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公开(公告)号：CN116500722B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310748884.8
申请日：2023-06-25
摘要： 本发明公开了一种低损耗快速切换PIN电光相移结构，该结构为对浅刻蚀波导进行二次刻蚀而形成的阶梯状波导，其中所述阶梯状波导两侧的平板区域分别进行P型掺杂和N型掺杂。在浅刻蚀波导体系下，通过再次刻蚀降低脊形波导两侧平板波导的高度，减小光模场与掺杂区域的交叠面积，在确保低损耗的情况下，可有效提升PIN器件的切换速度。解决传统PIN器件低损耗与快速切换性能无法兼得的问题。同时通过合适的尺寸设计，这种结构所支持的基模有效折射率与浅刻蚀波导几乎没有差别，可以通过普通的宽度渐变波导低损耗相连。这种低损耗快速切换PIN器件可以广泛运用于光交换、光计算、光相控阵等大规模光电子集成器件。
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公开(公告)号：CN116088202A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310013601.5
申请日：2023-01-05
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明公开了一种低功耗热光MZI结构器件的调控方法，所述调控方法包括：将热光MZI结构器件的两个相移臂分别设置为相位偏置臂、工作臂；扫描工作臂的电压，查找Cross端口第一个电压极大值点或Bar端口第一个电压极小值点的位置，并判断静态特性曲线的偏移方向；根据Cross端口第一个电压极大值点或Bar端口第一个电压极小值点位于静态特性曲线上的位置，选取热光MZI结构器件的工作点。本发明方法可以有效降低工艺误差、外部温度变化等因素对工作点选取的影响，进而有效降低器件的功耗。使热光MZI结构器件更加适用于构建大规模网络器件。
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公开(公告)号：CN116500722A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310748884.8
申请日：2023-06-25
摘要： 本发明公开了一种低损耗快速切换PIN电光相移结构，该结构为对浅刻蚀波导进行二次刻蚀而形成的阶梯状波导，其中所述阶梯状波导两侧的平板区域分别进行P型掺杂和N型掺杂。在浅刻蚀波导体系下，通过再次刻蚀降低脊形波导两侧平板波导的高度，减小光模场与掺杂区域的交叠面积，在确保低损耗的情况下，可有效提升PIN器件的切换速度。解决传统PIN器件低损耗与快速切换性能无法兼得的问题。同时通过合适的尺寸设计，这种结构所支持的基模有效折射率与浅刻蚀波导几乎没有差别，可以通过普通的宽度渐变波导低损耗相连。这种低损耗快速切换PIN器件可以广泛运用于光交换、光计算、光相控阵等大规模光电子集成器件。
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公开(公告)号：CN113238320B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110520191.4
申请日：2021-05-13
摘要： 本发明公开了一种基于微环谐振器的器件的插入损耗的测量方法，通过改变传统单环微环中的环形结构，将连接待测器件的微环谐振器得到的光谱与没有连接待测器件的微环谐振器得到的光谱进行比较和计算，进而得到插入器件的损耗，这种方法可以减小器件损耗测试所占用的芯片面积，提高测量精度，对于低损耗波导特别适用。
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公开(公告)号：CN113238320A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110520191.4
申请日：2021-05-13
摘要： 本发明公开了一种基于微环谐振器的器件的插入损耗的测量方法，通过改变传统单环微环中的环形结构，将连接待测器件的微环谐振器得到的光谱与没有连接待测器件的微环谐振器得到的光谱进行比较和计算，进而得到插入器件的损耗，这种方法可以减小器件损耗测试所占用的芯片面积，提高测量精度，对于低损耗波导特别适用。
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公开(公告)号：CN115629445B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211478745.X
申请日：2022-11-24
申请人： 之江实验室
摘要： 本发明公开了一种用于大规模硅基光子芯片设计的写场拼接结构与工艺，将相邻最大曝光区域中的子系统进行光信号连通，包括与所述子系统的输出波导连接的锥形波导、设置于子系统所在最大曝光区域的对准标记、连接波导，所述连接波导用于连接相邻最大曝光区域的锥形波导，所述子系统经过波导输出的光信号经过锥形波导耦合到连接波导，然后从连接波导耦合到相邻曝光区域中的锥形波导，最后光信号传输到另一子系统中。本发明突破最大曝光面积的限制，制备出超大规模的硅基光子芯片，降低了硅基光子芯片的光电封装难度，具有高的光传输效率，对工艺的线宽要求低，具有高的工艺容差。
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公开(公告)号：CN115877505B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310017831.9
申请日：2023-01-06
申请人： 之江实验室
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本说明书公开了一种硅基光电子芯片及电子设备。针对任意两个相邻的光子系统，将其中一个光子系统作为第一光子系统，将另一个光子系统作为第二光子系统，第一光子系统与第一光子系统对应的光波导的一端相连接，第一光子系统对应的光波导的另一端连接空间折射结构的一端，空间折射结构的另一端连接第二光子系统对应的光波导的一端，第二光子系统对应的光波导的另一端与第二光子系统相连接，以使第一光子系统输出的光束，经过第一光子系统对应的光波导，通过空间折射结构，进入第二光子系统对应的光波导，输入到第二光子系统中，以连通第一光子系统与第二光子系统。本方法可以制造出更大规模的硅基光电子芯片。
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公开(公告)号：CN115629445A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211478745.X
申请日：2022-11-24
申请人： 之江实验室
摘要： 本发明公开了一种用于大规模硅基光子芯片设计的写场拼接结构与工艺，将相邻最大曝光区域中的子系统进行光信号连通，包括与所述子系统的输出波导连接的锥形波导、设置于子系统所在最大曝光区域的对准标记、连接波导，所述连接波导用于连接相邻最大曝光区域的锥形波导，所述子系统经过波导输出的光信号经过锥形波导耦合到连接波导，然后从连接波导耦合到相邻曝光区域中的锥形波导，最后光信号传输到另一子系统中。本发明突破最大曝光面积的限制，制备出超大规模的硅基光子芯片，降低了硅基光子芯片的光电封装难度，具有高的光传输效率，对工艺的线宽要求低，具有高的工艺容差。
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公开(公告)号：CN115877505A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310017831.9
申请日：2023-01-06
申请人： 之江实验室
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本说明书公开了一种硅基光电子芯片及电子设备。针对任意两个相邻的光子系统，将其中一个光子系统作为第一光子系统，将另一个光子系统作为第二光子系统，第一光子系统与第一光子系统对应的光波导的一端相连接，第一光子系统对应的光波导的另一端连接空间折射结构的一端，空间折射结构的另一端连接第二光子系统对应的光波导的一端，第二光子系统对应的光波导的另一端与第二光子系统相连接，以使第一光子系统输出的光束，经过第一光子系统对应的光波导，通过空间折射结构，进入第二光子系统对应的光波导，输入到第二光子系统中，以连通第一光子系统与第二光子系统。本方法可以制造出更大规模的硅基光电子芯片。
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