AlN薄膜能极大地降低了外延生长中的翘曲，使氮化镓可以在复合薄膜上生长，进一步降低氮化镓的缺陷密度，LED芯片的输出功率可提高2％以上。

公开(公告)号：CN108130523A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201810101540.7

申请日：2014-03-13

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 芦原洋司 ,  小川有人

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/316 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法及记录介质，防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理，具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第1排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于上述第1排气管的第1真空泵；设于上述第4排气管的第2真空泵；在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于上述第2排气管的第2阀；以及设于上述第3排气管的第3阀。

公开(公告)号：CN108091594A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711097184.8

申请日：2017-11-09

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 古泽纯和

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/02104

摘要： 本发明涉及基板处理装置、喷射器以及基板处理方法。即使在进行急剧的气体导入的情况下也能够抑制微粒被带入处理容器内。将基板处理装置构成为具有：处理容器，其用于收容多个基板；气体供给部，其用于将气体供给到所述处理容器内；以及排气部，其用于将所述处理容器内的气体排出。该基板装置还具备用于对所述气体供给部内进行扫气的扫气部，所述气体供给部连接于所述扫气部。

公开(公告)号：CN107723681A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201611064724.8

申请日：2016-11-28

申请人： 汉民科技股份有限公司

发明人： 薛士雍

IPC分类号： C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/45548 ,  C23C16/22 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45576 ,  C23C16/4584 ,  C23F1/12 ,  F28F13/003 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02104

摘要： 一种用于半导体工艺的气体喷射器及成膜装置，其中，该气体喷射器包含多个气体入口、多个气体流道及多个气体出口。该多个气体入口导入多种气体，并经由该多个气体流道输送至相应的气体出口。该多个气体流道中至少一个的一部分的截面积相对于该气体出口是逐渐改变。

公开(公告)号：CN104246981B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201380018920.X

申请日：2013-03-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 约瑟夫·M·拉内什

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02104 ,  G02B17/002 ,  H01L21/67115

摘要： 本文所述的实施例大体涉及用于加热基板的设备。所述设备通常包括处理腔室，所述处理腔室具有基板支撑件于所述处理腔室中。多个灯被定位以提供通过光学透明拱形结构的辐射能量至位于所述基板支撑件上的基板。聚光组件位于所述腔室内，用以影响所述基板上的加热及温度分布，并且用以促进在基板上形成具有均匀特性的膜，所述特性比如密度。所述聚光组件能包括一或更多个反射器、光管或折射透镜。

公开(公告)号：CN107680900A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710863838.7

申请日：2017-09-22

申请人： 纳晶科技股份有限公司

发明人： 杜勇

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/26

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/02104 ,  H01L33/005 ,  H01L33/26 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50

摘要： 本发明提供了一种量子点膜及其制作方法、量子点器件。该制作方法包括：步骤S1，准备盖板和多个微胶囊，将各微胶囊设置于盖板一侧表面上，各微胶囊包括囊壁和位于囊壁中的能发出第一光的量子点分散液；步骤S2，将盖板具有微胶囊的一侧朝向基底，基底包括第一像素区域，且第一像素区域包括多个第一子像素区域，使至少一个微胶囊对应一个第一子像素区域，使囊壁与基底表面接触；步骤S3，在盖板的远离微胶囊的一侧施加预设条件，使囊壁破裂且释放量子点分散液于第一子像素区域对应的基底表面上；步骤S4，移走具有破裂囊壁的盖板，固化被释放的量子点分散液，得到第一量子点膜。上述制作方法操作简单，制作成本较低。

公开(公告)号：CN106783691A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611262137.X

申请日：2016-12-30

申请人： 昆山龙腾光电有限公司

发明人： 徐荣桢 ,  齐贵波

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01J49/06

CPC分类号： H01L21/67 ,  H01J49/06 ,  H01L21/02104

摘要： 本发明涉及一种气相沉积设备，其特征在于，包括一种离子传输装置，所述离子传输装置包括射频供电端、管道和线圈，所述管道的第一端连接到所述射频供电端，所述线圈套装到所述管道的外壁上，所述线圈的两端施加恒定电压，结构简单。本发明还提供一种应用于气相沉积设备的避免离子与离子传输装置发生碰撞的方法，在所述管道内形成匀强磁场，使离子沿特定的轨迹运动，不会与所述管道发生碰撞，仅需在原有设备的基础上进行简单改进即可，降低了设备升级的成本。

公开(公告)号：CN106469642A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510507360.5

申请日：2015-08-18

申请人： 三菱铅笔株式会社

发明人： 冈本公康 ,  伊藤浩之 ,  市川秀寿 ,  泷川诚一

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02104

摘要： 本发明提供一种图案结构体(100)。该图案结构体(100)包括基材(10)和利用原子层沉积法在基材(10)的表面(10S)之上形成的图案膜(10S)倾斜且朝向与基材(10)的表面(10S)的法线方向相交叉的方向(A)突出的端部(14A)。(14)。图案膜(14)包括相对于基材(10)的表面

公开(公告)号：CN106449363A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610929384.4

申请日：2016-10-31

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 王涛

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02104 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/12

摘要： 本发明提供一种低温多晶硅层制造方法，包括在基板上形成缓冲层；对所述缓冲层表面进行表面等离子处理，形成粗糙表面；在所述处理后的缓冲层的粗糙表面上沉积非晶硅层；对所述非晶硅层退火处理形成多晶硅层。本发明还提供一种阵列基板。

公开(公告)号：CN103361632B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310109472.6

申请日：2013-03-27

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 高木康祐 ,  竹林雄二

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/4485 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置、气化系统和喷雾过滤器，本发明的目的在于，抑制在使用液体原料时所产生的微粒的量。本发明的目的是这样实现的：将基板(200)搬入处理室(201)，使液体原料依次流过气化器(271a)、组合多个在不同的位置具有孔(322、332)的至少2种板(320、330)而构成的喷雾过滤器(300)，使其气化，供给至处理室中对基板进行处理，之后从处理室搬出基板。