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发明公开
半导体器件的形成方法审中-公开

公开(公告)号：CN112447519A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910833642.2

申请日：2019-09-04

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 龚申旻 , 郑二虎 , 张海洋

IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/308

摘要： 本发明提供一种半导体器件的形成方法，其形成方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成分立排布的芯层；在所述衬底上、所述芯层的侧壁及顶部形成侧墙层；采用氧化刻蚀工艺处理所述侧墙层，至露出所述衬底及所述芯层顶部，所述氧化刻蚀工艺包括：采用氧化工艺，对所述侧墙层进行氧化处理；采用刻蚀工艺，对经过氧化处理后的所述侧墙层进行刻蚀处理。本发明提高了芯层侧壁上的侧墙层的质量，为形成质量好的鳍部做准备，从而使得形成的半导体器件的质量得到提高。