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公开(公告)号：CN107093764B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201611180271.5
申请日：2016-12-19
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/0404 , H01M4/13 , H01M4/136 , H01M4/139 , H01M4/5815 , H01M4/621 , H01M4/624 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2004/027 , H01M2004/028 , H01M2300/0068
Abstract: 本发明涉及正极合剂、正极和全固体锂离子二次电池、及它们的制造方法。本发明提供能容易地在全固体锂离子二次电池的负极掺杂锂、可使低电池容量下的电阻变小的方法。本发明提供：正极合剂的制造方法，具有至少将导电助剂(C1)和硫化物固体电解质(E1)混合而得到混合物的第1工序；至少将正极活性物质、固体电解质(E2)和该混合物混合而得到正极合剂的第2工序，第1工序中对硫化物固体电解质(E1)给予的能量比第2工序中给予固体电解质(E2)的能量大，第1工序中得到的混合物为在不到上述正极活性物质放出和吸藏锂离子的电位下放出锂离子的材料；使用由该制造方法制造的正极合剂制造正极和全固体锂离子二次电池。
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公开(公告)号：CN107768722A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710653933.4
申请日：2017-08-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 古贺英行
IPC: H01M10/058 , H01M10/0525 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/36
Abstract: 本发明涉及锂离子电池和锂离子电池的制造方法。本发明以提供离子传导的电阻低的锂离子电池为课题。在本发明中，通过提供一种锂离子电池来解决上述课题，该锂离子电池的特征在于，具有正极活性物质、负极活性物质、绝缘性氧化物以及成为所述正极活性物质与所述负极活性物质之间的离子传导通道的电解质，该绝缘性氧化物形成于所述正极活性物质与所述负极活性物质的界面，含有构成所述正极活性物质的至少一种元素和构成所述负极活性物质的至少一种元素且不具有电子传导性和离子传导性，所述正极活性物质具有Co、Mn、Ni、Fe的至少一种、Li和O，所述负极活性物质具有Si、Li、Ti的至少一种。
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公开(公告)号：CN101785133A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200980100242.5
申请日：2009-01-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 古贺英行
CPC classification number: H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/62 , H01M10/052 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明的主要目的是提供一种为了形成提高了循环特性并且提高了输出功率的锂二次电池而使用的正极活性物质。本发明通过提供一种被覆有半导体的正极活性物质来解决所述课题，该被覆有半导体的正极活性物质的特征在于，具有正极活性物质和pn接合半导体被覆层，该pn接合半导体被覆层包含被覆于所述正极活性物质表面的n型半导体被覆层和被覆于所述n型半导体被覆层表面的p型半导体被覆层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107768722B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201710653933.4
申请日：2017-08-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 古贺英行
IPC: H01M10/058 , H01M10/0525 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/36
Abstract: 本发明涉及锂离子电池和锂离子电池的制造方法。本发明以提供离子传导的电阻低的锂离子电池为课题。在本发明中，通过提供一种锂离子电池来解决上述课题，该锂离子电池的特征在于，具有正极活性物质、负极活性物质、绝缘性氧化物以及成为所述正极活性物质与所述负极活性物质之间的离子传导通道的电解质，该绝缘性氧化物形成于所述正极活性物质与所述负极活性物质的界面，含有构成所述正极活性物质的至少一种元素和构成所述负极活性物质的至少一种元素且不具有电子传导性和离子传导性，所述正极活性物质具有Co、Mn、Ni、Fe的至少一种、Li和O，所述负极活性物质具有Si、Li、Ti的至少一种。
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公开(公告)号：CN107093764A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201611180271.5
申请日：2016-12-19
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/0404 , H01M4/13 , H01M4/136 , H01M4/139 , H01M4/5815 , H01M4/621 , H01M4/624 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2004/027 , H01M2004/028 , H01M2300/0068
Abstract: 本发明涉及正极合剂、正极和全固体锂离子二次电池、及它们的制造方法。本发明提供能容易地在全固体锂离子二次电池的负极掺杂锂、可使低电池容量下的电阻变小的方法。本发明提供：正极合剂的制造方法，具有至少将导电助剂(C1)和硫化物固体电解质(E1)混合而得到混合物的第1工序；至少将正极活性物质、固体电解质(E2)和该混合物混合而得到正极合剂的第2工序，第1工序中对硫化物固体电解质(E1)给予的能量比第2工序中给予固体电解质(E2)的能量大，第1工序中得到的混合物为在不到上述正极活性物质放出和吸藏锂离子的电位下放出锂离子的材料；使用由该制造方法制造的正极合剂制造正极和全固体锂离子二次电池。
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公开(公告)号：CN108117096A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201611072844.2
申请日：2016-11-29
IPC: C01G23/00 , C01G29/00 , H01M4/485 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/485 , C01G23/002 , C01G23/003 , C01G29/00 , C01G29/006 , C01P2002/70 , C01P2004/20 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/40 , H01M10/0525 , H01M10/054 , H01M2004/021 , H01M2004/027 , C01P2002/72 , C01P2004/03
Abstract: 本发明涉及一种锂离子电池负极材料，其符合分子式：MxNyTizO(x+3y+4z)/2，其中：0≤x≤8，1≤y≤8，1≤z≤8；M为碱金属，选自Li、Na和K；且N为选自P、Sb、Bi的第VA主族元素，或选自Nd、Pm、Sm、Eu、Yb、La的稀土金属。相对于脱嵌锂电位在0.8-1.2V的钛基负极材料，本发明材料能提供更好的电位平台，且提供更加优异的循环性能和倍率性。
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公开(公告)号：CN105375027A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510481162.6
申请日：2015-08-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 古贺英行
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/5825 , C01B25/45 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , H01M10/052 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及锂二次电池用正极活性物质、锂二次电池和锂二次电池用正极活性物质的制造方法。本发明的主要目的在于提供具有高的理论容量的锂二次电池用正极活性物质。本发明通过提供如下的锂二次电池用正极活性物质来解决上述课题：该锂二次电池用正极活性物质包含属于空间群C12/c1的晶体结构，由(Na1-αLiα)xM1-yNy(PO4)z(0.5≤α≤1，2.5≤x≤3.5，0≤y≤0.5，1.5≤z≤2.5，M为V和Fe中的至少一种，并且N为Co、Ni和Mn中的至少一种)表示。
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公开(公告)号：CN101785133B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200980100242.5
申请日：2009-01-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 古贺英行
CPC classification number: H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/62 , H01M10/052 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明的主要目的是提供一种为了形成提高了循环特性并且提高了输出功率的锂二次电池而使用的正极活性物质。本发明通过提供一种被覆有半导体的正极活性物质来解决所述课题，该被覆有半导体的正极活性物质的特征在于，具有正极活性物质和pn接合半导体被覆层，该pn接合半导体被覆层包含被覆于所述正极活性物质表面的n型半导体被覆层和被覆于所述n型半导体被覆层表面的p型半导体被覆层。
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