公开(公告)号：CN110365196A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910664834.5

申请日：2019-07-23

申请人： 中车青岛四方车辆研究所有限公司

发明人： 毕京斌 ,  马法运 ,  林显琦 ,  夏猛 ,  李华 ,  王梦谦 ,  殷波 ,  孙亚光

IPC分类号： H02M1/08 ,  H02M1/32 ,  H02H7/122

摘要： 本发明涉及一种三电平一体式SiC-Mosfet驱动系统，针对采用SiC-Mosfet的I型三电平逆变器进行驱动设计，驱动系统采用一体化设计，集成了SiC-Mosfet模块、栅极驱动板、控制板，控制板通过绝缘连接柱安装在各栅极驱动板上，控制板上集成有处理器，栅极驱动板上集成有栅极驱动电路与短路保护电路。本发明模块化程度高，结构紧凑。同时，本发明还涉及一种驱动控制方法，在SiC-Mosfet发生短路时，短路保护电路能够检测出短路故障，FPGA芯片对各SiC-Mosfet的驱动信号进行统一判断，采用分级关断策略，在内管故障时，按内外管关断顺序关断，在外管故障时，控制先关断外管，后关断内管，保证SiC-Mosfet在短路耐受时间内安全关断；采用分级关断策略，在降低系统关断损耗的同时降低了系统过电压和电磁干扰。