公开(公告)号：CN1491299A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN02804627.7

申请日：2002-02-12

申请人： 丰田合成株式会社

发明人： 永井诚二 ,  冨田一义 ,  色川芳宏 ,  加地彻

IPC分类号： C30B25/18 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/0079

摘要： 一种半导体晶体成长方法及半导体发光元件，该法是在底衬底上使与所述底衬底不同的半导体物质结晶成长的半导体晶体成长方法，其特征在于，在开始所述晶体成长前，把离子从所述底衬底的晶体成长面注入。所述半导体发光元件的特征在于，至少作为晶体成长衬底，具有使用上述晶体成长方法制造的半导体晶体。在所述晶体成长过程中，底衬底以离子注入层为界破断，并最终分离为薄膜部分和主要部分。本发明的半导体晶体制造方法，能得到比现有技术结晶性优良、裂纹少的氮化镓单晶。