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公开(公告)号：CN115728866B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211398682.7
申请日：2022-11-09
申请人： 之江实验室
IPC分类号： G02B6/122
摘要： 本发明公开一种硅光子芯片多层光学重布线制备方法，包括获得基片，在基片上固定硅光子芯片，在基片和硅光子芯片上匀胶衬底层，在衬底层上沉积下包层；硅光子芯片上的光学端口为芯片端耦合器阵列，在下包层上沉积芯层材料；在芯层材料上刻写布线层，在布线层上沉积上包层，在上包层上沉积芯层材料；布线层包括扇出层间转换器阵列、扇出波导阵列和扇出端面耦合器阵列；重复制作布线层直到将芯片光学端口的光信号通过多层布线层输出到对应的扇出端面耦合器阵列。该方法能够将硅光子芯片的光学端口扇出，多层排布实现对数量较多，密度较高的硅光子芯片上光学端口的扇出。
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公开(公告)号：CN115955620B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310238219.4
申请日：2023-03-07
申请人： 之江实验室
IPC分类号： H04Q11/00
摘要： 本发明公开了一种基于Banyan网络硅基光交换芯片中开关单元的校准方法，包括将外部光信号输入开关单元，基于Banyan网络结构分别获得当开关单元为BAR状态或CROSS状态时的最终输出端口，并探测得到当开关单元为BAR状态或CROSS状态下最终输出端口的总功率，对开关单元加载扫描电压，将总功率的差值最大时对应的扫描电压作为开关单元的BAR状态电压，将总功率的差值最小时对应的扫描电压作为开关单元的CROSS状态电压，以完成开关单元的校准。该方法降低了整个硅基光交换芯片的校准难度以及芯片设计的复杂度。
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公开(公告)号：CN116880017A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310765929.2
申请日：2023-06-27
申请人： 之江实验室
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明公开了一种用于光纤阵列与光电子芯片耦合封装的装置，在使用此装置时，只需在第一次将光纤阵列与光电子芯片耦合损耗到最低时，将装置与芯片进行点胶固定，即可实现在脱离调节设备的情况下，光纤阵列在整个装置中多次插拔、多次与光电子芯片之间高效耦合对准的功能，可直接用于光纤阵列与光电子芯片之间的封装和加固；本发明还公开一种用于光纤阵列与光电子芯片耦合测试、封装的方法，省略一般在测试和封装过程中需要切换装置的过程，避免人为安装和撤离夹具对光纤阵列稳定性破坏的风险，实现了从光纤阵列与光电子芯片的耦合测试到封装再到加固流程的快速衔接，优化了光纤阵列与光电子芯片光学封装方法，大大提高了光学封装的成功率。
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公开(公告)号：CN116224504A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211570971.0
申请日：2022-12-08
申请人： 之江实验室
摘要： 本发明公开了一种用于硅光子芯片的光封装平台和方法，该光封装平台包括基板、龙门架、滑轨、观察镜组、两个电控位移台、用于固定光纤阵列的夹具、曲杆和PCB板，其中，龙门架和两个电控位移台安装在基板上，滑轨安装在龙门架上，观察镜组包括第一光学放大镜头、第二光学放大镜头、第三光学放大镜头和第四光学放大镜头，第一光学放大镜头和第四光学放大镜头安装在滑轨上，第二光学放大镜头和第三光学放大镜头相对设置安装在基板上，曲杆用于连接电控位移台和夹具，PCB板通过支架安装在基板上，PCB板上安装有芯片、陶瓷片和转接板，芯片位于转接板的下方。本发明的操作更加简单，能够使光封装过程更加自动化和稳定，有利于缩短封装时间。
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公开(公告)号：CN115185040B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211100327.7
申请日：2022-09-09
申请人： 之江实验室
摘要： 本发明提供一种硅光子芯片被动对准光学封装结构和光开关设备，包括基板，硅光子芯片，光纤阵列定位组件以及大模场光纤阵列，所述基板上设有对准标记，硅光子芯片以及光纤阵列定位组件依照对准标记固定于基板之上；硅光子芯片的光学耦合端口为大模场光栅耦合器阵列，其中各大模场光栅耦合器具有相同的最佳耦合角以及最佳耦合模场直径D；大模场光纤阵列中各光纤的模场直径与大模场光栅耦合器的最佳耦合模场直径D相匹配；大模场光纤阵列利用光纤阵列定位组件与硅光子芯片上的大模场光栅耦合器阵列实现最佳耦合，本发明解决了利用主动对准流程进行硅光子芯片光学封装带来的问题，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN115657226B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211328327.2
申请日：2022-10-26
申请人： 之江实验室
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明公开了硅基光交换芯片的光电扇出结构的制备方法，包括：在基片表面固定芯片，芯片端口包括光栅耦合器和电学焊盘；在基片上表面形成衬底层，对衬底层进行抛光至芯片上表面漏出，沉积下包层，在下包层上沉积芯层；在芯层上刻蚀光波导阵列和扇出端光学端口；在光波导阵列、扇出端光学端口和未沉积芯层的下包层上表面沉积上包层，利用灰度工艺从上包层表面挖出斜面，利用刻蚀工艺在上包层上挖出直通孔，使得电学焊盘上表面露出；然后在上包层表面和电学焊盘上表面沉积金属层；对所述金属层表面进行抛光、刻蚀得到电学重布线层。本发明还公开了硅基光交换芯片的光电扇出结构的制备方法制备得到的硅基光交换芯片光电扇出结构。
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公开(公告)号：CN115955620A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310238219.4
申请日：2023-03-07
申请人： 之江实验室
IPC分类号： H04Q11/00
摘要： 本发明公开了一种基于Banyan网络硅基光交换芯片中开关单元的校准方法，包括将外部光信号输入开关单元，基于Banyan网络结构分别获得当开关单元为BAR状态或CROSS状态时的最终输出端口，并探测得到当开关单元为BAR状态或CROSS状态下最终输出端口的总功率，对开关单元加载扫描电压，将总功率的差值最大时对应的扫描电压作为开关单元的BAR状态电压，将总功率的差值最小时对应的扫描电压作为开关单元的CROSS状态电压，以完成开关单元的校准。该方法降低了整个硅基光交换芯片的校准难度以及芯片设计的复杂度。
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公开(公告)号：CN115657224A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211319938.0
申请日：2022-10-26
申请人： 之江实验室
摘要： 本发明公开了一种硅光子芯片的光学封装方法，其特征在于，包括将硅光子芯片固定在基片上表面，硅光子芯片的光学端口为端面耦合器阵列；在固定硅光子芯片的基片上表面匀胶一层衬底，在衬底上沉积下包层，在下包层上沉积芯层材料，在芯层材料上分别刻蚀光波波导阵列和扇出端耦合器阵列，其中，光波波导阵列的一端与端面耦合器阵列相连，另一端与扇出端耦合器阵列相连；在硅光子芯片、光波波导阵列和扇出端耦合器阵列的表面上沉积上包层；将至少一个光纤阵列与扇出端耦合器阵列耦合后固定，完成光纤阵列封装。利用该方法能够降低光纤阵列封装的密度和封装难度，提升光纤阵列封装的灵活性。
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公开(公告)号：CN117250702A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311548061.7
申请日：2023-11-20
申请人： 之江实验室
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明涉及一种光电共封装模块及光电共封装方法。其中，光电共封装模块包括中介层、光子集成芯片、电子集成芯片及光纤阵列；中介层包括安装槽、重布线层和重布波导层；光子集成芯片安装于所述安装槽，所述光子集成芯片包括至少一个第一电连接部和至少一个第一光连接部，所述第一光连接部光耦合于所述重布波导层；光纤阵列耦合于所述重布波导层，以实现光学封装；电子集成芯片包括多个第二电连接部，部分所述第二电连接部用于电连接所述第一电连接部，又一部分所述第二电连接部用于电连接所述重布线层，以实现电路封装。本发明的光电共封装模块可以实现提高集成密度、提高互连带宽及降低能耗中的至少一种效果。
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