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公开(公告)号：CN115755275B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211471904.3
申请日：2022-11-23
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/14
Abstract: 一种基于亚波长结构的小型化狭缝波导模式转换器件，包括SOI基体和集成于SOI基体上表面的波导模式转换装置；所述波导模式转换装置以SOI基体长度方向的中心线轴对称分布；所述波导模式转换装置包括沿光路依次连接的条形输入波导、带有微刻蚀结构的模式转换波导和狭缝输出波导；输入所述条形输入波导的光场模斑表现为高斯模式，经由模式转换波导时，受到微刻蚀结构的调制从而转换至狭缝波导模式，被调制为狭缝波导模式的光进一步耦合至狭缝输出波导中，并最终输出所述小型化狭缝波导模式转换器件。本发明实现了极低损耗的条形波导‑狭缝波导间模式转换与传输，在条形波导与狭缝波导之间建立平滑的连接。
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公开(公告)号：CN116224491A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310521120.5
申请日：2023-05-10
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/125
Abstract: 本申请提供一种狭缝交叉光波导及光学传感器件。狭缝交叉光波导包括基体及两条交叉连接的狭缝光波导。两条狭缝光波导集成于基体的上表面。狭缝光波导包括输入狭缝光波导、多模耦合光波导及输出狭缝光波导，输入狭缝光波导、多模耦合光波导及输出狭缝光波导沿狭缝光波导的光路传播方向依次连接；其中输入狭缝光波导和输出狭缝光波导相对多模耦合光波导在狭缝光波导的光路传播方向上对称分布。如此可实现极低损耗与极低串扰的狭缝波导链路交叉，有助于狭缝波导器件在光学传感领域中高效而稳定的应用，且该狭缝交叉光波导易于创造和扩展，可在基于狭缝波导的非线性器件、光学开关器件等领域得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN115421245A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211367401.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI上氮化硅平台的O波段3D模式分束器，所述模式分束器包括总线波导、分支波导和基模波导，所述总线波导由硅材料制备，位于所述模式分束器的第一层，所述分支波导由氮化硅材料制备，位于所述模式分束器的第二层，并置于总线波导的斜上方，所述分支波导耦合区与总线波导耦合区隔层相邻，形成层间相互作用的模式分束器结构，所述基模波导由硅材料制备，位于总线波导所在的第一层，所述基模波导耦合区与分支波导输出区隔层相邻，将分支波导中的光信号耦合至硅波导；本发明可以实现对输入光信号的模式分束，可应用于多通道光通信系统，具有工艺容差大、温度敏感度低、易于加工和Si层占用面积小等特点。
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公开(公告)号：CN115167014B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211068789.5
申请日：2022-09-02
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化钒超材料结构的C波段硅基调制器，包括SOI基底，所述SOI基底上沿长度方向的对称轴上呈凸起结构，所述凸起结构为波导层，所述波导层为条形直波导，所述条形直波导分为输入区波导、复合区波导和输出区波导，所述复合区波导上方刻蚀的一排小孔内填充有超材料结构，所述波导层和所述超材料结构由二氧化硅包裹。本发明具有器件尺寸小、状态切换速度快和能耗低的特点。采用二氧化钒超材料结构，可实现小尺寸的调制器；相变材料在不同外界能量刺激下，其折射率会发生改变，且切换速度极快，飞秒量级的光脉冲即可实现状态间的快速切换；在无外界能量刺激下，状态会维持在原有状态，在切换要求不频繁的系统中，可大大降低功耗。
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公开(公告)号：CN114520212B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210413421.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/66 , H01L23/14 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种支持高速信号传输的宽频芯片封装结构，该结构支持信号的高速传输，可以改善目前绑定金线连接结构带来的带宽限制。该宽频芯片封装结构采用芯片倒装结构、共面波导结构、开槽结构，以及绑定金线连接结构，可缩短信号传输的间距，较少信号传输的阻抗不连续性，提高散热特性，以及改善信号地连接。通过以上措施来提升信号带宽，满足高速信号传输需求。同时，该结构具备较低金属剖面特点，连接灵活方便，适合在硅基、印制电路板等平台上来开展芯片的高密度封装，为芯片高速封装提供了一种切实可行的技术手段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114520212A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210413421.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/66 , H01L23/14 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种支持高速信号传输的宽频芯片封装结构，该结构支持信号的高速传输，可以改善目前绑定金线连接结构带来的带宽限制。该宽频芯片封装结构采用芯片倒装结构、共面波导结构、开槽结构，以及绑定金线连接结构，可缩短信号传输的间距，较少信号传输的阻抗不连续性，提高散热特性，以及改善信号地连接。通过以上措施来提升信号带宽，满足高速信号传输需求。同时，该结构具备较低金属剖面特点，连接灵活方便，适合在硅基、印制电路板等平台上来开展芯片的高密度封装，为芯片高速封装提供了一种切实可行的技术手段。
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公开(公告)号：CN115421246B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211367461.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI上GST纳米点的强度调制器，所述调制器包括狭缝波导结构、相变材料结构和保护结构，所述狭缝波导结构由硅材料与二氧化硅材料制备，位于所述调制器第一层，所述相变材料结构由GST相变材料制备，位于所述调制器的第二层，并置于狭缝波导结构的上方，与狭缝波导结构直接接触，形成由相变材料晶态和非晶态转变特性控制的开关状态切换结构，所述保护结构由二氧化硅材料制备，将狭缝波导结构和相变材料结构进行包裹，实现对所述调制器的物理保护，通过本发明可以实现对输入光信号的调制，可应用于光模块、光开关和光计算等光信息处理器件，具有器件尺寸小、器件集成度高、能耗低等特点。
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公开(公告)号：CN115421245B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211367401.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI上氮化硅平台的O波段3D模式分束器，所述模式分束器包括总线波导、分支波导和基模波导，所述总线波导由硅材料制备，位于所述模式分束器的第一层，所述分支波导由氮化硅材料制备，位于所述模式分束器的第二层，并置于总线波导的斜上方，所述分支波导耦合区与总线波导耦合区隔层相邻，形成层间相互作用的模式分束器结构，所述基模波导由硅材料制备，位于总线波导所在的第一层，所述基模波导耦合区与分支波导输出区隔层相邻，将分支波导中的光信号耦合至硅波导；本发明可以实现对输入光信号的模式分束，可应用于多通道光通信系统，具有工艺容差大、温度敏感度低、易于加工和Si层占用面积小等特点。
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公开(公告)号：CN115733553A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202310029067.7
申请日：2023-01-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了可重构光引擎发射系统及用于其的全连接光网格组件，包括若干个苯环结构首尾纵向排列连接，每个所述苯环结构包括多个四端口可编程基本单元首尾连接，每个所述苯环结构的左右两边还各连接一个所述四端口可编程基本单元；激光器模块；全连接光网格模块；调制器模块；电源模块；多波长复用器。本发明不仅对激光器进行了失效功能补偿和自纠错处理，并且可重构光路的方案更为灵活，具有低损耗、结构紧凑和易集成等特点，对超高速光引擎在未来的普及应用具有重要的意义。
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