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公开(公告)号：CN115323474A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210927903.9
申请日：2022-08-03
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司 , 东莞东阳光科研发有限公司
IPC分类号： C25F3/04
摘要： 本发明提供了一种制备腐蚀箔的发孔腐蚀的处理方法及其应用。所述发孔腐蚀的方法包括以下步骤：S1.将前处理后的铝箔放入发孔溶液中进行第一级发孔，并施加第一衰减式电流；S2.当电流密度衰减至i0的10～20％时，断开电流，将铝箔放入中处理液中进行中处理；S3.将中处理后的铝箔放入发孔溶液中进行第二级发孔，并施加第二衰减式电流，初始电流的电流密度为i0的10～20％；S4.将处理后的铝箔依次重复S1.～S3.，重复次数至少为3次；其中，所述中处理液为含有1wt～5wt％的磷酸和0.005wt～0.06wt％的添加剂的溶液。所述处理方法可以改善后续腐蚀工艺中无效孔洞堵塞，并减少短孔数量，制备得到的腐蚀箔具有较高比容、拉力和折弯性能，同时腐蚀箔孔洞均匀性提高。
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公开(公告)号：CN114686960B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210199944.0
申请日：2022-03-01
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 东莞东阳光科研发有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明提供了一种制备中高压腐蚀箔的预处理方法及其应用。所述预处理方法通过以磷酸、硝酸和酒石酸混合作为前处理液并结合预布孔工艺处理；所述前处理液包含以下浓度的组分：磷酸质量分数40％～60％、硝酸质量分数20％～35％、酒石酸质量分数5％～20％。所述预处理方法在铝箔表面形成分布均匀的起始发孔缺陷位点，解决了后续电腐蚀表面蚀孔分部不均匀及并孔、出现色差以及隧道孔长度不一致的问题。采用该工艺后制得的腐蚀箔表面发孔均匀，并孔较少且不出现色差，隧道孔长度一致，同时腐蚀箔的比容较高，折弯性能较好。
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公开(公告)号：CN114686960A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210199944.0
申请日：2022-03-01
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 东莞东阳光科研发有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明提供了一种制备中高压腐蚀箔的预处理方法及其应用。所述预处理方法通过以磷酸、硝酸和酒石酸混合作为前处理液并结合预布孔工艺处理；所述前处理液包含以下浓度的组分：磷酸质量分数40％～60％、硝酸质量分数20％～35％、酒石酸质量分数5％～20％。所述预处理方法在铝箔表面形成分布均匀的起始发孔缺陷位点，解决了后续电腐蚀表面蚀孔分部不均匀及并孔、出现色差以及隧道孔长度不一致的问题。采用该工艺后制得的腐蚀箔表面发孔均匀，并孔较少且不出现色差，隧道孔长度一致，同时腐蚀箔的比容较高，折弯性能较好。
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公开(公告)号：CN117702220A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311729628.0
申请日：2023-12-14
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 东莞东阳光科研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种铝箔前处理方法、中高压阳极箔及其应用，涉及电解电容器技术领域。铝箔前处理方法具体为：在铝箔上放置具有凸起的基板，纳米压印形成规则排列的凹陷点，凹陷点的直径为0.5～1.5μm，凹陷点的间距为0.2～1.0μm。本发明的铝箔前处理方法使用磷酸前处理和纳米干法压印在平整抛光的铝箔表面提前进行了均一的预布孔，降低孔洞生长能量差异，在加电腐蚀时孔就能在预布孔点上同时生长，生长成均匀的隧道孔，精确地控制了蚀孔萌生位置，进而大幅改善后续工艺所得腐蚀箔的隧道孔孔长和孔径的均一性，提高了铝电解电容器电极箔容量和折弯性能。
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公开(公告)号：CN117334482A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311418661.1
申请日：2023-10-27
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种利用单段变电流发孔制备高压腐蚀箔的方法。所述方法包括：前处理‑发孔处理‑‑中处理‑‑扩孔处理‑后处理；发孔处理为经前处理的箔片放入硫酸、盐酸和聚二甲基硅氧烷的混合液中进行发孔，发孔电流密度为0.1～2.0A/cm2，发孔电流密度分布按照y＝ax2+bx+c，其中x的取值范围为x＞‑b/2a；且满足‑1≤a≤‑0.5，0.5≤b≤1，3≤c≤4；聚二甲基硅氧烷的浓度为5～20ppm。本发明制备的高压腐蚀箔的孔洞具有良好的可控性，铝箔的纵向深入能力得到了明显改善，600V容量在0.640‑0.670μF/cm2。
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公开(公告)号：CN110438554A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910683685.7
申请日：2019-07-26
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司
摘要： 本发明公开了一种提高中压腐蚀箔比容的预处理方法及其制备的中压腐蚀箔。预处理方法包括如下步骤：将软态电子铝箔进行用500～2000Hz的高频交流电预处理。本发明的预处理方法针对初始发孔的缺陷分布进行布局，利用HCl的点蚀特性，采用高频交流模式对电子光箔表面进行缺陷点预发孔处理，得到比表面积大、比容高的中压腐蚀箔产品，结合含一定浓度F溶液进行中处理，对前段发孔后的箔面进行活化处理，再次裸露预处理所生成的缺陷点，有利于后段发孔腐蚀进一步生长更高密度，孔洞表面状态分布均匀，腐蚀箔孔径主要分布在0.8～0.95μm区间，孔洞数量在1.8～2.1*107cm2，具有优异的减薄效果、折曲强度和静电容量。
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公开(公告)号：CN114059145A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111408713.8
申请日：2021-11-24
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用。本发明的制备方法包括预处理、近场直写、布孔腐蚀、中处理、深度生长腐蚀、后处理和热处理步骤，所述近场直写步骤的具体操作为：将熔融态的非水溶性聚合物在铝箔两面进行对称直写处理，得到若干条平行或交叉线条组成的平面图案；所述图案线条之间距离为20～200μm，图案线条宽度为0.5～1000μm。本发明所制备的低压腐蚀箔具有连续贯穿结构的夹心铝层，使其具有较高比容的同时显著提升了折弯性能，折弯强度达到85～99回，同时改善了正负极引线与低压腐蚀箔的有效接触面积，进而减小接触电阻，减少发热和击穿等现象的发生。
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公开(公告)号：CN113281364A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110513656.3
申请日：2021-05-11
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
IPC分类号： G01N23/2202 , G01N23/2251 , G01B15/02
摘要： 本发明公开了一种电解电容器用CP引出线锡层厚度的分析方法，本发明先将电解电容器用CP引出线垂直固定，使得引出线与模具垂直，抛光后，进行SEM分析，然后配合Image Pro Plus软件进行测量分析，本发明的方法操作简便，实现了方便、快速、准确的获取电解电容器用引出线锡层厚度信息及分布状态，可以全面并直观的反映锡层的实际结构情况，而不是仅限于一次只能检测一个点的厚度，无需多次更换检测点。适用于电解电容器用引出线制造部门及电解电容器生产部门的品质管控，为研究电解电容器的综合性能提供了技术支持。
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公开(公告)号：CN110438554B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910683685.7
申请日：2019-07-26
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司
摘要： 本发明公开了一种提高中压腐蚀箔比容的预处理方法及其制备的中压腐蚀箔。预处理方法包括如下步骤：将软态电子铝箔进行用500～2000Hz的高频交流电预处理。本发明的预处理方法针对初始发孔的缺陷分布进行布局，利用HCl的点蚀特性，采用高频交流模式对电子光箔表面进行缺陷点预发孔处理，得到比表面积大、比容高的中压腐蚀箔产品，结合含一定浓度F溶液进行中处理，对前段发孔后的箔面进行活化处理，再次裸露预处理所生成的缺陷点，有利于后段发孔腐蚀进一步生长更高密度，孔洞表面状态分布均匀，腐蚀箔孔径主要分布在0.8～0.95μm区间，孔洞数量在1.8～2.1*107cm2，具有优异的减薄效果、折曲强度和静电容量。
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公开(公告)号：CN111276333A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010227685.9
申请日：2020-03-27
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明提供一种评估腐蚀箔化成能耗的计算方法，包括以下步骤：确定腐蚀箔孔洞的孔径分布；当孔洞完全被堵塞时，此时孔径为临界孔径，计算临界孔径；根据临界孔径计算腐蚀箔化成能耗；结合化成能耗判断腐蚀箔结构，完成腐蚀箔化成能耗的评估。本发明提供的一种评估腐蚀箔化成能耗的计算方法，通过计算腐蚀箔化成能耗实现对腐蚀箔结构的判断，实现了对腐蚀箔化成能耗的评估，有些节约了人力物力成本，同时避免因大量试验测试过程中造成的B和P环境污染；该方法易于实现，不需要技术人员具备特定的试验操作技能，有效减少了认为误差和人力成本；同时，该方法可以根据化成能耗和能耗因子判断化成能耗的腐蚀箔结构特征，有利于降低生产成本。
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