全固体电池
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114628781B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202111458455.4

    申请日:2021-12-02

    Abstract: 本发明涉及全固体电池。【课题】本公开的主要目的在于,提供在即使不赋予约束压力或赋予低约束压力的情况下,容量维持率也良好的全固体电池。【解决手段】本公开通过提供如下的全固体电池来解决上述课题,该全固体电池是依次层叠有正极层、固体电解质层和负极层的全固体电池,其中,上述负极层含有具有硅包合物II型晶相的负极活性物质,上述全固体电池在层叠方向上被赋予0MPa以上且小于5MPa的约束压力,在将负极容量相对于正极容量的容量比设为A的情况下,上述容量比A为2.5以上且4.8以下。

    二次电池
    4.
    发明公开
    二次电池 审中-实审

    公开(公告)号:CN118825382A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410186032.9

    申请日:2024-02-20

    Abstract: 本发明涉及二次电池。本公开的二次电池,其特征在于,具有正极活性物质层、固体电解质层和负极活性物质层,所述正极活性物质层包含具有O2型结构的正极活性物质,所述正极活性物质层包含具有30GPa以下的杨氏模量的无机固体电解质。

    Si系活性物质的制造方法
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113443632B

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202110278679.0

    申请日:2021-03-15

    Abstract: 提供一种包含Si系笼形化合物的Si系活性物质的制造方法,其能够在维持II型笼合物晶相的状态下减少Na元素的含量。一种Si系活性物质的制造方法,所述Si系活性物质包含具有II型笼合物晶相的Si系笼形化合物,所述制造方法的特征在于,具有:在340℃以上且低于400℃的温度下对含有Na元素和Si元素的合金进行热处理从而制备所述Si系笼形化合物的第1热处理工序;在所述第1热处理工序后,在340℃以上且低于470℃的温度下对所述Si系笼形化合物进行热处理的第2热处理工序;在所述第2热处理工序后,将所述Si系笼形化合物冷却到低于340℃的温度的冷却工序;以及在所述冷却工序后,在340℃以上且低于470℃的温度下对所述Si系笼形化合物进行热处理的第3热处理工序。

    负极活性物质
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111092215B

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN201910991985.1

    申请日:2019-10-18

    Abstract: 本发明涉及负极活性物质。提供可兼顾全固体电池的初次充放电时的库伦效率的提高和该全固体电池中的电阻上升的抑制的负极活性物质。负极活性物质,是用于全固体电池的负极活性物质,其特征在于,含有锂‑硅合金和硅单质,并且在通过使用CuKα射线的XRD测定得到的XRD光谱中,在2θ=20.2°±0.5°、23.3°±0.5°、40.5°±0.5°和46.0°±0.5°的位置具有峰。

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