公开(公告)号：CN114752887B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202210563331.0

申请日：2022-05-20

申请人： 云南大学

发明人： 王茺 ,  李陈 ,  王荣飞 ,  叶书鸣 ,  段潇萧 ,  杨杰 ,  何薪鹏 ,  卢纯江

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

摘要： 本发明提供了一种利用磁控共溅射技术制备MnGe铁磁性量子点材料的方法，涉及稀磁掺杂量子点材料技术领域。本发明采用磁控共溅射技术，利用较小的溅射功率、较薄的沉积厚度和合理的退火过程为MnGe铁磁性量子点带来足够的表面迁移时间、增强原子的迁移扩散能力，从而避免团簇的产生、提高结晶度。具体的，量子点能够进行自组装生长是由于：Si、Ge界面的晶格失配会带来应变能的释放，本发明中，小的溅射功率与高的退火温度可增加Si‑Ge界面处的晶格失配度，有利于量子点的自组装生长。

公开(公告)号：CN114752887A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210563331.0

申请日：2022-05-20

申请人： 云南大学

发明人： 王茺 ,  李陈 ,  王荣飞 ,  叶书鸣 ,  段潇萧 ,  杨杰 ,  何薪鹏 ,  卢纯江

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

摘要： 本发明提供了一种利用磁控共溅射技术制备MnGe铁磁性量子点材料的方法，涉及稀磁掺杂量子点材料技术领域。本发明采用磁控共溅射技术，利用较小的溅射功率、较薄的沉积厚度和合理的退火过程为MnGe铁磁性量子点带来足够的表面迁移时间、增强原子的迁移扩散能力，从而避免团簇的产生、提高结晶度。具体的，量子点能够进行自组装生长是由于：Si、Ge界面的晶格失配会带来应变能的释放，本发明中，小的溅射功率与高的退火温度可增加Si‑Ge界面处的晶格失配度，有利于量子点的自组装生长。