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公开(公告)号：CN110492439A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910610038.3
申请日：2019-07-08
申请人： 中车永济电机有限公司
IPC分类号： H02H7/12
摘要： 本发明涉及SiCMOSFET的保护电路，具体为适用于大功率SiCMOSFET的保护电路。解决现有大功率器件保护电路短路故障响应速度慢，过压抑制响应速度慢的问题。该保护电路包括短路保护电路和过压抑制保护电路；短路保护电路包括由多个电阻串联而成的电阻支路，电阻支路的一端与SiCMOSFET的D极连接、另一端与电容C1的一端连接并把该端作为短路信号输出端VDS，电容C1的另一端与－4V电源连接；过压抑制保护电路包括由多个TVS管单向串联而成的TVS管支路，TVS管支路中的每个TVS管两端并联一个电容，TVS管支路的负极端与SiCMOSFET的D极连接，TVS管支路的正极端作为抑制过压信号输出端ACL。
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公开(公告)号：CN112994417A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911274405.3
申请日：2019-12-12
申请人： 中车永济电机有限公司
IPC分类号： H02M1/08
摘要： 本申请提供一种抑制电流变化速率装置及变流器系统。本申请提供的抑制电流变化装置包括稳压二极管以及功率半导体器件，稳压二极管串联于功率半导体器件的门极与功率发射极之间，稳压二极管的正极与功率半导体器件的功率发射极的端口连接，稳压二极管的负极与功率半导体器件的门极的端口连接。当功率半导体器件开通时刻，稳压二极管的输出电压为门极的端口与功率发射极的端口之间的电压，随着寄生电感上的感应电压的增大，功率半导体器件的门极驱动电压在预设时间内被降低，从而有效抑制电流变化速率，对功率半导体器件甚至整个变流器系统起到可靠地保护。
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公开(公告)号：CN111030452A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911314490.1
申请日：2019-12-19
申请人： 中车永济电机有限公司
摘要： 本发明涉及功率器件的驱动装置，具体为大功率全SiC-MOSFET模块的驱动装置。解决现有全SiC-MOSFET模块的驱动装置受性能和结构限定无法满足大功率全SiC-MOSFET模块驱动要求的问题。该驱动装置包括信号输入电路、故障反馈电路、电源变换电路、电源调理电路；电源变换电路包括带过流保护的DC-DC电源模块，DC-DC电源模块的输入电压为4～40V，输出为15V±3%，纹波系数小于5%；电源调理电路包括电压调节电路，从而输出电压可调的驱动电源；驱动输出信号通过连接器压装在全SiC-MOSFET模块。本发明可驱动1700V及以下电压等级的全SiC-MOSFET模块。
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公开(公告)号：CN113037058A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911343396.9
申请日：2019-12-24
申请人： 中车永济电机有限公司
摘要： 本发明提供的SiC功率器件驱动装置和牵引系统，该装置包括电压转换电路、数字化驱动电路、开关电路，电压转换电路将牵引控制单元提供的供电电压进行电压转换，生成用于驱动所述SiC功率器件导通第一驱动电压和用于驱动所述SiC功率器件关断第二驱动电压。数字化驱动电路根据牵引控制单元输入的驱动控制信号，控制所述第一开关或所述第二开关导通。本发明提供的SiC功率器件驱动装置和牵引系统，通过在SiC功率器件驱动装置设置数字化驱动电路，因此，可以采用数字化的方式驱动SiC功率器件导通或关断，进而可以满足SiC功率器件快速开关的需求，使其可以应用于轨道交通牵引领域，发挥其高频和低损耗的特性。
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公开(公告)号：CN110504659A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910773038.5
申请日：2019-08-21
申请人： 中车永济电机有限公司
摘要： 本发明涉及IGBT的保护电路，具体为IGBT驱动短路保护检测电路。解决现有IGBT驱动短路保护检测电路短路保护时间受母线电压影响，易造成短路保护不及时的问题。该电路包括第一与非门U4，驱动板输入脉冲信号CMD-H处理电路，IGBT集射极电压状态采集电路；驱动板输入脉冲信号CMD-H处理电路的输出端TP-CMD-H与第一与非门U4的第一输入端相连，驱动板输入脉冲信号CMD-H接入第一与非门U4的第二输入端，IGBT集射极电压状态采集电路的输出端HZ_Vce与第一与非门U4的第三输入端相连，第一与非门U4的输出端作为IGBT驱动短路保护检测电路的输出FAILb。本发明无论母线电压变大或变小，短路保护的响应时间不变。
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公开(公告)号：CN108988295A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810940820.7
申请日：2018-08-17
申请人： 中车永济电机有限公司
摘要： 本发明永磁直驱系统中牵引逆变器的隔离保护设备，具体为永磁直驱系统中利用IGBT实现的一种快速断路保护装置，包括相保护模块，其中相保护模块包括IGBT模块T1，IGBT模块T1两端并联有关断电压尖峰吸收电路，该关断电压尖峰吸收电路上串联有RC吸收电路、IGBT模块T2和二极管D1，IGBT模块T1和IGBT模块T2都和各自的控制单元连接，且IGBT模块T2的驱动信号比IGBT模块T1的驱动信号延迟一段时间。本方案以IGBT动态电力电子开关装置代替高压隔离接触器应用在永磁直驱系统中，其开通关断由电控单元TCU控制，动作迅速，三相分、合动作可以做到准确、同步，是一种应用价值比较高的开关，为高质量地开展永磁直驱系统暂态稳态试验提供了前提。
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公开(公告)号：CN109905040B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201711307915.7
申请日：2017-12-11
申请人： 中车永济电机有限公司
摘要： 本发明提供一种基于高压晶闸管的功率变换器，包括风冷散热器、晶闸管相模块、二极管相模块，晶闸管相模块包括相互连接的第一晶闸管和第二晶闸管，二极管相模块包括相互连接的第一二极管和第二二极管，第一晶闸管的阳极和二晶闸管的阴极的连接点为交流电源的第一输入端，第一二极管的阳极和第二二极管的阴极的连接点为交流电源的第二输入端；第一晶闸管的阴极和第一二级管的阴极还为第一直流输出端、第二晶闸管的阳极和第二二极管的阳极还为第二直流输出端；晶闸管相模块和二极管相模块均在风冷散热器的上表面。本发明解决了功率变换器整个装置组装结构复杂、体积庞大、不便更换和维护的问题。
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公开(公告)号：CN110504659B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201910773038.5
申请日：2019-08-21
申请人： 中车永济电机有限公司
摘要： 本发明涉及IGBT的保护电路，具体为IGBT驱动短路保护检测电路。解决现有IGBT驱动短路保护检测电路短路保护时间受母线电压影响，易造成短路保护不及时的问题。该电路包括第一与非门U4，驱动板输入脉冲信号CMD‑H处理电路，IGBT集射极电压状态采集电路；驱动板输入脉冲信号CMD‑H处理电路的输出端TP‑CMD‑H与第一与非门U4的第一输入端相连，驱动板输入脉冲信号CMD‑H接入第一与非门U4的第二输入端，IGBT集射极电压状态采集电路的输出端HZ_Vce与第一与非门U4的第三输入端相连，第一与非门U4的输出端作为IGBT驱动短路保护检测电路的输出FAILb。本发明无论母线电压变大或变小，短路保护的响应时间不变。
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公开(公告)号：CN110492439B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910610038.3
申请日：2019-07-08
申请人： 中车永济电机有限公司
IPC分类号： H02H7/12
摘要： 本发明涉及SiCMOSFET的保护电路，具体为适用于大功率SiCMOSFET的保护电路。解决现有大功率器件保护电路短路故障响应速度慢，过压抑制响应速度慢的问题。该保护电路包括短路保护电路和过压抑制保护电路；短路保护电路包括由多个电阻串联而成的电阻支路，电阻支路的一端与SiCMOSFET的D极连接、另一端与电容C1的一端连接并把该端作为短路信号输出端VDS，电容C1的另一端与－4V电源连接；过压抑制保护电路包括由多个TVS管单向串联而成的TVS管支路，TVS管支路中的每个TVS管两端并联一个电容，TVS管支路的负极端与SiCMOSFET的D极连接，TVS管支路的正极端作为抑制过压信号输出端ACL。
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公开(公告)号：CN109905040A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201711307915.7
申请日：2017-12-11
申请人： 中车永济电机有限公司
摘要： 本发明提供一种基于高压晶闸管的功率变换器，包括风冷散热器、晶闸管相模块、二极管相模块，晶闸管相模块包括相互连接的第一晶闸管和第二晶闸管，二极管相模块包括相互连接的第一二极管和第二二极管，第一晶闸管的阳极和二晶闸管的阴极的连接点为交流电源的第一输入端，第一二极管的阳极和第二二极管的阴极的连接点为交流电源的第二输入端；第一晶闸管的阴极和第一二级管的阴极还为第一直流输出端、第二晶闸管的阳极和第二二极管的阳极还为第二直流输出端；晶闸管相模块和二极管相模块均在风冷散热器的上表面。本发明解决了功率变换器整个装置组装结构复杂、体积庞大、不便更换和维护的问题。
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