公开(公告)号：CN109148263A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810833460.0

申请日：2018-07-26

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 刘善善 ,  朱黎敏 ,  朱兴旺

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02664

摘要： 本发明公开了一种沉积非晶硅的成膜方法，包括如下步骤：步骤1、对半导体衬底硅片进行预热；步骤2、在预热后的半导体衬底硅片上第一次沉积非晶硅膜；步骤3、对沉积沉积非晶硅薄膜的半导体衬底硅片进行NH3等离子体处理。本发明能够有效解决成膜时候形成的鼓包缺陷。

公开(公告)号：CN108878590A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810705114.4

申请日：2018-07-01

申请人： 山东建筑大学

发明人： 刘科高 ,  孙齐磊 ,  荆明星 ,  姬明 ,  石磊

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/368 ,  H01L31/032

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/032

摘要： 一种用硝酸盐制备铜铁硫光电薄膜的方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将Cu(NO3)2、Fe(NO3)3和Na2S2O3.5H2O依次放入溶剂水中，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨直接接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铁硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铁硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铁硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

公开(公告)号：CN108878267A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810733814.4

申请日：2014-07-04

申请人： 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

发明人： 井上聪 ,  下田达也 ,  川北知纪 ,  藤本信贵 ,  西冈圣司

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  C01G15/00

CPC分类号： H01L29/66969 ,  C01G15/00 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法，包含以下工序：前驱体层的形成工序，其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状，其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯；及烧成工序，其在使该粘合剂的90wt％以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后，在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。

公开(公告)号：CN108831963A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810705112.5

申请日：2018-07-01

申请人： 山东建筑大学

发明人： 刘科高 ,  孙齐磊 ,  荆明星 ,  姬明 ,  石磊

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/032

摘要： 一种用硫酸盐制备铜铁硒光电薄膜的方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将CuSO4·5H2O、FeSO4·7H2O和SeO2依次放入溶剂水中，待充分混合均匀后加入少量盐酸溶剂，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨直接接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铁硒光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铁硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铁硒光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

公开(公告)号：CN108767059A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810522180.8

申请日：2018-05-28

申请人： 山东建筑大学

发明人： 刘科高 ,  李静 ,  许超 ,  赵忠新 ,  刘宏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L21/368

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0322

摘要： 一种制备铜铟镓碲薄膜材料的制备方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将TeO2、Cu(NO3)2、In(NO3)3和Ga(NO3)3先后放入溶剂中，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铟镓碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铟镓碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铟镓碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

公开(公告)号：CN104871306B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201380064142.8

申请日：2013-12-02

申请人： 索泰克公司

发明人： 亚历山大·切布克 ,  I·伯特兰 ,  S·秘鲁 ,  S·万 ,  帕特里克·雷诺

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/16

摘要： 一种用于制造结构(3)的方法，该结构依次包括支撑基板(2)、介电层(10)、有源层(11)、多晶硅的分离层(20)，该方法包括以下步骤：a)提供施主基板；b)在施主基板中形成脆变区域；c)提供支撑结构(2)；d)在支撑基板(2)上形成分离层(20)；e)形成介电层(10)；f)组装施主基板(1)和支撑基板(2)；g)沿着脆变区域断裂施主基板(1)；h)对结构(3)进行至少10分钟的加强退火，该制造方法值得注意的地方在于，以如下方式执行步骤d)，即，分离层(20)的多晶硅显示出完全随机的晶粒取向，并且在于在严格大于950℃和低于1200℃的温度下执行加强退火。

公开(公告)号：CN108028174A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680055157.1

申请日：2016-08-12

申请人： 恩特格里斯公司 ,  恩特格里斯亚洲公司

发明人： S·比洛迪奥 ,  E·I·库珀 ,  吴幸臻 ,  杨民杰

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/762 ,  H01L29/167 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/28255 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/762

摘要： 本发明涉及可用于在具有含锗材料的微电子装置上钝化所述含锗材料的组合物。

公开(公告)号：CN103999189B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201280062898.4

申请日：2012-11-12

申请人： 索泰克公司

发明人： 尚塔尔·艾尔纳 ,  R·斯科特 ,  C·卡尼扎瑞斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0687 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/153 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1848 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/08 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/32358 ,  Y02E10/544

摘要： 本发明的稀释氮化物III‑V族半导体材料可以通过以下方式形成：用As原子取代预先形成的氮化物材料中的部分N原子从而将预先形成的氮化物的至少一部分转变为包含砷的稀释氮化物III‑V族半导体材料。此种方法可以用于制造光敏器件，如光伏电池和发光体。所述方法可以在沉积腔室、如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或气相外延(HVPE)腔室中实施。

公开(公告)号：CN107887261A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201610871131.6

申请日：2016-09-30

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 周鸣

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/469 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/778 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L45/06 ,  H01L21/0405

摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：形成生长衬底，形成生长衬底包括：提供衬底结构，衬底结构包括牺牲衬底和在牺牲衬底上的第一电介质层，衬底结构中形成有贯穿第一电介质层的多个凹陷，并且凹陷的底部和部分侧壁位于牺牲衬底中，在凹陷的底部和部分侧壁上形成垫层，选择性地在所述垫层上生长石墨烯层，以及在凹陷中填充第二电介质层；以第二电介质层的顶部面对接合衬底的方式，将生长衬底附接到接合衬底之上；去除牺牲衬底；去除垫层，从而露出石墨烯层。本发明采用在垫层上选择性生长石墨烯的方式，避免了现有技术中图案化工艺对石墨烯的影响。

公开(公告)号：CN103828061B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201280045437.6

申请日：2012-09-24

申请人： 应用材料公司

发明人： Q·王 ,  W·王 ,  Y·J·崔 ,  S-M·赵 ,  Y·崔 ,  朴范洙 ,  崔寿永

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L2021/775

摘要： 本揭露书的实施例大体上提供了于薄膜晶体管器件中形成含硅层的方法。硅可用于在低温多晶硅薄膜晶体管中形成主动通道，或可用作为栅极介电层、钝化层或甚至蚀刻停止层中的一种元素。含硅层通过气相沉积工艺沉积，借着气相沉积工艺而随着硅前体提供惰性气体，如氩气。该惰性气体用于驱除弱的、悬浮的硅‑氢键或硅‑硅键，因此保留强的硅‑硅键或硅‑氧键，以形成实质上不含氢的含硅层。