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公开(公告)号：CN107777655A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610728867.8
申请日：2016-08-25
摘要： 本发明提供了一种MEMS器件及其制备方法和电子装置。所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成有接合环，其中，在所述接合环的顶部形成有凹槽；提供第二晶圆，所述第二晶圆上形成有与所述接合环相对应的接合材料层，将所述接合材料层插入所述凹槽中，以使所述第一晶圆与所述第二晶圆接合为一体。通过所述设置可以防止在结合过程中所述接合材料熔融后溢出，可以进一步提高所述器件的良率和性能。
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公开(公告)号：CN109422234B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201710778403.2
申请日：2017-09-01
摘要： 本申请公开了一种测试结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供顶部晶圆结构，所述顶部晶圆结构包括：顶部晶圆和在所述顶部晶圆的底部彼此间隔开的多个第一焊盘；提供底部晶圆结构，所述底部晶圆结构包括：底部晶圆和在所述底部晶圆的顶部彼此间隔开的多个第二焊盘，相邻的两个第二焊盘中的至少一个第二焊盘的侧面具有绝缘层；将所述多个第一焊盘与所述多个第二焊盘通过共晶键合的方式键合，其中每个第一焊盘与一个第二焊盘键合，从而形成多个焊盘。本申请可以改善键合后的焊盘相连的问题。
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公开(公告)号：CN108117043A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201611067307.9
申请日：2016-11-28
摘要： 本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有零层标记；在所述第一晶圆上形成钝化层，以覆盖所述零层标记；图案化所述钝化层，以在所述零层标记上方的所述钝化层中形成对准标记；提供第二晶圆并与所述第一晶圆相接合；图案化所述第二晶圆，以形成开口并露出所述对准标记；在所述开口的表面以及所述对准标记的表面形成功能材料层。本发明中所述对准标记被第二晶圆暴露，并且在形成功能材料层(例如接触孔材料层)之后仍然能暴露出所述对准标记，不会被覆盖，因此可以避免无法对准的问题。
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公开(公告)号：CN108117043B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201611067307.9
申请日：2016-11-28
摘要： 本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有零层标记；在所述第一晶圆上形成钝化层，以覆盖所述零层标记；图案化所述钝化层，以在所述零层标记上方的所述钝化层中形成对准标记；提供第二晶圆并与所述第一晶圆相接合；图案化所述第二晶圆，以形成开口并露出所述对准标记；在所述开口的表面以及所述对准标记的表面形成功能材料层。本发明中所述对准标记被第二晶圆暴露，并且在形成功能材料层(例如接触孔材料层)之后仍然能暴露出所述对准标记，不会被覆盖，因此可以避免无法对准的问题。
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公开(公告)号：CN109422234A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710778403.2
申请日：2017-09-01
摘要： 本申请公开了一种测试结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供顶部晶圆结构，所述顶部晶圆结构包括：顶部晶圆和在所述顶部晶圆的底部彼此间隔开的多个第一焊盘；提供底部晶圆结构，所述底部晶圆结构包括：底部晶圆和在所述底部晶圆的顶部彼此间隔开的多个第二焊盘，相邻的两个第二焊盘中的至少一个第二焊盘的侧面具有绝缘层；将所述多个第一焊盘与所述多个第二焊盘通过共晶键合的方式键合，其中每个第一焊盘与一个第二焊盘键合，从而形成多个焊盘。本申请可以改善键合后的焊盘相连的问题。
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