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公开(公告)号:CN117080340A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202311065511.7
申请日:2023-08-23
申请人: 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
摘要: 本发明涉及一种涉及半导体制造技术领域,具体为垂直结构的全彩化Micro‑LED器件及制备方法,所述器件在IC驱动电路上设置有多层复合结构,依次为金属层、p‑GaN层、多量子阱层、n‑GaN层、钝化层、透明电极和颜色转换单元,所述多层复合结构由刻蚀技术分割为p‑n结像素台面;在p‑n结像素台面间隔处设置黑胶。所述器件采用多层钝化的方法避免了传统干法刻工艺在芯片侧壁附近造成损伤,从而降低芯片表面非辐射复合效率,提高了芯片的外量子效率。通过胶体量子点实现了RGB颜色转换,并通过填充黑胶减少了光串扰,提高了颜色转换效率,实现了全彩显示,提高了显示性能,得到了体积小、能耗低、亮度高、响应快的蓝光Micro‑LED器件。
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公开(公告)号:CN118610226A
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202410488328.6
申请日:2024-04-23
申请人: 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
摘要: 本发明涉及Micro‑LED领域,具体涉及一种彩色Micro‑LED器件的像素结构,其各个子像素采用梯形结构,所述梯形的上下底分别与IC驱动电路和阴极贴合,相邻两个子像素的梯形的腰相互平行;每个子像素各设置驱动电路与阳极连接。测试时,将制备好的彩色Micro‑LED器件的像素结构的晶圆置入像素测试装置,对各个镂空区域分区,使CCD探头从各个镂空区域读取晶圆显示区域的显示画面,通过CCD探头记录读取各像素点发光情况以及显示区域发光光学特性,从而准确检测出彩色Micro‑LED器件的像素结构的良率。所述像素结构散热效率高,允许更紧密的像素排布,同时制得的Micro‑LED器件亮度高,显示图像更加清晰、逼真。
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公开(公告)号:CN116864389A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202310767668.8
申请日:2023-06-27
申请人: 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/306 , C09G1/18
摘要: 本发明涉及的是一种半导体制备技术领域,具体为一种硅基外延片AlN去除方法,将去除硅基底的外延片放入化学机械抛光机内,并将H3PO4、H2O2和H2O按体积比为1:2:7.5‑10的比例混合制备抛光溶液,对剩余的外延片进行抛光。该方法能有效避免硅基外延片暗伤、划痕问题,显著提高去除质量和去除效率。
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